孙裕文
- 作品数：13 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：理学机械工程自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种调焦调平传感器测量装置
- 本发明公开了一种调焦调平传感器测量装置，涉及测量技术领域，用于测量带有工艺的硅片的高度形貌，该装置包括可调谐光源、测试光栅、第一成像系统、第二成像系统、参考光栅、探测器、工件台和计算机。该装置能够对于待测硅片上涂覆某种光...
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- 文献传递
- 一种用于EUV真空环境中的电子学装置
- 本发明公开了一种用于EUV真空环境中的电子学装置，位于一真空腔中，所述真空腔用于提供EUV光存在环境，所述电子学装置包括：一电子学系统，所述电子学系统位于所述真空腔内，且所述电子学系统用于实现EUV光刻系统的电子学功能；...
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- 文献传递
- 一种EUV光源污染物收集装置
- 本发明公开了一种EUV光源污染物收集装置，应用于X射线或者EUV发光装置，其中，所述EUV发光装置包括：一激光源，一真空腔，一集光镜，一喷嘴，其中，EUV光源污染物收集装置包括：一收集罩，收集罩位于真空腔内，用于在激光束...
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- 文献传递
- 基于空间分光的纳米级调焦调平测量技术被引量：10
- 2016年
- 随着半导体制造步入1xnm技术节点时代,调焦调平系统的测量精度达到几十纳米。在纳米尺度范围内,集成电路(IC)工艺对调焦调平测量精度的影响很大。提出一种基于光学三角法和叠栅条纹法的调焦调平测量技术,利用空间分光系统将两组位相差为π的叠栅条纹同时成像到两个探测器上,通过归一化差分的方法计算硅片高度,可有效降低调焦调平测量技术对IC工艺的敏感度,尤其是IC工艺导致的光强变化的敏感性。实验结果表明,该系统测量重复性精度为8nm(3σ),线性精度为18nm(3σ)。当测量光强变化达90%时,该测量技术引起的线性精度变化为15nm(3σ);当光强变化为65%时,线性精度变化小于1nm(3σ)。
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- 关键词：集成电路工艺
- 一种光学精密系统的对准装置
- 本发明公开了一种光学精密系统的对准装置，涉及精密仪器技术领域，其中，本发明通过在第一物体上设置第一对准标记，在第二物体上设置第二对准标记，利用照明系统给所述第一物体上的第一对准标记提供照明，利用成像系统将第一物体上的第一...
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- 一种集光系统防污染保护装置
- 本发明公开了一种集光系统防污染保护装置，用于一种集光系统中，所述集光系统包括：一激光源，一真空腔，一集光镜，所述集光系统防污染保护装置包括：一供气管路，用于传输压力气体；至少一通气孔，位于所述供气管路上，用于喷射所述压力...
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- 文献传递
- 一种集光系统防污染保护装置
- 本发明公开了一种集光系统防污染保护装置，用于一种集光系统中，所述集光系统包括：一激光源，一真空腔，一集光镜，所述集光系统防污染保护装置包括：一供气管路，用于传输压力气体；至少一通气孔，位于所述供气管路上，用于喷射所述压力...
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- 文献传递
- 纳米光刻中调焦调平测量系统的工艺相关性被引量：10
- 2016年
- 随着半导体制造步入1xnm技术节点时代,光刻机中的对焦控制精度需要达到几十纳米。在纳米精度范围内,硅片上的集成电路（IC）工艺显著影响调焦调平系统的测量精度。基于实际的调焦调平光学系统模型和三角法、叠栅条纹法测量原理,建立工艺相关性误差模型。研究表明,工艺相关性误差主要来源于测量光在光刻胶涂层内部的多次反射。选取3种光刻胶仿真分析发现,不同光刻胶的工艺相关性误差随光刻胶厚度的变化趋势相同,随测量光入射角（45°~85°）的增大而减小。在实验验证平台上分别测量7种工艺硅片,实验测量值与理论模型计算值差异统计平均值小于6nm。结果表明,光刻机中调焦调平系统的测量光有必要采用大入射角度,同时提高光刻胶的涂胶均匀性,以减少工艺相关性误差。
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- 关键词：纳米光刻
- 一种光学元件的精密对心粘胶装置
- 本发明公开了一种光学元件的精密对心粘胶装置，所述装置用于将第一镜片对心粘胶于镜筒，所述装置包括：底座、V型或U型导轨、第一镜片夹持定位机构和第一锁紧机构；V型或U型导轨垂直固定在底座上；第一镜片夹持定位机构用于夹持第一镜...
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- 文献传递
- 一种精密面型测量装置
- 本发明公开了一种精密面型测量装置，该装置包括光源、投影光栅、第一双远心系统、第二双远心系统、检测光栅组件、空间分光系统、第一探测器、第二探测器、处理单元。其中，该装置利用检测光栅组件将一个光栅莫尔条纹分裂为两个位相差恒定...
- 宗明成孙裕文李世光
