余忠
- 作品数：238 被引量：330H指数：12
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- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信理学更多>>
- La-Co取代对M型钡铁氧体微观结构和磁性能的影响
- 邬传健余忠孙科蒋晓娜郭荣迪许志勇兰中文
- ZnO对锰锌铁氧体磁性能温度特性的影响被引量：4
- 2009年
- 采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,通过在不同温度下对铁氧体磁性能的测试,研究了ZnO含量对MnZn功率铁氧体磁性能温度特性的影响。结果表明,MnZn功率铁氧体室温下的起始磁导率和饱和磁感应强度随ZnO含量的增加呈先升高后下降的趋势,当w(ZnO)=12%时,起始磁导率和饱和磁感应强度达到最大值。同时,ZnO含量增加,起始磁导率-温度(μi-T)曲线Ⅱ峰所对应的温度点向低温移动,居里温度则一直降低。在100kHz、200mT条件下,随着ZnO含量的增加,常温下铁氧体的损耗先减小后增大,且损耗最低点温度也逐渐降低,并对应着μi-T曲线的Ⅱ峰位置。
- 李乐中兰中文余忠孙科许志勇姬海宁
- ZnFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>铁氧体薄膜制备方法
- ZnFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>铁氧体薄膜制备方法，属于电子材料技术领域。本发明包括下述步骤：1)ZnFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>铁氧体靶材的制备：采用氧化物陶瓷工艺，...
- 孙科余忠李金龙蒋晓娜兰中文
- 文献传递
- 移相器用低损耗LiZn铁氧体材料及制备方法
- 移相器用低损耗LiZn铁氧体材料，涉及铁氧体材料制备技术领域。本发明由主料、添加剂和粘合剂构成，以Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、ZnO、Mn<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>、L...
- 蒋晓娜兰中文余忠孙科姬海宁刘培元庄亚明
- 文献传递
- 高剩磁比的U型六角铁氧体材料及制备方法
- 一种高剩磁比的U型六角铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。包括主料和掺杂剂，主料：19.2～20.7wt％BaCO<Sub>3</Sub>、0.2～1.3wt％La<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
- 蒋晓娜焦斌邬传健余忠孙科兰中文
- 文献传递
- 宽温宽频MnZn功率铁氧体材料及制备方法
- 宽温宽频MnZn功率铁氧体材料，涉及铁氧体材料制备技术领域。本发明的宽温宽频MnZn功率铁氧体材料包括主成分和添加剂，其特征在于，所述主成分包括51.5～53.0mol％Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
- 余忠易耀华王宏邬传健窦海之孙科杨仕机兰中文蒋晓娜余勇
- 宽温高B<Sub>s</Sub> MnZn软磁铁氧体材料及制备方法
- 宽温高B<Sub>s</Sub> MnZn软磁铁氧体材料及制备方法，属于软磁铁氧体材料制备技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其特征在于，主料的组分包括：58.0-62.0mol%Fe<Sub>2</Sub>...
- 余忠傅膑孙科蒋晓娜张凯刘培元兰中文周晓军
- 文献传递
- ZrO_2添加剂对MnZn功率铁氧体温度特性的影响被引量：2
- 2011年
- 采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体。通过对铁氧体微结构的表征及电、磁性能的测试,研究了ZrO2对MnZn功率铁氧体起始磁导率（iμ）和损耗（Pcv）温度特性的影响。结果表明,随着ZrO2添加量的增加,室温下MnZn功率铁氧体的iμ及电阻率均先增大后减小,损耗则先减小后增大;当w（ZrO2）=0.02%时,iμ和电阻率达到最大值,损耗最低。此外,铁氧体的iμ-T曲线Ⅱ峰及损耗最低点所对应的温度随着ZrO2掺杂量的增加向低温移动。当w（ZrO2）=0.02%时,MnZn功率铁氧体在25~120℃的宽温范围内保持较低损耗。
- 智彦军余忠姬海宁李乐中孙科兰中文
- 关键词：MNZN功率铁氧体电磁性能温度特性
- 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料及制备方法
- 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料，由主成分和添加剂组成，其中，主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：51～54mol%Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>，9～13mol%ZnO，0.1～0.7mol...
- 许志勇孙科余忠蒋晓娜兰中文
- 厚度对M型钡铁氧体薄膜结构及磁性能的影响被引量：1
- 2015年
- 采用射频（RF）磁控溅射法在蓝宝石基片上制备M型钡铁氧体（BaM）薄膜,研究了薄膜厚度对BaM铁氧体薄膜的结构及磁性能影响.结果显示,样品的衍射峰全部为BaM薄膜的（00l）衍射峰,表明样品都具有良好的c轴取向性.显微结构分析结果表明,在膜厚为40~90nm范围内,薄膜样品表面主要为c轴取向的片状晶粒,未出现c轴随机取向的针状晶粒;当样品厚度增加至140nm时,出现了较明显的针状晶粒;随着薄膜厚度进一步增加到190nm时,样品表面出现了大量c轴随机取向的针状晶粒,且部分针状晶粒长度达到了μm级.磁性能测试结果显示,随着薄膜厚度的增加,薄膜样品饱和磁化强度降低,垂直膜面方向矫顽力和剩磁比减小,膜厚40~90nm范围的薄膜在垂直膜面方向获得了最大剩磁比和矫顽力,表现出较好的磁晶各向异性.
- 郭辉莉杨艳柴治孙科李强余忠蒋晓娜兰中文
- 关键词：射频磁控溅射薄膜厚度磁性能
