蔡莉
- 作品数：12 被引量：17H指数：2
- 供职机构：南昌航空大学更多>>
- 发文基金：江西省材料科学与工程研究中心基金江西省教育厅科学技术研究项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 直流辉光等离子体化学气相沉积Zn(O,S)薄膜的系统和工艺
- 本发明公开了一种CIGS太阳电池器件的制备工艺和一种直流辉光等离子体化学气相沉积Zn(O，S)、ZnO薄膜的反应系统，反应系统包括真空反应罩，上、下进气管，绝缘座，特征是在石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，...
- 王应民孙云蔡莉李长健孙国忠杜楠李禾
- 文献传递
- PECVD法制备硅基ZnO薄膜光学性能的研究被引量：2
- 2007年
- 使用薄膜分析系统研究在不同衬底温度下生长的硅基ZnO薄膜反射谱,了解衬底温度对薄膜的结晶状况影响。研究结果表明,随衬底温度的升高,晶粒之间融合长大,薄膜的折射率增大;在衬底温度450℃时生长的ZnO薄膜,薄膜的折射率最大为4.2,反射谱的吸收边更接近380nm,在520nm处有一个弱的吸收峰,与ZnO薄膜的PL谱测试结果一致。再升高衬底温度,晶粒会出现异常长大,晶粒排布将受到影响,导致薄膜折射率下降。
- 王应民杜楠蔡莉李禾程国安
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜等离子增强化学气相沉积反射光谱
- PTCR陶瓷材料的半导化及显微组织的研究
- 2001年
- 研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成 (Ba0 .8Sr0 .2 )TiO3 超细微粉 ,掺入钇元素及烧结助剂 ,在合理的温度制度下烧成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程 ,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品 ,利用SEM、XRD进行分析陶瓷的结构 ,利用交流阻抗仪分析陶瓷施主浓度 ,结果表明PTCR陶瓷半导化仅与升温阶段有关。
- 蔡莉王应民
- 关键词：PTCR陶瓷半导化显微结构功能材料
- 用锌有机源和CO_2/H_2混合气源PECVD沉积ZnO薄膜被引量：5
- 2006年
- 在等离子体作用下,以CO2/H2混合气为氧源,Zn(C2H5)2锌为锌源,在单晶硅上生长出高度择优取向的氧化锌薄膜。X射线衍射分析表明,薄膜为六方结构,c轴高度择优;原子力显微镜观察到晶粒是有规律地按六方排布,薄膜的表面粗糙度较小;从光致发光谱还发现在380 nm处有非常强的紫外峰。
- 张萌王应民徐鹏蔡莉李禾程国安刘庭芝
- 关键词：薄膜光学ZNO等离子体增强化学气相沉积
- 铜铟镓硒太阳电池窗口层沉积的一种新方法
- 本发明公开了一种CIGS太阳电池器件的制备工艺和一种直流辉光等离子体化学气相沉积Zn(O，S)、ZnO薄膜的反应系统，反应系统包括真空反应罩，上、下进气管，绝缘座，特征是在石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，...
- 王应民孙云蔡莉李长健孙国忠杜楠李禾
- 文献传递
- 硅基ZnO薄膜组织形貌的研究
- 2007年
- 本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜,以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、450℃。使用原子力显微镜和带能谱的环境扫描电镜分析这两个ZnO薄膜样品的表面和断面组织形貌。实验结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。在衬底温度为450℃时生长薄膜样品,晶粒之间存在有规律的聚集,主要按六方环结构排布,比在衬底温度为400℃生长的薄膜的晶粒之间的聚集更有规律,这与XRD测试结果相吻合;薄膜的断面组织形貌图也进一步证实了在衬底温度为450℃时生长的ZnO薄膜,C轴高度择优取向。从薄膜的断面组织形貌图还可以看到,薄膜与单晶硅衬底之间界面几乎是一条直线,样品经过高温退火处理,薄膜未出现裂纹或卷起,说明薄膜与单晶硅之间存在一定的化学键合。
- 蔡莉熊波王应民李禾
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜ESEMXRD
- 新型多孔凝胶电解质的制备及其在准固态柔性基染料敏化太阳电池中的应用被引量：8
- 2012年
- 制备了一种新型多孔聚丙烯酸/十六烷基三甲基溴化铵聚吡咯凝胶电解质,并将其应用于柔性基染料敏化太阳电池(DSSC)。通过扫描电镜表征、热重分析测试、电化学性能测试和柔性电池光电性能测试等手段,分析了凝胶电解质对柔性基DSSC的光电性能影响。研究结果表明:随着聚吡咯的引入,提高凝胶电解质导电性以及催化电解质中的I-/I3-离子电对等性能,最终在100mW/cm2[大气质量(AM)1.5]光照条件下,测得基于该准固态凝胶电解质的柔性基DSSC光电转换效率达1.28%。
- 李清华王应民李文杰张婷婷蔡莉程泽秀李禾
- 关键词：光学器件多孔凝胶电解质染料敏化太阳能电池
- 多晶硅/铜铟镓硒叠层电池工艺
- 本发明是新型的多晶硅/铜铟镓硒叠层电池，结合多晶硅太阳电池和铜铟镓硒(Cu(In，Ga)Se<Sub>2</Sub>简称CIGS)薄膜太阳电池特点。采用多种薄膜沉积技术制备多晶硅/铜铟镓硒叠层电池，提高多晶硅/铜铟镓硒叠...
- 王应民李清华蔡莉张婷婷李禾程泽秀
- 文献传递
- 化学水浴法制备ZnS薄膜光学性能被引量：1
- 2007年
- 利用薄膜分析系统测量不同沉积时间制备的ZnS薄膜透射谱,通过分析薄膜透射谱,来确定ZnS薄膜光学常数和禁带宽度。实验结果表明,在线性生长阶段,薄膜的沉积速率大约为1 nm/min,具有很好的线性关系,沉积0.5 h的ZnS薄膜在可见光范围内光透过率为82%左右。
- 王应民杜楠孙云张萌蔡莉李禾程国安徐飞
- 关键词：ZNS薄膜消光系数禁带宽度
- PECVD法制备的ZnO薄膜结晶性能的影响被引量：2
- 2007年
- 报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组成、表面和横截面的形貌表征,并且测试了薄膜的PL谱。研究结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。随衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶取向性开始增强,晶粒尺寸增大。在衬底温度约为450℃时,生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性。
- 王应民孙云杜楠蔡莉李禾程国安
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜等离子体增强化学气相沉积X射线衍射仪原子力显微镜
