您的位置: 专家智库 > >

孙云

作品数:249 被引量:378H指数:11
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 110篇会议论文
  • 88篇期刊文章
  • 41篇专利
  • 8篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 125篇电气工程
  • 34篇电子电信
  • 29篇一般工业技术
  • 26篇理学
  • 5篇动力工程及工...
  • 3篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇经济管理
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 140篇电池
  • 121篇太阳电池
  • 66篇薄膜太阳电池
  • 44篇CIGS薄膜
  • 42篇CIGS
  • 34篇GA
  • 32篇溅射
  • 24篇SE
  • 23篇铜铟镓硒
  • 22篇CU(IN,...
  • 20篇CU
  • 19篇CIGS薄膜...
  • 19篇衬底
  • 18篇金属
  • 17篇磁控
  • 16篇磁控溅射
  • 14篇电沉积
  • 14篇太阳能电池
  • 13篇预制
  • 12篇电极

机构

  • 243篇南开大学
  • 5篇南昌航空工业...
  • 5篇天津大学
  • 4篇中国电子科技...
  • 4篇天津市光电子...
  • 3篇天津理工大学
  • 2篇北京师范大学
  • 2篇河北建筑工程...
  • 2篇浙江大学
  • 2篇天津城建大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇南昌大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇云南大学
  • 1篇天津师范大学
  • 1篇中国科学院等...
  • 1篇安徽工程大学
  • 1篇英利能源(中...

作者

  • 249篇孙云
  • 98篇周志强
  • 94篇何青
  • 70篇刘玮
  • 65篇李凤岩
  • 58篇敖建平
  • 56篇刘芳芳
  • 55篇李长健
  • 43篇孙国忠
  • 31篇张毅
  • 29篇薛玉明
  • 16篇张毅
  • 14篇张力
  • 14篇张德贤
  • 11篇朴英美
  • 11篇耿新华
  • 11篇李伟
  • 10篇王赫
  • 10篇李宝璋
  • 10篇张加友

传媒

  • 20篇太阳能学报
  • 14篇人工晶体学报
  • 10篇第13届中国...
  • 9篇物理学报
  • 9篇第十一届中国...
  • 8篇光电子.激光
  • 7篇Journa...
  • 7篇第九届中国太...
  • 7篇第十四届中国...
  • 3篇太阳能
  • 2篇功能材料
  • 2篇发光学报
  • 2篇物理化学学报
  • 2篇真空
  • 2篇半导体杂志
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇第十届固体薄...
  • 2篇第八届中国太...
  • 1篇天津科技
  • 1篇科学通报

