黄晓东
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- 高T <Sub>c</Sub>、宽温超高B <Sub>s</Sub> MnZn铁氧体材料及制备方法
- 高T<Sub>c</Sub>、宽温超高B<Sub>s</Sub> MnZn铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂组成，其特征在于，主料包括：58.0-62.0mol%Fe<Su...
- 余忠孙科蒋晓娜兰中文黄晓东郭荣迪邬传键许志勇
- 文献传递
- Ta_2O_5对高B_sMnZn功率铁氧体微结构及磁性能温度特性的影响被引量：2
- 2013年
- 采用氧化物陶瓷工艺制备了MnZn功率铁氧体,研究了Ta2O5对材料微结构及磁参数温度特性的影响。结果表明,随着Ta2O5含量的增加,材料的平均晶粒尺寸逐渐增大,密度略有增加,磁导率(μi)呈先增大后降低的趋势,磁损耗(Pcv)则先降低后增加,当Ta2O5含量为0.015wt%时,常温下μi与Pcv分别达到最大值与最小值。材料的饱和磁感应强度(Bs)随着Ta2O5含量的增加而先增大后降低,在添加0.025wt%Ta2O5时达到最大值,25℃、100℃及120℃的Bs分别为578mT,495mT和469mT。
- 傅膑余忠黄晓东周晓军孙科王华成魏培伟
- 关键词：功率铁氧体磁性能温度特性损耗
- 薄膜厚度对Ni-Zn铁氧体薄膜性能的影响
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上沉积Ni0.5Zn0.5Fe2O4铁氧体薄膜,研究了薄膜厚度对其结构和性能的影响。结果表明,在800℃空气中退火时,Si基片与Ni-Zn铁氧体薄膜存在相互渗透。随薄膜厚度增加,薄膜样品晶格常数及晶粒尺寸增大,饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc均略有增加。
- 李雪余忠孙科李金龙黄晓东兰中文
- 关键词：射频磁控溅射薄膜厚度磁性能
- 高T <Sub>c</Sub>、宽温超高B <Sub>s</Sub> MnZn铁氧体材料及制备方法
- 高T<Sub>c</Sub>、宽温超高B<Sub>s</Sub> MnZn铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂组成，其特征在于，主料包括：58.0-62.0mol%Fe<Su...
- 余忠孙科蒋晓娜兰中文黄晓东郭荣迪邬传键许志勇
- CuO和V_2O_5对MnZn功率铁氧体性能的影响被引量：4
- 2011年
- 采用氧化物陶瓷工艺制备了分子组成为Mn0.69Zn0.24Fe2.07O4的MnZn功率铁氧体,研究了不同CuO和V2O5含量对MnZn功率铁氧体晶相、显微形貌和磁性能的影响。结果表明,添加CuO和V2O5可促进晶粒生长,增大晶格常数,适量添加可降低气孔率,提高起始磁导率和电阻率,降低损耗;而加入过多的CuO和V2O5会导致晶粒异常长大,气孔率增加,起始磁导率和电阻率降低,损耗增大。当w(V2O5)=2.76×10-2%,w(CuO)=1.2×10-2%时,烧结样品的晶粒最均匀致密,气孔率最低,起始磁导率和电阻率最大,损耗最低。
- 刘娅余忠孙科蒋晓娜兰中文余鹏黄晓东
- 关键词：MNZN功率铁氧体晶格常数显微形貌磁性能
- 高温超高BsMnZn功率铁氧体的研制
- 许多电子设备均要求在高温等复杂条件下运行，其稳定的工作温度均在高温状态(100℃~120℃)，且大部分电子设备在启动的瞬间将会有一个较大的电流脉冲，在大电流下，若磁心的Bs值越高，其抗饱和能力就越强，电感量减落就越小（若...
- 黄晓东
- 关键词：功率铁氧体磁损耗磁性能
- 文献传递
- MnZn功率铁氧体高频功耗特性分析被引量：2
- 2012年
- 采用氧化物陶瓷工艺制备了2～4MHz频段高频开关电源用MnZn功率铁氧体,通过对铁氧体断面显微结构、密度和磁特性的测试,研究了Fe2O3含量对MnZn功率铁氧体功率损耗特性的影响。结果表明,随着Fe2O3含量的增加,晶粒尺寸逐渐减小,常温下3MHz、10mT高频损耗(Pcv)先增大后减小,Fe2O3含量从58mol%增加到59 mol%时,损耗下降非常明显,而在100℃时,铁氧体的剩余损耗逐渐降低,导致总损耗随着Fe2O3含量的增加而减小。随着频率的升高,剩余损耗(Pr)占总损耗的比重逐渐增加,成为损耗的主要部分,而磁滞损耗(Ph)占总损耗的比重逐渐降低,涡流损耗(Pe)所占比重变化不明显。
- 黄晓东余忠孙科蒋晓娜李雪安文兰中文
- 关键词：MNZN功率铁氧体高频损耗
