您的位置: 专家智库 > >

王泽高

作品数:36 被引量:36H指数:2
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金四川省科技厅科技支撑计划项目国家大学生创新性实验计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 24篇石墨
  • 22篇石墨烯
  • 7篇电池
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇迁移率
  • 4篇导体
  • 4篇太阳能电池
  • 4篇碳化硅
  • 4篇碳化硅衬底
  • 4篇气相
  • 4篇气相沉积
  • 4篇气相沉积法
  • 4篇晶体管
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇化学气相沉积...
  • 4篇光电
  • 4篇硅衬底
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体薄膜

机构

  • 36篇电子科技大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 36篇王泽高
  • 32篇陈远富
  • 25篇李萍剑
  • 22篇张万里
  • 13篇刘竞博
  • 13篇郝昕
  • 5篇刘兴钊
  • 5篇黄然
  • 4篇贺家瑞
  • 2篇程凯
  • 2篇贺加瑞
  • 1篇吴宇
  • 1篇贾春阳
  • 1篇龚元
  • 1篇姚佰承
  • 1篇李言荣
  • 1篇陈鹏
  • 1篇延卫
  • 1篇郑树楠
  • 1篇程杨

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 8篇2013
  • 8篇2012
  • 7篇2011
  • 5篇2010
36 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法
一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法,属于材料技术领域。本发明在氩气辅助热裂解碳化硅制备外延石墨烯方法的基础上进行改进,在氩气辅助下热裂解碳化硅制备外延石墨烯过程中,通过增加一个若干气孔(5)的石墨罩(4)罩将碳化硅衬底...
陈远富郝昕王泽高李萍剑刘竞博张万里李言荣
文献传递
一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法
一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法,属于光电器件技术领域。包括Si面碳化硅衬底(1)、<Image file="DDA00002800637900011.GIF" he="24" imgContent="u...
陈远富郝昕王泽高李萍剑刘竞博张万里李言荣
文献传递
Cu掺杂TiO2及其纳米管的制备、表征与光催化性能被引量:27
2010年
通过溶胶-凝胶法和水热法制备了Cu掺杂TiO2纳米粉末及其纳米管,并通过XRD、TEM、FE-SEM、EDS、UV-Vis/DRS等手段分析了样品的结构。发现以Cu掺杂TiO2纳米粉末为水热反应原料制备的纳米管中不含Cu,对其原因进行了分析讨论并通过Zn掺杂TiO2纳米粉末证实:以金属掺杂TiO2纳米粉末为原料,通过水热法制备TiO2纳米管中不含有相应金属离子,这是由于金属离子在强碱水热条件下形成金属配离子,使金属离子溶解于水中而不能形成金属掺杂TiO2纳米管。对所得样品进行了光催化性能测试,发现:Cu掺杂TiO2粉末的光催化产氢效率为0.75μmol·(g·h)-1,高于由其本身及P25通过水热法制备的TiO2纳米管(分别为:0.42μmol·(g·h)-1,0.25μmol·(g·h)-1)的光催化产氢效率。
王泽高郑树楠贾春阳延卫
关键词:二氧化钛掺杂纳米管光催化
Si面6H-SiC衬底外延石墨烯的异常硝酸掺杂效应
2013年
比较研究了Si面、C面SiC外延石墨烯以及CVD石墨烯的硝酸掺杂效应。结果表明对C面SiC外延石墨烯和CVD石墨烯,硝酸掺杂显现出p型掺杂特性使其方阻降低,这是由于硝酸与石墨烯氧化还原反应过程中电荷转移所导致;而对于Si面SiC外延石墨烯,硝酸掺杂则显现出n型掺杂特性使其方阻增大,这种异常掺杂效应是由于硝酸与石墨烯发生氧化还原反应释放出的热量使悬挂键吸附的氧脱附,增强了石墨烯与衬底之间的耦合效应,从而使得电子浓度增大,电子的迁移率显著减小。
郝昕王泽高刘竞博田洪军
关键词:方阻电荷转移
一种双层石墨烯薄膜的制备方法
一种双层石墨烯薄膜的制备方法,属于薄膜材料技术领域。在经清洗的金属箔片上旋涂助催化剂,然后采用化学气相沉积法,在金属箔片上得到双层石墨烯薄膜;本方法利用引入助催化剂在金属箔片上制备的石墨烯为双层结构,双层石墨烯覆盖率大于...
陈远富刘竞博李萍剑王泽高张万里
文献传递
一种锂离子电池负极材料的制备方法
本发明涉及一种锂离子电池负极材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)将1质量份的化学液相还原石墨烯粉末添加到体积比为3:1的浓硫酸和浓硝酸的混合溶液中,在50~100℃容器中回流搅拌1~10h后,静置10~20h;...
陈远富黄然王泽高李萍剑贺家瑞张万里李言荣
文献传递
超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法
本发明提供一种超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法,采用化学气相沉积法,将设置有金属箔片的螺旋型或S型石英槽置于反应器内,通入碳氢化合物催化分解,在金属箔片上得石墨烯薄膜;在上述产物上附着有机胶体,得有机胶体/石墨烯/...
陈远富王泽高李言荣
一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法
一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法,属于材料技术领域。本发明在氩气辅助热裂解碳化硅制备外延石墨烯方法的基础上进行改进,在氩气辅助下热裂解碳化硅制备外延石墨烯过程中,通过增加一个若干气孔(5)的石墨罩(4)罩将碳化硅衬底...
陈远富郝昕王泽高李萍剑刘竞博张万里李言荣
文献传递
一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法
一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法,属于光电器件技术领域。包括Si面碳化硅衬底(1)、<Image file="DDA00002800637900011.GIF" he="22" imgContent="u...
陈远富郝昕王泽高李萍剑刘竞博张万里李言荣
文献传递
SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法
本发明涉及SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法。包括一作为真空腔体的气炼石英管,位于真空腔体内中间位置的.SiC衬底、感应加热石墨舟和碳毡保温层,所述SiC衬底位于石墨舟样品槽内,所述石墨舟位于碳毡保温层中部,所述碳毡...
陈远富郝昕李萍剑王泽高刘竞博张万里李言荣
文献传递
共4页<1234>
聚类工具0