年份

  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 6篇2021
  • 5篇2020
  • 7篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 6篇2015
  • 13篇2014
  • 20篇2013
  • 17篇2012
  • 5篇2011
  • 14篇2010
  • 14篇2009
  • 20篇2008
  • 18篇2007
  • 24篇2006
  • 10篇2005
  • 23篇2004
249 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铜铟镓硒太阳电池导带边失调值研究
本文通过SCAPS软件模拟分析了Ga成分比例的改变带来的CIGS/CdS导带边失调值变化对电池性能参数的影响,并与实验测量进行了比较。结果表明,当Ga/In+Ga约为30%,对应的导带边失调值为0.3ev左右时,电池转换...
刘一鸣刘玮李长健王赫孙云
关键词:CIGSCDS
文献传递
预制层溅射气压对CIGS薄膜结构及器件的影响被引量:1
2015年
研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响。通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体。高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势。经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS"两相分离"现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%。
李光旻刘玮林舒平李晓东周志强何青张毅刘芳芳孙云
关键词:溅射气压粗糙度
衬底温度对超薄Cu(In, Ga)Se2 材料及电池性能的影响
底温度保持恒定,在Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga、In、Cu 制备厚度约为0.7 μm 的CuIn0.3Ga0.7Se2(CIGS)薄膜.利用X 射线衍射仪分析衬底温度对薄膜晶体结构及物相组成的影响,扫描电子...
韩安军孙云李博研何静靖李志国张毅刘玮
关键词:CU(IN,GA)SE2衬底温度超薄太阳电池
OVC在CIGS薄膜太阳电池中的作用
本论文对OVC(Ordered Vacancy Compound)薄膜材料的特性进行了概述。阐述了OVC薄膜材料的缺陷,这些缺陷是有序的,只能在一定的晶向、晶面上产生;光电特性:高阻、低载流子浓度,禁带宽度一般为1.3e...
薛玉明孙云朴英美刘维一何青
关键词:OVCCIGS异质结
非晶硅太阳电池中的非欧姆夹层被引量:2
1990年
a-Si pin太阳电池暗态下存在一种串联电阻效应,并呈非线性特性。由于它的存在,使暗态电流对数值与电压之间明显偏离线性关系。该非线性电阻在高正向电压下趋于饱和,呈现集总电阻效应。从不同光强下电池串联电阻R_s和短路电流I_(sc)关系推算出的接触电阻值与上述非线性电阻的饱和值相符甚好,说明此电阻效应可能与接触特性有关。 计入非线性电阻后标出的暗态二极管参数(品质因子n、反向饱和电流I_o)与光态二极管参数(n_L、I_(oL))非常接近,在一定程度上由暗态I—V特性算出的V_(oc)与实测值一致性很好。因此认为,可由暗态I—V特性评估电池性能。
熊绍珍耿新华王玉冰王宗畔孙云孙钟林徐温元
关键词:电池太阳能非晶硅夹层
不同成分比例CIGS薄膜及太阳电池的快速退火(英文)被引量:2
2009年
研究了110~180℃(2 min)下的快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜特性及CIGS太阳电池性能的影响.结果表明:对于不同成分比例的CIGS(正常、富Cu、高Ga)电池来说,150℃,2 min的快速退火最利于电池性能及二极管特性的增加.其中,退火对富Cu电池的开路电压Voc改善最大,这是因为快速热退火对消除部分CIGS薄膜中的CuSex有积极作用,从薄膜的电阻率有少量提高,器件的短路电流Jsc有少量下降可以得到验证;而对于高Ga电池来说,填充因子FF的改善最大,这是因为高Ga样品的缺陷较多,退火会消除薄膜内部的部分缺陷,从而薄膜的迁移率及Jsc都有所提高,使得FF有较大的增加.
刘芳芳孙云王赫张力李长健何青李风岩周志强
关键词:CIGS薄膜太阳电池快速退火二极管特性
CI(G)S薄膜太阳电池金属预置层的研究
CI(G)S 薄膜太阳电池是目前国际光伏界研究开发的热点。本文研究了采用直流磁控顺序溅射制备的 Cu-In-(Ga) 预制层的材料特性。制备时的工作压强、溅射顺序以及预制层的组分等因素都直接影响着预制层的结构特性,从而影...
鞠兰李凤岩姜伟龙何青刘芳芳孙云
文献传递
效率为12.1%的Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池被引量:11
2004年
利用共蒸发的三步法制备了较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并采用Mo/CIGS/CdS/ZnO 结构为基础做出转换效率超过10%的薄膜太阳电池,其最高转换效率达到12.1%(测试条件为:AM1.5,Global 1000W/m2)。通过与国际最高水平的CIGS太阳电池各参数的比较,分析了我们所制备的CIGS太阳电池在工艺和物理方面存在的问题。
何青孙云李凤岩敖建平刘芳芳李伟刘维一孙国忠周志强薛玉明朴英美汲明亮郑贵波李长健
关键词:CIGS薄膜太阳电池
低温生长柔性CIGS薄膜材料及太阳电池的研究
主要研究了低温生长柔性聚酰亚胺衬底的铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜材料及器件问题.通过改善元素沉积速率、调控薄膜元素分布比例,分析其对CIGS薄膜结构、电学及元素分布等特性的影响,确定影响低温生长CI...
刘玮李志国李祖亮程龙周志强刘一鸣张毅何青孙云
关键词:理化性质太阳电池
文献传递
一种利用磷酸盐制备太阳电池的方法
本发明公开一种磷酸盐制备太阳电池的方法,包括以下步骤:在衬底上制备Mo金属电极;将Mo金属电极在浓度为5mmol/L的磷酸盐溶液中进行浸泡,然后以500℃~600℃退火30min,获得P掺杂的Mo电极;在P掺杂的Mo电极...
张毅王东潇武墨青武莉吴建宇刘玮敖建平孙云
文献传递
共25页<12345678910>
聚类工具0