曾祥斌
- 作品数：124 被引量：148H指数：7
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 基于FPGA的双模式光伏电池测试仪
- 2012年
- 为了解决传统的光伏测试仪功能单一,只能够测量光伏电池基本参数的问题,采用了增加采样信道,由FPGA控制采样模式的方法,设计完成了一款双模式的光伏电池测试仪。在完成光伏电池I-V曲线等参数测量的同时可以实时的检测光伏电池的工作状态,为光伏电池的维护提供了便利。同时,使用电容代替传统的电子负载作为采样负载,提高了对开路电压和I-V曲线的测量精度。
- 李青曾祥斌肖蓉
- 关键词：FPGA电容负载
- 基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法
- 本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化...
- 曾祥斌曾洋吴少雄王文照胡一说周广通任婷婷郭振宇靳雯
- 均匀尺寸硅纳米粒子的制备技术及光学特性研究
- 通过等离子增强化学气相沉积法,以氨气和硅烷为反应气体在p型单晶硅衬底上制备了非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜,再经过高温退火处理获得了尺寸均匀的硅纳米粒子。室温下测试了含硅纳米粒子SiNx薄膜的喇曼(Raman)光谱、...
- 曾祥斌姜礼华张笑黄迪秋鲜映霞孙小虎
- 一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法
- 本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的...
- 曾祥斌王君豪胡一说王文照陆晶晶王曦雅周宇飞王士博肖永红陈铎张茂发
- 文献传递
- 适合教学的高性能太阳能电池测试系统被引量：7
- 2008年
- 利用短弧氙灯模拟AM1.5太阳光,通过数据采集模块采集初始电流、电压、温度、光谱响应参数,经Lab-VIEW和Matlab运算修正复现后,得到标准条件下的I-V特性曲线.该系统具有很高的精确度、自动化程度和可靠性的同时,还具有灵活的测试范围,适用于实验教学.
- 曾令驰潘涛曾祥斌
- 关键词：太阳能电池虚拟仪器
- 纳米氮化镓/碳化硅固溶晶薄膜电子微结构被引量：1
- 2002年
- 采用高功率密度、高氢稀释和直流偏压 PECVD技术制备纳米碳化硅 /氮化镓固溶晶薄膜。经过透射电镜观察 ,形状为微丘陵状 ,晶粒径在 3～ 16 nm范围 ,垂直衬底生长 ,其宽化衍射环与单晶碳化硅吻合。拉曼光谱与4 H -多型 Si C范围相似。并出现晶态氮化镓的特征峰。这表明制备出纳米碳化硅
- 张洪涛徐重阳曾祥斌邹雪城
- 关键词：氮化镓碳化硅
- 铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜被引量：13
- 2001年
- 为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器，低温（＜６００℃）制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点．本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法．在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜，并光刻形成铝膜图形，而后于氮气保护中退火．利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法，研究了Ａｌ诱导下非晶硅薄膜的晶化过程，结果表明；在５６０℃退火６ｈ后；铝膜下的非晶硅已完全晶化，确定了所制备的是多晶硅薄膜．初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理．
- 饶瑞徐重阳孙国才王长安曾祥斌
- 关键词：金属诱导晶化非晶硅薄膜多晶硅薄膜金属铝晶化机理
- 多晶硅薄膜的表面处理工艺被引量：5
- 2001年
- 采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等离子体分别对ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面进行了钝化处理，处理后的 ｐ－Ｓｉ ＴＦＴ（薄膜晶体管）具有比未处理 ＴＦＴ更优越的性能，通电试验与热应力试验后，处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力，钝化的微观机理是ＮＨ３和Ｎ２Ｏ等离子体中和了ｐ－Ｓｉ薄膜的悬挂键，形成牢固的Ｓｉ－Ｎ键，减少了表面态密度．
- 曾祥斌Johnny K O Sin徐重阳饶瑞
- 关键词：NH3N2O表面钝化多晶硅薄膜表面处理工艺
- 实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺被引量：1
- 2000年
- 根据多晶硅薄膜氢化的微观机理 ,提出改进氢化效果的工艺方法 ,在不增加设备投资的情况下 ,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果 ,从而提高薄膜晶体管的性能 ,ION/IOFF从 10 3量级增加到 10 5量级 ,氢化工艺的处理时间也相应缩短。
- 曾祥斌徐重阳王长安饶瑞赵伯芳周雪梅
- 关键词：多晶硅薄膜氢化工艺薄膜晶体管
- 硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用
- 本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中...
- 曾祥斌郭振宇王文照胡一说吴少雄周广通曾洋任婷婷靳雯鲁基昌曾薏蓉肖永红
- 文献传递
