周雪梅
- 作品数：12 被引量：18H指数：3
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：武汉市重点科技攻关计划项目湖北省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种制备铁电薄膜或厚膜的方法
- 本发明公开了一种制备铁电薄膜或厚膜的方法，该方法包括：在衬底上刻出凹槽阵列；配制粉末溶胶，即把铁电微粉与相应的铁电材料溶胶混合，得到粉末溶胶；将配制好的粉末溶胶涂于衬底上，用流延法制备薄膜或厚膜，流延设备中的刀片与有凹槽...
- 张五星王长安周雪梅赵伯芳尹盛
- 文献传递
- 微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究被引量：6
- 2002年
- 为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试 ,分析了多晶硅薄膜的电学特性。
- 饶瑞徐重阳曾祥斌王长安赵伯芳周雪梅
- 关键词：低温晶化多晶硅薄膜电阻率
- 纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象被引量：3
- 2002年
- 对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂 ,B掺杂效率比P高 ,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer Neldel规则 ,并有反转Meyer Neldel规则出现 .掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一 .非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献 .
- 张洪涛徐重阳邹雪城王长安赵伯芳周雪梅曾祥兵
- 关键词：碳化硅薄膜掺杂电导率
- 4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究被引量：3
- 2002年
- 采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在衬底表面形成双等离子流 ,增加了衬底表面SiC的成核概率 ,增强成核作用 ,形成纳米晶 .采用高H2 等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si—C及Si—Si和Si—H等键时 ,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用 ,产生自组织生长 ,发生晶化 .Raman光谱和透射电子衍射 (TEM)的测试结果表明 ,纳米晶SiC是 4H SiC多型结构 .电子显微照片表明平均粒径为 16nm ,形状为微柱体 .实验结果指出 ,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核 ,并且其晶化存在一个功率密度阈值 ;当低于这一功率密度阈值时 ,晶化消失 ;当超过这一阈值时 ,纳米晶含量随功率密度的提高而增加 .随着晶化作用的加强 ,电导率增加 .
- 张洪涛徐重阳邹雪城王长安赵伯芳周雪梅曾祥斌
- 关键词：4H-SICPECVD纳米电子学光电性质微结构碳化硅
- 实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺被引量：1
- 2000年
- 根据多晶硅薄膜氢化的微观机理 ,提出改进氢化效果的工艺方法 ,在不增加设备投资的情况下 ,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果 ,从而提高薄膜晶体管的性能 ,ION/IOFF从 10 3量级增加到 10 5量级 ,氢化工艺的处理时间也相应缩短。
- 曾祥斌徐重阳王长安饶瑞赵伯芳周雪梅
- 关键词：多晶硅薄膜氢化工艺薄膜晶体管
- 非致冷红外焦平面阵列探测单元的制备被引量：1
- 2002年
- 采用sol-gel方法制备出BaxSr1-xTiO3(BST)薄膜,并优化工艺提高其介温变化率最大可达6%。通过半导体光刻工艺,刻蚀出BST探测单元,较好的解决了UFPA技术中的探测单元制备问题。设计了初级信号处理电路,并用Protel进行了电路模拟,所得信号可以应用于进一步的信号处理。
- 张五星徐重阳王长安史济群周雪梅
- 关键词：非致冷红外焦平面阵列UFPA介电常数信号处理
- 非晶硅薄膜晶体管有源矩阵的研制
- 周雪梅邹雪城张少强
- 关键词：非晶体材料矩阵硅膜晶体管
- 非晶硅集成型色敏元件及其传感器被引量：3
- 1996年
- 研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结集成型色敏元件及其传感器的制备工艺和结构，详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明，采用ａ－ＳｉＣ／ａ－ＳｉＰＩＮ异质结构和分离反应室的ＰＥＣＶＤ工艺，使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显的改善。利用这种色敏元件及其传感器可以实现高精度的颜色识别。
- 王长安徐重阳周雪梅赵伯芳邹雪城
- 关键词：非晶硅异质结传感器
- 微桥对UFPA探测单元的影响被引量：1
- 2003年
- 通过Sol-Gel方法和半导体工艺,制备出基于Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3(BST)薄膜的非致冷红外焦平面阵列(UFPA)探测单元。用ANSYS有限元分析软件,对探测单元进行了热分析。分析结果表明:微桥的大小可以极大的影响薄膜受到辐射后的温度以及薄膜温度的均匀性。对微桥和硅衬底上的BST薄膜进行了结构和性能上的对比。发现微桥上面的BST薄膜其介电常数有所下降,漏电流增加。而且为了得到致密无裂纹的BST薄膜,必须减少它的厚度。对所制备的UFPA探测单元进行了红外测试,得到1.6mV左右的信号输出,可以满足下一步信号处理的需要。
- 张五星徐重阳王长安史济群周雪梅
- 关键词：非致冷红外焦平面阵列有限元热分析介电常数
- 金属诱导非晶硅薄膜低温晶化
- 2000年
- 介绍了一种非晶硅 (a- Si)薄膜低温晶化的新工艺 :金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。研究了各种 a- Si/金属双层膜退火后的晶化情况。利用 X射线衍射分析了结晶硅膜的结构 ,通过光学显微镜观察了 Al诱导 a- Si薄膜晶化后的表面形貌 。
- 饶瑞徐重阳曾祥斌王长安周雪梅赵伯芳
- 关键词：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化
