孙科
- 作品数：180 被引量：128H指数：7
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电气工程一般工业技术理学电子电信更多>>
- 基于裸芯片覆膜的薄膜体声波滤波器被引量：3
- 2021年
- 该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm×1 mm×0.4 mm,滤波器的中心频率为3 GHz,中心插损为1.3 dB。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器裸芯片,同时采用覆膜工艺对FBAR裸芯片表面进行覆膜保护,避免裸芯片在使用或运输等过程中被损坏。测试结果显示,覆膜前滤波器裸芯片的中心频率为2.993 GHz,中心插损为1.69 dB;覆膜后滤波器的中心频率为2.997 GHz,中心插损为1.51 dB。对覆膜的影响和覆膜前后的差异进行了分析。
- 刘娅刘娅马晋毅孙科罗方活徐阳徐阳蒋平英许东辉许东辉
- 关键词：裸芯片覆膜插入损耗
- 一种高矫顽力低损耗复合六角铁氧体材料及其制备方法
- 一种高矫顽力低损耗复合六角铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述复合六角铁氧体材料包括主配方和掺杂剂，主配方包括：BaCO<Sub>3</Sub>、ZnO、CoO和Fe<Sub>2</Sub>O<Sub...
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- 一种复合磁粉芯及其制备方法
- 一种复合磁粉芯及其制备方法，涉及金属软磁粉芯的制备方法。所述复合磁粉芯包括FeSiCr磁粉和纳米NiZn铁氧体包覆剂，其中，FeSiCr磁粉为Fe<Sub>80～90</Sub>Si<Sub>0.1～10</Sub>Cr...
- 郭荣迪王生明余忠孙科蒋晓娜邬传健兰中文
- 一种低温锌离子电池的制备方法
- 本发明提供了一种低成本，在低温下能稳定长循环且拥有极高容量保留率的锌离子电池制备方法。所述耐低温水系锌离子电池主要包括正极，负极，电解液和隔膜，其中正极材料为普鲁士蓝类似物，负极为金属锌，电解质利用含氟锌盐将酯类有机溶剂...
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- 一种调控FBAR滤波器中心频率的方法
- 一种调控FBAR滤波器中心频率的方法，属于滤波器制备技术领域。包括调频层的制备、调频层的图形化、一次调频、隔离层的制备、隔离层的图形化和二次调频过程。本发明提供的一种调控FBAR滤波器中心频率的方法，在调频层上沉积ScA...
- 余忠杨欣航刘娅邬传健孙科蒋晓娜兰中文
- 文献传递
- 宽温超低损耗MnZn软磁铁氧体材料及制备方法
- 宽温超低损耗MnZn软磁铁氧体材料及制备方法，本发明属于电子材料技术领域。其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：65～75mol％Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>，13～20mol％ZnO，0.000...
- 兰中文余忠李乐中姬海宁孙科蒋晓娜
- 文献传递
- 尖晶石/磁铅石铁氧体材料Brillouin函数温度特性研究
- 本报告基于Neel分子场理论,采用非线性拟合方法研究了尖晶石铁氧体（NiCuZn）和磁铅石铁氧体（BaM）材料的Brillouin函数温度特性。针对尖晶石铁氧体中A、B位次晶格同时存在Ni2+、Cu2+和Fe3+三种磁性...
- 孙科
- 文献传递
- ZnFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>铁氧体薄膜制备方法
- ZnFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>铁氧体薄膜制备方法，属于电子材料技术领域。本发明包括下述步骤：1)ZnFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>铁氧体靶材的制备：采用氧化物陶瓷工艺，...
- 孙科余忠李金龙蒋晓娜兰中文
- 添加钛和锡对锰锌铁氧体微结构和高频性能的影响被引量：17
- 2006年
- 用氧化物陶瓷工艺制备了MnZn功率铁氧体。结合材料微观结构分析,研究了TiO2,SnO2添加剂对MnZn功率铁氧体起始磁导率μi,电阻率ρ及单位体积高频损耗Pcv的影响。结果表明:为得到优良的高频性能,TiO2和SnO2适宜添加的质量分数(下同)分别是0.2%和0.1%,而复合添加时最佳量分别为0.4%和0.1%。
- 孙科兰中文陈代中李乐中陈昱余忠
- 关键词：锰锌铁氧体微结构起始磁导率电阻率
- 添加Ta_2O_5对NiCuZn铁氧体显微结构及磁性能的影响被引量：4
- 2014年
- 采用固相反应法制备添加Ta2O5的NiCuZn铁氧体,研究了不同Ta2O5含量对NiCuZn铁氧体显微结构,静磁性能和高频损耗的影响。结果表明:Ta2O5具有细化NiCuZn铁氧体晶粒的作用,可降低材料的烧结密度。随着Ta2O5含量的增加,样品的饱和磁感应强度和起始磁导率单调减小,矫顽力则逐渐增大,截止频率逐渐升高,而高频损耗呈先降低后增加的趋势,其主导因素由剩余损耗逐渐过渡到磁滞损耗。当Ta2O5含量为0.12wt%时,样品在3 MHz、10 mT、100℃下总损耗最小,为139 mW/cm3,其中磁滞损耗和剩余损耗分别为93 mW/cm3和46 mW/cm3。
- 孙科李垚杨艳兰中文余忠郭荣迪
- 关键词：NICUZN铁氧体显微结构高频损耗
