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张新川

作品数：12 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇晶体管
  • 6篇肖特基
  • 6篇肖特基接触
  • 5篇氮化镓
  • 5篇异质结
  • 5篇异质结场效应...
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇势垒
  • 3篇电源
  • 3篇电源管理
  • 3篇沟道
  • 3篇电源管
  • 2篇低压管
  • 2篇电流
  • 2篇电路
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子输运
  • 2篇势垒层

机构

  • 12篇电子科技大学

作者

  • 12篇张新川
  • 9篇尹江龙
  • 8篇于奇
  • 8篇赵子奇
  • 8篇马坤华
  • 6篇杜江锋
  • 4篇罗谦
  • 3篇宁宁
  • 3篇郑志威
  • 2篇董铸祥
  • 2篇柳玉波
  • 2篇朱欢
  • 2篇孙国志
  • 2篇杜江峰
  • 2篇杨晓春
  • 1篇王向展

传媒

  • 2篇四川省电子学...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 6篇2012
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有pn结复合缓冲层的大功率AlGaN/GaN HEMTs器件研究
对具有pn结复合缓冲层的AlGaN/GaN HEMT器件进行了仿真研究.首先,对pn结复合缓冲层减小泄漏电流的原理进行了说明.其次,对Lgd=6μm的AlGaN/GaN HEMT器件的特性进行了分析,包括输出特性、转移特...
尹江龙杜江锋马坤华张新川赵子奇于奇
关键词：高电子迁移率晶体管击穿电压
文献传递
一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管， 从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层...
杜江峰赵子奇尹江龙张新川马坤华罗谦于奇
一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成...
杜江锋赵子奇马坤华尹江龙张新川罗谦于奇
文献传递
一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化...
杜江锋尹江龙马坤华张新川赵子奇于奇
文献传递
用于电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路
用于电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路，涉及开关电源技术，该电路包含有：控制模块，根据脉宽调制信号的状态为反馈箝位模块提供偏置并控制电流源模块的工作状态；反馈箝位模块，利用反馈原理产生控制信号控制功率MOS管的导通和...
宁宁郑志威张新川董铸祥孙国志柳玉波朱欢杨晓春
文献传递
一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化...
杜江锋尹江龙马坤华张新川赵子奇于奇
文献传递
用于电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路
于用电源管理的反馈箝位功率MOS管驱动电路，涉及开关电源技术，该电路包含有：控制模块，根据脉宽调制信号的状态为反馈箝位模块提供偏置并控制电流源模块的工作状态；反馈箝位模块，利用反馈原理产生控制信号控制功率MOS管的导通和...
宁宁郑志威张新川董铸祥孙国志柳玉波朱欢杨晓春
毫米波AlGaN/GaN HEMT短沟道效应与结构优化
毫米波AlGaN/GaN HEMT器件在高频、大功率、高温和抗辐照等方面的优异表现使它在国防工业和日常生活中有着越来越广泛的应用。为了提高毫米波AlGaN/GaN HEMT器件的工作频率，必须提高器件的电流增益截止频率（...
张新川
关键词：HEMT器件毫米波短沟道效应结构优化数值仿真
一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成...
杜江锋赵子奇马坤华尹江龙张新川罗谦于奇
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一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管， 从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层...
杜江峰赵子奇尹江龙张新川马坤华罗谦于奇
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