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郑志威

作品数:8 被引量:14H指数:2
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 3篇电源
  • 3篇电源管理
  • 3篇电源管
  • 2篇低压管
  • 2篇电流
  • 2篇电源技术
  • 2篇开关电源
  • 2篇开关电源技术
  • 2篇薄栅
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇电池
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电路
  • 1篇电压
  • 1篇电子制造
  • 1篇氧化层
  • 1篇氧化层陷阱
  • 1篇栅介质
  • 1篇斩波调制

机构

  • 6篇电子科技大学
  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 8篇郑志威
  • 4篇董铸祥
  • 4篇宁宁
  • 4篇杨晓春
  • 3篇于奇
  • 3篇张新川
  • 2篇张满红
  • 2篇刘璟
  • 2篇柳玉波
  • 2篇霍宗亮
  • 2篇朱欢
  • 2篇刘明
  • 2篇孙国志
  • 1篇王向展
  • 1篇谢常青
  • 1篇王琴
  • 1篇朱晨昕
  • 1篇尹江龙
  • 1篇曹英帅
  • 1篇王晨杰

传媒

  • 3篇微电子学
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
用于电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路
于用电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路,涉及开关电源技术,该电路包含有:控制模块,根据脉宽调制信号的状态为反馈箝位模块提供偏置并控制电流源模块的工作状态;反馈箝位模块,利用反馈原理产生控制信号控制功率MOS管的导通和...
宁宁郑志威张新川董铸祥孙国志柳玉波朱欢杨晓春
一种采用斩波调制的高精度带隙基准源的设计被引量:11
2013年
为了抑制运算放大器的输入失调电压对带隙基准源的影响,提高输出电压的精度,基于斩波调制技术,设计了一种高精度带隙基准源电路.通过0.25μm BiCMOS工艺模型仿真验证,结果表明,运算放大器的差分输入对管的失配为±2%时,该基准源的输出电压波动峰峰值为0.38mV,与传统带隙基准源相比,相对精度提高了113倍.当电源电压在2.5~6.0V内,基准电压源的波动小于0.085mV,温度为-40~125℃时,电路的温度系数为19ppm/℃.
杨晓春于奇宋文青董铸祥郑志威
关键词:斩波调制带隙基准失调电压不匹配
快速启动双反馈环路LED恒流输出通道设计被引量:1
2013年
为了解决LED恒流驱动输出电流不稳的问题,提出采用双反馈环路的通道结构。在此基础上,设计了采用分段模式的快速启动电路,可极大地提升通道的开启速度。基于0.25μmBCD工艺,完成HSPICE仿真。结果显示,该系统的外环路增益为83dB,相位裕度为80o,通道间电流互不影响。当电流在5~45mA范围内变化时,快速启动电路正常工作,通道的开启时间仅为4ns,开启速度较传统结构有显著提升。该输出通道已成功应用于LED恒流驱动中。
董铸祥宁宁于奇杨晓春郑志威曹英帅
关键词:LED驱动
电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法
本发明涉及微电子制造及存储器技术领域,公开了一种电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法,该存储器包括:衬底;形成于衬底的沟道之上的隧穿介质层;形成于隧穿介质层之上的电荷存储层;形成于电荷存储层之上的阻挡层;形成于阻挡层之上的...
刘明郑志威霍宗亮谢常青张满红刘璟
文献传递
开关型1-3节锂电池充电管理芯片设计
随着便携式电子产品的迅速发展,消费者对产品的要求也越来越高。锂离子电池其小体积、高能量、轻质量、长寿命、低成本、无污染等优点成为人们的首选电池。但是,为了充分地利用电池的容量、延长电池的使用寿命以及提高电池的安全可靠性,...
郑志威
关键词:锂电池充电管理芯片设计
用于电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路
用于电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路,涉及开关电源技术,该电路包含有:控制模块,根据脉宽调制信号的状态为反馈箝位模块提供偏置并控制电流源模块的工作状态;反馈箝位模块,利用反馈原理产生控制信号控制功率MOS管的导通和...
宁宁郑志威张新川董铸祥孙国志柳玉波朱欢杨晓春
文献传递
一种用于电源管理的高性能电荷泵被引量:2
2012年
设计了一种用于电源管理的高性能交叉耦合电荷泵。与传统的Dickson电荷泵相比,该电荷泵不受阈值压降影响,电压输入范围大;同时,开关管采用最大过驱动电压,极大地减小了传导损耗。HSPICE仿真结果表明,当输入电压为5V、时钟频率为50 MHz时,最大效率达到96.3%,在空载条件下,升压效率高达99%。负载电流在10~120μA范围内,输出电压只有1.55V的变化,具备较强的电流驱动能力。
郑志威张新川尹江龙于奇宁宁王向展
关键词:电源管理
MOS器件栅介质层陷阱的表征方法
2011年
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素,对栅介质中陷阱信息的准确提取和分析将有助于器件性能的优化、器件寿命的预测等。针对几十年来研究人员提出的各种陷阱表征方法,在简单介绍栅介质中陷阱相关知识的基础上,对已有的界面陷阱和氧化层陷阱表征方法进行系统的调查总结和分析,详细阐述了表征技术的新进展。
许中广霍宗亮张满红王琴刘璟朱晨昕郑志威王晨杰刘明
关键词:MOS器件栅介质可靠性氧化层陷阱
共1页<1>
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