窦庆萍
- 作品数：17 被引量：12H指数：2
- 供职机构：暨南大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 一种基于MIMO-NOMA的增强型小蜂窝下行通信方法
- 本发明公开了一种基于MIMO‑NOMA的增强型小蜂窝下行通信方法，该方法包含以下步骤：首先，获取基站、NOMA用户以及NOMA配对策略等相关初始化参数以及信道的统计状态信息；然后利用干扰对齐技术进行NOMA远近用户的接收...
- 施政冯佳慧杨光华窦庆萍欧彬凯马少丹塞奥佐罗斯·特斯菲斯柳宁
- 一种新的电光系数的测量方法研究被引量：1
- 2008年
- 确定电光晶体的电光系数通常的方法是把电光晶体加工成规则的长方体进行测量.本文主要介绍如何对不规则形状立方氮化硼(cBN)晶体的电光系数的测量方法.cBN晶体是一种人工合成晶体,宏观点群对称性属于Td群,能够产生线性电光效应.但是合成的cBN晶体体积小,大约只有0.3mm×0.3mm×0.1mm,其硬度仅次于金刚石,不易将其加工成规则的长方体.根据cBN晶体的实际情况,进行理论推导,得到了适应于不规则形状的cBN晶体的线性电光系数的测量方法,并以此为指导,进行了实验测量,得到了cBN晶体的线性电光系数γ41=1.17×10-14m/V.
- 窦庆萍
- 关键词：线性电光效应
- 硅材料场致二阶非线性极化率张量的理论推导
- 本文应用并矢和张量运算及变换理论，分别推导出了硅材料在[001]及[011]晶向加电场后其等效的二阶非线性极化率张量的形式，证明此时硅材料的对称性分别降低为4mm和2mm点群对称性。
- 陈占国贾刚刘秀环张晓婷刘海波李海兰窦庆萍张玉红
- 关键词：硅材料晶向
- 文献传递
- 立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量被引量：2
- 2004年
- 宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶 体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压.
- 窦庆萍马海涛贾刚陈占国李海兰张晓婷张铁臣
- 关键词：线性电光效应半波电压
- 一种基于统计CSI的智能反射面的相移设计方法
- 本发明公开了一种基于统计CSI的智能反射面的相移设计方法，该方法包括以下步骤：首先，获取收发端与智能反射面(RIS)的参数配置、信道状态信息(CSI)的统计知识；然后利用统计CSI优化RIS的相位偏移使得中断概率最小；继...
- 施政杨光华窦庆萍李晓帆马少丹塞奥佐罗斯.特斯菲斯屈挺
- 文献传递
- 立方氮化硼二阶非线性光学性质及电致发光的研究
- 立方氮化硼(cBN)晶体是一种天然不存在的人造宽禁带半导体材料,禁带宽度大约为6.3eV,具有闪锌矿结构,宏观对称性属于43 m群。cBN晶体与金刚石很相似,但是在许多性质上cBN晶体都优于金刚石,如抗高温性,抗氧化性,...
- 窦庆萍
- 关键词：立方氮化硼二阶非线性光学效应电致发光
- 文献传递
- 关于宏代换函数的分析
- 2000年
- 举例说明宏代换函数的格式要求及其功能。
- 付本路窦庆萍
- 关键词：宏代换函数函数
- 立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光(英文)被引量：2
- 2006年
- 测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性,它们为非线性曲线.使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性,曲线的形状非常相似.在样品两端的电压值大约为560V时,cBN晶体发生电致发光现象.利用空间电荷限制电流和能谷间的电子跃迁解释了上述实验现象.
- 窦庆萍陈占国贾刚马海涛曹昆张铁臣
- 基于信息年龄的物联网通信方法、装置、设备及存储介质
- 本发明公开了一种基于信息年龄的物联网通信方法、装置、计算机设备及存储介质。该方法步骤如下：引入智能反射面(RIS)反射传感器信号给基站，运用增量冗余混合自动重发请求(HARQ‑IR)技术改善信号接收质量；基站端收集信道状...
- 施政宋子阳冯佳慧杨光华窦庆萍李晓帆塞奥佐罗斯.特斯菲斯马少丹
- 一种面向M2M通信的短包传输方法
- 本发明公开了一种面向移动到移动(M2M)通信的短包传输方法，该方法包含以下步骤：首先，获取M2M通信系统参数以及级联衰落信道环境参数；然后通过选择合适的调制后符号块长度来最大化有效吞吐量并给定平均误块率最大约束；最后利用...
- 施政杨光华窦庆萍李晓帆马少丹塞奥佐罗斯.特斯菲斯柳宁
- 文献传递
