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戚飞

作品数:20 被引量:1H指数:1
供职机构:电子科技大学更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 12篇纳米
  • 7篇纳米片
  • 6篇硫化
  • 6篇
  • 4篇电学
  • 4篇盐酸羟胺
  • 4篇一步合成
  • 4篇羟胺
  • 4篇硫化铼
  • 3篇溶剂
  • 3篇溶剂热
  • 3篇溶剂热法
  • 3篇热法
  • 3篇硫粉
  • 3篇硫化钼
  • 3篇二硫化钼
  • 3篇掺杂
  • 2篇电池
  • 2篇退火
  • 2篇气化

机构

  • 20篇电子科技大学

作者

  • 20篇戚飞
  • 19篇陈远富
  • 19篇张万里
  • 14篇李萍剑
  • 13篇王新强
  • 10篇贺加瑞
  • 5篇刘竞博
  • 3篇刘兴钊
  • 2篇林杰
  • 2篇于博
  • 2篇李谦
  • 1篇赵燕
  • 1篇刘科

年份

  • 4篇2018
  • 7篇2017
  • 6篇2016
  • 3篇2015
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法
本发明公开了一种垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法,包括如下步骤:(1)清洗衬底;(2)将衬底、硫粉和四氯化铪粉放入真空管式炉中;(3)将真空管式炉抽至高真空,通入氩气和氢气;(4)将管式炉依次升温、保温、降...
陈远富郑斌杰李萍剑戚飞刘竞博贺加瑞张万里
文献传递
二硫族二维半导体材料的制备及性能研究
二硫族化合物(MX2,M为钼、钨、铼等过渡族金属,X为硫、硒等)是继石墨烯之后发现的最重要二维半导体材料。因其独特的二维层状晶体结构,二硫族二维半导体材料具有优异的电学、光学、力学、电化学、催化等特性,在微电子、光电子、...
戚飞
关键词:半导体材料硫族化合物析氢反应
一种制备二硫化铼薄膜的方法
本发明公开了一种制备二硫化铼薄膜的方法,属于新型二维纳米材料制备领域。本发明将硫粉、二硫化铼粉末和目标基底分别置于真空管式炉的炉膛前端、炉膛中心和炉膛后端,在真空条件下,通入氩气作为工作气体;通过控制加热带温度,使得硫粉...
陈远富戚飞郑斌杰李萍剑周金浩王新强张万里
文献传递
一种制备二硫化钼薄膜的方法
本发明提供一种制备二硫化钼薄膜的方法,在真空环境中,以钼金属颗粒和硫粉末为原料,通过双源蒸发法在目标基底上制备MoS<Sub>2</Sub>薄膜,调整钼、硫源的蒸发速率使Mo原子和S原子的含量之比为1:2,使得Mo原子和...
陈远富戚飞刘兴钊李萍剑郑斌杰张万里
一种制备二硫化铼薄膜的方法
本发明公开了一种制备二硫化铼薄膜的方法,属于新型二维纳米材料制备领域。本发明将硫粉、二硫化铼粉末和目标基底分别置于真空管式炉的炉膛前端、炉膛中心和炉膛后端,在真空条件下,通入氩气作为工作气体;通过控制加热带温度,使得硫粉...
陈远富戚飞郑斌杰李萍剑周金浩王新强张万里
文献传递
一种硫锂电池用正极材料的制备方法
本发明公开了一种硫锂电池用正极材料的制备方法。本发明提供的制备方法是将硫化锂纳米化粒子嵌入到氮掺杂的金属有机物骨架中,通过控制工艺参数合理调控合成材料的结构参数,进而得到比表面积高、负载量高、导电性能良好的正极材料;本发...
陈远富林杰贺加瑞戚飞王新强于博张万里
文献传递
一种制备二硫化钼薄膜的方法
本发明提供一种制备二硫化钼薄膜的方法,在真空环境中,以钼金属颗粒和硫粉末为原料,通过双源蒸发法在目标基底上制备MoS<Sub>2</Sub>薄膜,调整钼、硫源的蒸发速率使Mo原子和S原子的含量之比为1:2,使得Mo原子和...
陈远富戚飞刘兴钊李萍剑郑斌杰张万里
文献传递
一种石墨烯包覆硫族单质的复合材料的制备方法
本发明公开了一种石墨烯包覆硫族单质的复合材料的制备方法,涉及纳米复合材料制备领域。本发明提供的制备方法采用喷雾干燥处理,使得石墨烯片层包覆硫族单质,在应用于锂离子电池电极时,能够有效缓冲硫族物质在电化学反应中的体积效应,...
陈远富林杰贺加瑞王新强于博戚飞郑斌杰周金浩赵燕刘科张万里
文献传递
二硒化钨纳米片的制备方法
本发明公开了二硒化钨纳米片的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明包括以下步骤:将硼氢化钠溶解于有机溶剂,相继加入硒粉和钨酸钠制得混合溶液;将所得混合溶液转移到反应釜中,在200℃~240℃下反应6~48小时;待反应...
陈远富王新强戚飞郑斌杰贺加瑞周金浩张万里
文献传递
一种制备硫掺杂石墨烯薄膜的方法
本发明公开了一种制备硫掺杂石墨烯薄膜方法,涉及新型二维纳米材料制备领域。本发明包括以下步骤:将金属衬底和噻蒽分别置于化学气相沉积系统反应腔室相互隔热的加热区;在真空条件下,向反应腔内通入混合气体;将金属衬底高温退火处理后...
陈远富周金浩刘竞博戚飞郑斌杰贺加瑞王新强李谦李萍剑张万里
共2页<12>
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