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刘玮

作品数:109 被引量:26H指数:3
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术电子电信理学更多>>

文献类型

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领域

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  • 10篇CU(IN,...
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  • 8篇金属
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  • 8篇GA
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机构

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作者

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传媒

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年份

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  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2002
109 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铜铟镓硒太阳电池导带边失调值研究
本文通过SCAPS软件模拟分析了Ga成分比例的改变带来的CIGS/CdS导带边失调值变化对电池性能参数的影响,并与实验测量进行了比较。结果表明,当Ga/In+Ga约为30%,对应的导带边失调值为0.3ev左右时,电池转换...
刘一鸣刘玮李长健王赫孙云
关键词:CIGSCDS
文献传递
预制层溅射气压对CIGS薄膜结构及器件的影响被引量:1
2015年
研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响。通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体。高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势。经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS"两相分离"现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%。
李光旻刘玮林舒平李晓东周志强何青张毅刘芳芳孙云
关键词:溅射气压粗糙度
衬底温度对超薄Cu(In, Ga)Se2 材料及电池性能的影响
底温度保持恒定,在Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga、In、Cu 制备厚度约为0.7 μm 的CuIn0.3Ga0.7Se2(CIGS)薄膜.利用X 射线衍射仪分析衬底温度对薄膜晶体结构及物相组成的影响,扫描电子...
韩安军孙云李博研何静靖李志国张毅刘玮
关键词:CU(IN,GA)SE2衬底温度超薄太阳电池
一种增强隔热二氧化锆复合陶瓷气凝胶及其制备方法
本发明属于陶瓷材料技术领域,公开了一种增强隔热二氧化锆复合陶瓷气凝胶及其制备方法,先以八水氯氧锆为原料,十六烷基三甲基溴化铵为分散剂,环氧丙烷为交联剂,通过溶胶‑凝胶法和超临界干燥制得ZrO<Sub>2</Sub>颗粒气...
刘洪丽袁文津刘文成睢颖刘玮陈建宇楚晓雨
低温生长柔性CIGS薄膜材料及太阳电池的研究
主要研究了低温生长柔性聚酰亚胺衬底的铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜材料及器件问题.通过改善元素沉积速率、调控薄膜元素分布比例,分析其对CIGS薄膜结构、电学及元素分布等特性的影响,确定影响低温生长CI...
刘玮李志国李祖亮程龙周志强刘一鸣张毅何青孙云
关键词:理化性质太阳电池
文献传递
一种利用磷酸盐制备太阳电池的方法
本发明公开一种磷酸盐制备太阳电池的方法,包括以下步骤:在衬底上制备Mo金属电极;将Mo金属电极在浓度为5mmol/L的磷酸盐溶液中进行浸泡,然后以500℃~600℃退火30min,获得P掺杂的Mo电极;在P掺杂的Mo电极...
张毅王东潇武墨青武莉吴建宇刘玮敖建平孙云
文献传递
不同厚度的MoOx背界面层对低温超薄CIGS材料及器件性能的影响
为了加快CIGS太阳电池的工业化生产,增强其市场竞争力,在不严重损害器件效率的前提下降低生产成本是当下研究的热点问题。减薄CIGS吸收层的厚度以及降低CIGS吸收层的沉积温度都可以有效降低生产成本,因此低温超薄CIGS电...
何志超刘杨史思涵张运祥程世清周志强何青刘芳芳孙云刘玮
关键词:SEM
纳米颗粒非真空方法制备CIGS薄膜电池的研究进展
CIGS薄膜太阳能电池为多层薄膜化合物结构,吸收层是CIGS电池的核心部分。在众多的电池吸收层制备工艺中,非真空方法免去了昂贵的真空设备系统,具有工艺简单、原材料消耗低等成本优势,因此受到了广泛的关注。非真空方法是金属预...
李光旻孙云刘玮
关键词:太阳电池电沉积法
文献传递
一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极
一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极,用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构,由聚酰亚胺衬底、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成,薄Mo薄膜层为高阻Mo层,Ag薄膜层为应力缓冲层,...
刘玮程龙孙云李祖亮周志强张毅
文献传递
基于Ag掺杂的CIGS薄膜背梯度研究
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池具有效率高、弱光性能好、稳定不衰退等优点,是目前最具有前景的薄膜太阳电池之一。CIGS是一种四元化合物半导体,随着Ga/(In+Ga)比的不同,其带隙可以在1.04-1.67eV内连续可调...
张运祥胡朝静程世清何志超刘芳芳周志强刘玮孙云
文献传递
共11页<12345678910>
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