李禾
- 作品数：51 被引量：102H指数：6
- 供职机构：南昌航空大学更多>>
- 发文基金：江西省材料科学与工程研究中心基金江西省自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 用密栅云纹法研究高温新材料的断裂力学行为被引量：10
- 1997年
- 介绍了高温云纹技术,并对密栅云纹法用于高温新材料的断裂力学行为测试进行了讨论,包括高温材料的零厚度光栅制作技术,U、V场分离装置,以及高温断裂的理论依据及图像的后处理。最后作了国内外情况对比分析和应用介绍,阐述了密栅云纹法研究高温新材料的力学行为的重要性。
- 李禾李仁增王凤翔严超华
- 关键词：云纹干涉法断裂韧性J积分高温
- 一种高温云纹实验炉
- 本发明涉及一种高温云纹实验加热炉，包括炉体、炉体上安装的加载装置和加热装置，炉体前面有测试观察窗口，所述炉体其外壁上装有隔热水套，炉体上的真空抽气口、热电偶插入口、输入电源接线柱和保护气体进气口的密封装置都处在隔热水套中...
- 李禾邓颖张少钦王应民
- 文献传递
- 单光束直入射云纹干涉计量——云纹相机和云纹显微镜
- 2002年
- 本文用傅氏光学原理分析了光栅在斜入射与直入射之间的关系 ,提出了直入射云纹光路及其干涉原理。此光路除了继承斜入射波前干涉原理和有相同灵敏度外 ,还具有结构简化、紧凑 ,集光源到CCD成像为一体的特点 ,从而设计了云纹相机 (f=3 0 0～ 2 40 0线 毫米 )和云纹显微镜 (f=12 0 0 0线 毫米或灵敏度 =83 .3纳米 线 ) ,实现了云纹测量仪器化。至此云纹实验勿需再采用分离元件在实验室的全息平台上进行 ,而可用于现场。本文最后分析了光栅恰如一精密度尺 ,用于变形测量 ,但度尺与被测物不应为同一量级 ,因变形高频信号将被转换为衰逝波被光栅所阻挡。根据目前各相关技术发展的详实资料及光测力学的需求 ,提出可行的纳米级光栅和超紫外云纹 ,这将是新世纪研究微观断裂力学的一个方向。
- 王凤翔李仁增傅艳军李禾严超华
- 关键词：云纹干涉
- 云纹干涉法测定金属材料断裂韧度被引量：5
- 2008年
- 运用云纹干涉法的波前干涉原理和非接触测量面内位移方法,测试三点弯曲试件裂纹嘴张开位移,并将此方法用于高温断裂韧度测试中。经过大量的金属材料断裂韧度测试,建立一套线弹性、弹塑性断裂韧度非接触测试方法,解决高温环境下的断裂韧度测试。
- 李禾李仁增董爱民陈庭生向东德吴琼何玉怀张国栋
- 关键词：断裂韧度
- 云纹干涉法运用于高温材料断裂韧度测试的研究被引量：3
- 2012年
- 将云纹干涉法与常规方法进行比较。运用云纹干涉法非接触性特点分别测试了材料常温与高温下断裂韧度值,说明云纹干涉法运用于材料断裂韧度测试中是可行的。
- 周鹏张少钦李禾
- 关键词：云纹干涉法断裂韧度
- 新型多晶硅制绒工艺
- 本发明为新型多晶硅制绒工艺，结合了电化学腐蚀和化学酸腐蚀制绒特点。首先采用电化学腐蚀法对多晶硅进行刻蚀，然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀。不仅能够克服化学酸腐蚀过程中腐蚀速度不易控制等问题，同时也能解决电化学腐蚀法中腐蚀...
- 王应民程泽秀李清华李禾
- 文献传递
- 用云纹干涉法测量和研究双层钴合金的挠度被引量：1
- 2009年
- 运用云纹干涉原理对双层钴-合金材料进行三点弯曲试验,测试其常温与高温条件下的挠度值。通过大量试验,且与千分表测试的挠度值进行比较。结果表明,常温条件下的云纹测试挠度值与千分表法可以达到同样的精确度。同时,该实验方法体现了高温云纹干涉法在材料高温力学性能测试方面的优越性。高温云纹法是非接触式测量,在高温环境下有效地解决了量具高温变形的困难,且结合云纹图像可以对试件受力动态变形情况进行实时观测和分析,是一种较为精确测试常温及高温挠度的新方法。
- 李艳艳李禾艾云龙
- 关键词：云纹干涉法挠度
- 扁挤压筒的光弹性分析
- 2002年
- 采用光弹性应力冻结法分析了扁挤压筒在挤压力作用下的应力分布.结果表明,组合式扁挤压筒由于过盈装配,其最大周向应力大大降低.本文结果将对扁挤压筒的优化设计提供依据.
- 李相麟谢水生周天瑞李禾谢立新赵大华
- 关键词：扁挤压筒应力分布过盈装配金属模具
- 铜铟镓硒太阳电池窗口层沉积的一种新方法
- 本发明公开了一种CIGS太阳电池器件的制备工艺和一种直流辉光等离子体化学气相沉积Zn(O，S)、ZnO薄膜的反应系统，反应系统包括真空反应罩，上、下进气管，绝缘座，特征是在石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，...
- 王应民孙云蔡莉李长健孙国忠杜楠李禾
- 文献传递
- 硅基ZnO薄膜组织形貌的研究
- 2007年
- 本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜,以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、450℃。使用原子力显微镜和带能谱的环境扫描电镜分析这两个ZnO薄膜样品的表面和断面组织形貌。实验结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。在衬底温度为450℃时生长薄膜样品,晶粒之间存在有规律的聚集,主要按六方环结构排布,比在衬底温度为400℃生长的薄膜的晶粒之间的聚集更有规律,这与XRD测试结果相吻合;薄膜的断面组织形貌图也进一步证实了在衬底温度为450℃时生长的ZnO薄膜,C轴高度择优取向。从薄膜的断面组织形貌图还可以看到,薄膜与单晶硅衬底之间界面几乎是一条直线,样品经过高温退火处理,薄膜未出现裂纹或卷起,说明薄膜与单晶硅之间存在一定的化学键合。
- 蔡莉熊波王应民李禾
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜ESEMXRD
