梁涛
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：四川长虹电器股份有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
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- 降低多输出通道功率芯片电磁辐射的设计
- 2017年
- 介绍了一种可降低多通道输出功率芯片电磁辐射的设计方法。该功率芯片具有96个独立的输出通道,对芯片的高压总供电和单路输出通道的驱动模式进行研究。将实际测试的电磁辐射从原有的47dB·μV/m降低到36.8dB·μV/m,特别是在低于50MHz的低频区域内显著降低了电磁辐射的谐波分量,使得最终的准峰值(QPK)测试结果通过CISPR标准,并获得了3.2dB·μV/m的裕量。该方法可被广泛应用于其他类型的多通道输出功率芯片的电磁兼容整改工作中。
- 黄勇李阳周锌梁涛乔明张波
- 关键词：LIGBT功率芯片电磁辐射
- 一种200V垂直型恒流二极管的优化设计被引量：3
- 2016年
- 恒流二极管具有很高的动态阻抗、很好的恒流性能以及负温度特性,被广泛应用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。设计了一种200V垂直耗尽型恒流二极管,对其电学参数进行了仿真,优化了外延厚度与浓度、沟道浓度、JFET区长度、栅氧层厚度等参数,并对终端结构进行了设计。最终成功设计出一个夹断电压小于5V,击穿电压约为250V,电流约为1.5×10^(-5)A/μm,恒流特性良好的恒流二极管。
- 梁涛张康何逸涛乔明张波
- 关键词：恒流二极管击穿电压夹断电压
- 一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件被引量：1
- 2017年
- 提出了一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件。将传统结构的部分埋氧层替换为介电常数更高的Si_3N_4,降低了漂移区的积累层电阻,使器件获得更低的比导通电阻,同时减弱了自热效应。与传统结构进行仿真对比,发现新结构基本保持了与传统结构相当的击穿电压,但比导通电阻降低了24%,最高温度降低了59%。
- 梁涛杨文何逸涛陈钢乔明张波
- 关键词：比导通电阻自热效应
- 一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件
- 2017年
- 针对传统高压功率器件的击穿电压与比导通电阻始终相互矛盾的问题,提出了一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件。该结构在漂移区的上方引入多个电极,每个电极偏置在不同的电位,器件正常工作时的电子电流聚集于漂移区表面,提供了一个低阻的导电通道,从而降低了比导通电阻。在漂移区引入多个额外电场峰值,提高了器件的击穿电压。与传统结构相比,新结构能够将击穿电压从325V提高到403V,并且比导通电阻降低43%。
- 黄勇李阳周锌梁涛乔明张波
- 关键词：击穿电压比导通电阻多电极
