索思卓
- 作品数：7 被引量：12H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究被引量：1
- 2008年
- 抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。
- 索思卓库黎明黄军辉葛钟陈海滨张国栋盛方毓阎志瑞
- 关键词：抛光垫化学机械抛光HAZE
- 300mm Si片加工及最新发展被引量：1
- 2009年
- 65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmSi片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层。而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使Si片表面各点的去除量保持均匀。对目前300 mmSi片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mmSi片加工工艺的发展趋势。
- 库黎明闫志瑞索思卓周旗钢
- 关键词：抛光
- 300mm硅片表面延性磨削机理研究
- 2009年
- 根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论，通过设定磨削参数，使之满足硅片的延性磨削条件。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）对磨削硅片表面和截面进行分析研究。研究结果表明：硅片表面形成规律的磨削印痕，且磨削印痕微弱，在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征，硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑；硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层，非晶层厚度约为50～100nm，表面微细裂纹完全消失，次表面损伤层厚度约为50～150nm，次表面损伤层存在微细裂纹。
- 葛钟库黎明陈海滨盛方毓索思卓闫志瑞
- 关键词：损伤层
- 多用途退火用碳化硅舟
- 一种多用途退火用碳化硅舟，它包括：U型舟体，舟体的边缘布有插孔，还包括夹持硅片的插件，插件的插脚与舟体的插孔配合。夹持硅片的插件由托具与卡具组成，托具的上部为用于托举硅片的多层支撑架，各支撑架水平间隔排列；所述的卡具的上...
- 索思卓闫志瑞库黎明葛钟刘卓
- 文献传递
- 300mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析被引量：10
- 2008年
- 建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度。优化四个转速,可以显著改善300mm硅片表面的平整度和局部平整度。
- 库黎明闫志瑞索思卓常青周旗钢
- 关键词：数学模拟平整度
- 多功能硅片鼓泡清洗水槽
- 一种多功能硅片鼓泡清洗水槽，它包括：存放水槽、多个鼓泡水槽，存放水槽设有纯水进水口，水槽的侧壁均开有漏水槽，水槽底部均为斜面，进水处高，排水处低，排水处底部都设有一个从底部直接排水的排水口，在水槽内铺设有水平塑料板，塑料...
- 索思卓库黎明边永智闫志瑞
- 文献传递
- 安装在抛光头上的抛光液汇聚装置
- 一种安装在抛光头上的抛光液汇聚装置，它包括：固定在抛光头的轴部上的固定装置，安装在抛光头底部侧面边缘的一个锲型平台，固定装置与锲型平台之间用伸缩的连接杆连接，平台外侧有挡板，平台末端开放，引导抛光液排到抛光头轨迹经过的抛...
- 索思卓库黎明
- 文献传递
