赵伯芳
- 作品数：47 被引量：84H指数：5
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金武汉市重点科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学化学工程更多>>
- 16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺被引量：1
- 1995年
- 研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性。实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高淀积非晶硅基薄膜的本底真空度，优化制备工艺，可制备高信噪比的非晶硅荧光探测器。
- 王长安徐重阳周雪梅张少强赵伯芳邹雪城
- 关键词：非晶半导体异质结PIN光电二极管
- 具有双层背电极的非晶硅太阳电池热稳定性研究
- 1995年
- 提出一种采用铬的硅化物／铝的双层背电极的新型非晶硅ＰＩＮ太阳电池结构。研究了铬的硅化物的特性和具有双层背电极非晶硅ＰＩＮ太阳电池的热稳定性。金属硅化物能有效地阻挡两侧铝原子和硅原子的相互热扩散，从而可大大改善非晶硅太阳电池的热稳定性。
- 王长安徐重阳周雪梅邹雪城赵伯芳
- 关键词：太阳电池热稳定性硅化物
- 实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺被引量：1
- 2000年
- 根据多晶硅薄膜氢化的微观机理 ,提出改进氢化效果的工艺方法 ,在不增加设备投资的情况下 ,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果 ,从而提高薄膜晶体管的性能 ,ION/IOFF从 10 3量级增加到 10 5量级 ,氢化工艺的处理时间也相应缩短。
- 曾祥斌徐重阳王长安饶瑞赵伯芳周雪梅
- 关键词：多晶硅薄膜氢化工艺薄膜晶体管
- α—Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究被引量：3
- 1993年
- 本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依赖关系。根据实验结果总结了CF_4等离子体刻蚀速率随射频功率、反应室压力和衬底温度的增加而增大的规律,通过控制合适的工艺条件,成功地实现了选择性刻蚀并改善了刻蚀的均匀性。
- 赵伯芳张少强章青王长安
- 关键词：等离子体刻蚀半导体集成电路有源矩阵
- (Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜热敏电容器的研制被引量：5
- 2000年
- 采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的BST((Ba0 .7Sr0 .3)TiO3)铁电薄膜热敏电容器 .介绍了热敏电容器上下电极的选材和制备及铁电薄膜的制备工艺 .根据热敏电容器的电容 -温度曲线 ,分析了热敏电容器的工作原理 .实验结果表明BST铁电薄膜热敏电容器可以工作在室温附近 ,约 2
- 刘世建徐重阳曾祥斌赵伯芳
- 关键词：BST铁电薄膜
- 一种非晶硅叠层太阳能电池制备方法
- 本发明涉及一种非晶硅叠层薄膜太阳能电池的制备工艺，该电池采用“玻璃衬底/TCO(透明导电薄膜)/顶层PIN非晶硅薄膜/第二层PIN非晶硅薄膜/第三层PIN非晶硅薄膜/Al底电极”结构的太阳能电池模型。其主要工艺步骤为：(...
- 曾祥斌赵伯芳王慧娟宋志成陆晶晶曾瑜
- 文献传递
- a-SiN_x:H薄膜对a-Si:H TFT阈值电压的影响被引量：7
- 1997年
- 介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。
- 王长安熊智斌张少强赵伯芳徐重阳
- 关键词：阈值电压氢化非晶硅薄膜晶体管
- 一种制备铁电薄膜或厚膜的方法
- 本发明公开了一种制备铁电薄膜或厚膜的方法，该方法包括：在衬底上刻出凹槽阵列；配制粉末溶胶，即把铁电微粉与相应的铁电材料溶胶混合，得到粉末溶胶；将配制好的粉末溶胶涂于衬底上，用流延法制备薄膜或厚膜，流延设备中的刀片与有凹槽...
- 张五星王长安周雪梅赵伯芳尹盛
- 文献传递
- 容栅传感器与单片机89C2051的接口及编程被引量：3
- 1997年
- 容栅传感器与单片机８９Ｃ２０５１的接口及编程ＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＩｎｔｅｒｆａｃｅｆｏｒＣａｐａｃｉｔｉｖｅＧａｔｅＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＢａｓｅｄｏｎ８９Ｃ２０５１Ｓｉｎｇｌｅ－ＣｈｉｐＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖ＷａｎＸ...
- 万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖
- 关键词：传感器单片机容栅传感器接口
- 一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法
- 本发明涉及一种柔性非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，所选用的柔性衬底为聚酰亚胺薄膜(PI膜)。其主要工艺步骤为：(1)清洗柔性衬底(PI膜)；(2)预烘PI膜；(3)制备Al背电极；(4)制备ZnO薄膜缓冲层；(5)利用P...
- 曾祥斌赵伯芳王慧娟陈宇宋志成曾瑜
- 文献传递
