库黎明
- 作品数：26 被引量：32H指数：4
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国际科技合作与交流专项项目国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 一种车间用电柜冷却方法
- 本发明提供了一种车间用电柜冷却方法，该方法包括：(1)在电柜外表面开孔，作为排风口；(2)将排风口接入排风管道。该方法既省去了内置风扇，节省了电柜的空间，又大大提高了降温的效率，同时节省电能，在各种工厂和车间里非常实用，...
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- 文献传递
- 硅片浅表层损伤缺陷的热演化行为及其表征
- 本文研究了硅片在多次热循环工艺前后的表层变化，确定了硅片精密机械加工后在浅表层遗留的残余损伤会在热工艺后演化成缺陷，验证了调整精密加工工艺后的效果，同时开展了浅表层微缺陷的红外消光法、氧化层错试验表征研究，确定了这两种方...
- 肖清华张果虎冯泉林闫志瑞库黎明
- 关键词：硅
- 300mm硅片表面延性磨削机理研究
- 2009年
- 根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论，通过设定磨削参数，使之满足硅片的延性磨削条件。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）对磨削硅片表面和截面进行分析研究。研究结果表明：硅片表面形成规律的磨削印痕，且磨削印痕微弱，在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征，硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑；硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层，非晶层厚度约为50～100nm，表面微细裂纹完全消失，次表面损伤层厚度约为50～150nm，次表面损伤层存在微细裂纹。
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- 关键词：损伤层
- 抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究被引量：1
- 2008年
- 抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。
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- 关键词：抛光垫化学机械抛光HAZE
- 一种大直径硅片双面抛光后的手持取片工具
- 一种大直径硅片双面抛光后的手持取片工具，它包括：手持部分、夹持部分，所述的夹持部分包括：操作杆、与操作杆连接的同心圆上的两段夹弧，弧的横断面呈V形沟槽，所述的两操作杆以轴连接，以轴绞接后的操作杆的端部为手持部分，操作杆的...
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- 文献传递
- 一种大直径硅片抛光装置
- 一种大直径硅片抛光装置，其特征在于：它包括：垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮圈(3)、位于游轮圈左侧的、由左传动部分(2)带动的左抛光轮(1)，位于游轮圈右侧的、由右传动部分(5)带动的右抛光轮(4)，左、右抛光轮...
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- 降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺被引量：6
- 2006年
- 利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH-对硅片表面的各向异性腐蚀,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小,并且随SC-1清洗过程中NH4OH浓度的增大而减小.
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- 关键词：预氧化氧化层各向异性腐蚀
- 一种刷抛光大盘用的刷子
- 一种刷抛光大盘用的刷子，它包括：刷体、刷体的上部为机械手部分，刷体下部为一盘，盘的端面上置有刷毛，盘的周边设有高压喷嘴，刷体内有一供进高压纯净水的水管，高压喷嘴与水管连通。本实用新型的优点是该装置结构紧凑，操作简便，可由...
- 库黎明闫志瑞索思卓黄军辉葛钟陈海滨张国栋盛方毓
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- 300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化被引量：8
- 2007年
- 通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系,计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据。
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- 关键词：非均匀性DSP
- 300mm硅片倒片装置
- 一种300mm硅片倒片装置，它包括：花篮固定底座1，底座下部设两根导杆6，在导杆轴向的前后位置上各设一个推杆2，推杆的下部设支架，支架上设滑动件，滑动件与导杆上配合，在底座的两种花蓝之间设有两个滑移导轨3，所述花篮固定底...
- 库黎明闫志瑞冯泉林常青周旗钢
- 文献传递
