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文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电源
  • 3篇电源管理
  • 3篇恒流
  • 3篇电源管
  • 2篇低压管
  • 2篇电流
  • 2篇电路
  • 2篇电源技术
  • 2篇开关电源
  • 2篇开关电源技术
  • 2篇恒流输出
  • 2篇薄栅
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低功耗
  • 1篇电压
  • 1篇斩波调制
  • 1篇照明
  • 1篇失调电压
  • 1篇驱动电路

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇董铸祥
  • 5篇于奇
  • 5篇宁宁
  • 4篇郑志威
  • 4篇杨晓春
  • 2篇李念龙
  • 2篇柳玉波
  • 2篇朱欢
  • 2篇孙国志
  • 2篇曹英帅
  • 2篇张新川
  • 2篇宋文青
  • 1篇张军
  • 1篇于文华
  • 1篇朱波
  • 1篇倪春晓
  • 1篇王凯

传媒

  • 4篇微电子学
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2012
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种采用斩波调制的高精度带隙基准源的设计被引量:11
2013年
为了抑制运算放大器的输入失调电压对带隙基准源的影响,提高输出电压的精度,基于斩波调制技术,设计了一种高精度带隙基准源电路.通过0.25μm BiCMOS工艺模型仿真验证,结果表明,运算放大器的差分输入对管的失配为±2%时,该基准源的输出电压波动峰峰值为0.38mV,与传统带隙基准源相比,相对精度提高了113倍.当电源电压在2.5~6.0V内,基准电压源的波动小于0.085mV,温度为-40~125℃时,电路的温度系数为19ppm/℃.
杨晓春于奇宋文青董铸祥郑志威
关键词:斩波调制带隙基准失调电压不匹配
用于电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路
用于电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路,涉及开关电源技术,该电路包含有:控制模块,根据脉宽调制信号的状态为反馈箝位模块提供偏置并控制电流源模块的工作状态;反馈箝位模块,利用反馈原理产生控制信号控制功率MOS管的导通和...
宁宁郑志威张新川董铸祥孙国志柳玉波朱欢杨晓春
文献传递
一种低功耗快速启动CMOS晶振电路的设计被引量:2
2013年
针对传统皮尔斯(Pierce)晶振电路功耗较大、启动较慢的问题,设计了一种低功耗快速启动CMOS晶振电路。对传统Pierce电路的反相器结构进行改进,降低了电路功耗;通过引入快速启动电路,明显缩短了晶振的起振时间。理论分析和仿真结果表明,改进的CMOS晶振电路不仅能够快速启动,还大大降低了电路的功耗。
倪春晓于奇宁宁朱波宋文青董铸祥张军
关键词:低功耗晶振电路
快速启动双反馈环路LED恒流输出通道设计被引量:1
2013年
为了解决LED恒流驱动输出电流不稳的问题,提出采用双反馈环路的通道结构。在此基础上,设计了采用分段模式的快速启动电路,可极大地提升通道的开启速度。基于0.25μmBCD工艺,完成HSPICE仿真。结果显示,该系统的外环路增益为83dB,相位裕度为80o,通道间电流互不影响。当电流在5~45mA范围内变化时,快速启动电路正常工作,通道的开启时间仅为4ns,开启速度较传统结构有显著提升。该输出通道已成功应用于LED恒流驱动中。
董铸祥宁宁于奇杨晓春郑志威曹英帅
关键词:LED驱动
用于电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路
于用电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路,涉及开关电源技术,该电路包含有:控制模块,根据脉宽调制信号的状态为反馈箝位模块提供偏置并控制电流源模块的工作状态;反馈箝位模块,利用反馈原理产生控制信号控制功率MOS管的导通和...
宁宁郑志威张新川董铸祥孙国志柳玉波朱欢杨晓春
3通道LED恒流驱动控制芯片的设计
近年来,LED装饰照明的应用越来越广泛,已从最初的单色静态装饰照明发展到如今的全彩动态装饰照明。LED装饰照明的飞速发展得益于其自身色彩的多样性以及相应驱动芯片发展。随着LED装饰照明市场的不断扩大,通用的驱动芯片已无法...
董铸祥
关键词:芯片设计
一种高速恒流输出驱动电路的设计被引量:1
2013年
提出了一种新型的恒流输出驱动电路,该电路保持了传统电路的低负载电压调整率,同时,采用瞬间增强运放驱动的方式,提升了电路的开启速度。基于0.25μm BCD工艺,完成HSPICE仿真。结果表明,电路的负载电压调整率近似为0;输出电流为30mA时,电路的开启时间仅为10.3ns;在不同输出电流下,电路开启时间的差异较小。该电路可应用于开关电源、手机充电器及LED显示屏等电路芯片中。
董铸祥李念龙于奇宁宁曹英帅
关键词:电源管理恒流输出驱动电路
MOS结构γ总剂量效应仿真模型研究被引量:4
2013年
研究了对MOS结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性。仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中并不能被激活,而利用激活氧化物体区和Si/SiO2界面的Insulator Fixed Charges模型可以分别对γ总剂量辐射造成的氧化层固定电荷和Si/SiO2界面陷阱电荷进行有效的模拟仿真。
李念龙于奇王凯于文华董铸祥
关键词:Γ辐射总剂量辐射陷阱电荷TCAD
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