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李萍剑

作品数：55 被引量：31H指数：4
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 19篇石墨
  • 17篇石墨烯
  • 15篇纳米
  • 8篇硫化
  • 7篇电池
  • 7篇光电
  • 7篇掺杂
  • 6篇碳纳米管
  • 6篇硫化钼
  • 6篇纳米管
  • 6篇纳米片
  • 6篇二硫化钼
  • 6篇铼
  • 6篇衬底
  • 6篇催化
  • 5篇气相沉积
  • 5篇迁移率
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 5篇硅衬底

机构

  • 49篇电子科技大学
  • 6篇北京大学

作者

  • 55篇李萍剑
  • 40篇陈远富
  • 38篇张万里
  • 25篇王泽高
  • 18篇刘竞博
  • 14篇戚飞
  • 10篇郝昕
  • 8篇王新强
  • 7篇贺加瑞
  • 5篇张琦锋
  • 5篇吴锦雷
  • 5篇李雪松
  • 5篇黄然
  • 4篇贺家瑞
  • 3篇周宇
  • 3篇刘兴钊
  • 3篇李猛
  • 2篇侯士敏
  • 2篇张文静
  • 2篇周婷

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 5篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 8篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2005
共 55 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多壁碳纳米管的掺氮改性及场效应管特性研究被引量：7
2005年
以二茂铁为前驱体,提供催化剂与部分碳源,三聚氰提供氮源与另外一部分碳源,在硅基底上制备出了碳纳米管阵列.碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm.碳纳米管的X射线光电子谱(XPS)在398.4eV处出现特征峰,表明为氮掺杂的碳纳米管.用其制备的场效应管在室温大气环境下稳定地表现为n型场效应特性,并且具有非常低的关闭状态电流(off-statecurrent)以及良好的负门电压对漏极电流的抑制作用,单位源漏偏压下漏极电流为100pA量级.实验中采用了源/漏电极不对称的绝缘层结构,使得门电压对源漏两极的电场调制也不对称,从而实现了对漏电极的门电压调制.
周晓龙柴扬李萍剑潘光虎孙晖申自勇张琦锋吴锦雷
关键词：碳纳米管掺杂输运
SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法
本发明涉及SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法。包括一作为真空腔体的气炼石英管，位于真空腔体内中间位置的.SiC衬底、感应加热石墨舟和碳毡保温层，所述SiC衬底位于石墨舟样品槽内，所述石墨舟位于碳毡保温层中部，所述碳毡...
陈远富郝昕李萍剑王泽高刘竞博张万里李言荣
一种制备高迁移率的n型单层硫掺杂石墨烯薄膜的方法
本发明公开了一种制备高迁移率的n型单层硫掺杂石墨烯薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明以二苄基二硫同时作为碳源和硫源，以氢气/氩气为载气，采用双温区的化学气相沉积法制备方式，在铜箔基底上制备了单层硫掺杂石墨烯薄...
周宇曹倪李萍剑
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石墨烯电致发光显示器件及其制造方法
本发明涉及石墨烯电致发光显示器件及其制造方法。石墨烯电致发光显示器件，包括发光层和介质层以及位于发光层和介质层两侧的下平板电极和上平板电极，其特征在于，所述下平板电极和上平板电极采用石墨烯。本发明还提供了石墨烯电致发光显...
陈远富王泽高李萍剑李言荣
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一种两步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法
发明名称：一种两步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法摘要：本发明公开了一种两步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明第一步通过化学气相沉积法制备厘米级结构可控的二硫化钼薄膜，第二步通过...
李猛白一廷李萍剑李雪松
一种超级电容器的石墨烯材料的制备方法
本发明涉及一种超级电容器的石墨烯材料的制备方法。包括如下步骤：步骤1：膨化石墨烯的制备：将1到2质量份的氧化石墨置于加热容器中，将加热容器密封，快速升温加热30-120s，制备0.5到1质量份的膨化石墨烯；步骤2：活化石...
陈远富黄然王泽高李萍剑贺家瑞张万里李言荣
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一种调控石墨烯/二硫化钼异质结中二硫化钼层数的方法
本发明公开了一种调控二硫化钼/石墨烯异质结中二硫化钼层数的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明以硫单质为硫源，以五氯化钼为钼源，其中硫源有1个，钼源1个，采用双温区的制备方式，在转有石墨烯的二氧化硅/硅衬底上制得二硫...
徐克赛周宇李萍剑
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一种制备二硫化铼薄膜的方法
本发明公开了一种制备二硫化铼薄膜的方法，属于新型二维纳米材料制备领域。本发明将硫粉、二硫化铼粉末和目标基底分别置于真空管式炉的炉膛前端、炉膛中心和炉膛后端，在真空条件下，通入氩气作为工作气体；通过控制加热带温度，使得硫粉...
陈远富戚飞郑斌杰李萍剑周金浩王新强张万里
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SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法
本发明涉及SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法。包括一作为真空腔体的气炼石英管，位于真空腔体内中间位置的.SiC衬底、感应加热石墨舟和碳毡保温层，所述SiC衬底位于石墨舟样品槽内，所述石墨舟位于碳毡保温层中部，所述碳毡...
陈远富郝昕李萍剑王泽高刘竞博张万里李言荣
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一种制备二硫化钼薄膜的方法
本发明提供一种制备二硫化钼薄膜的方法，在真空环境中，以钼金属颗粒和硫粉末为原料，通过双源蒸发法在目标基底上制备MoS<Sub>2</Sub>薄膜，调整钼、硫源的蒸发速率使Mo原子和S原子的含量之比为1:2，使得Mo原子和...
陈远富戚飞刘兴钊李萍剑郑斌杰张万里
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