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葛钟
作品数:
3
被引量:1
H指数:1
供职机构:
北京有色金属研究总院
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈海滨
北京有色金属研究总院
索思卓
北京有色金属研究总院
库黎明
北京有色金属研究总院
盛方毓
北京有色金属研究总院
张国栋
北京有色金属研究总院
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北京有色金属...
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葛钟
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2009
1篇
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300mm硅片表面延性磨削机理研究
2009年
根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论,通过设定磨削参数,使之满足硅片的延性磨削条件。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对磨削硅片表面和截面进行分析研究。研究结果表明:硅片表面形成规律的磨削印痕,且磨削印痕微弱,在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征,硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑;硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层,非晶层厚度约为50~100nm,表面微细裂纹完全消失,次表面损伤层厚度约为50~150nm,次表面损伤层存在微细裂纹。
葛钟
库黎明
陈海滨
盛方毓
索思卓
闫志瑞
关键词:
损伤层
一种真空吸盘
一种真空吸盘,它包括一截面为“凸”字形的圆柱体支架,一V型圈,一本体,截面为“凸”字形的圆柱体支架设一气流通道,本体为一中空通气管,于本体侧面设一突出端口,突出的端口中空并与本体通气管连通,本体侧面突出的端口插入截面为“...
葛钟
闫志瑞
库黎明
陈海滨
索思卓
张国栋
盛方毓
黄军辉
文献传递
抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究
被引量:1
2008年
抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。
索思卓
库黎明
黄军辉
葛钟
陈海滨
张国栋
盛方毓
阎志瑞
关键词:
抛光垫
化学机械抛光
HAZE
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