张铁臣
- 作品数：68 被引量：103H指数：6
- 供职机构：吉林大学材料科学与工程学院超硬材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程电子电信金属学及工艺更多>>
- 大颗粒立方氮化硼单晶的合成被引量：3
- 1990年
- 在Mg-B-N 体系中通过控制立方氮化硼晶体的成核率及生长速度,在4.5～6.0GPa、1500-1900℃的高压高温条件下,在几分钟时间内,成功地获得了粒径达毫米量级的立方氮化硼单晶体,其最大单晶粒径达1.6mm。研究了该体系中立方氮化硼单晶的生长特性,讨论了该种单晶体在Mg-B-N
- 张铁臣邹广田郭伟力徐晓伟马文俊郭学斌
- 关键词：立方氮化硼单晶
- 不同颜色立方氮化硼的合成及耐热性的研究被引量：7
- 1990年
- 本文分别以金属镁粉、氯化镁粉以及镁粉与氮化镁粉的混合物为触媒,以六角氮化硼粉(96～98％含量)为原料,在高温高压下合成了颜色较纯正的黑色、桔黄色及白色立方氮化硼晶体。对上述三种不同颜色的立方氯化硼晶体进行了 TG-DTA分析及高温氧化实验。
- 张铁臣徐晓伟郭伟力马文骏郭学斌邹广田
- 关键词：立方氮化硼耐热性
- 在触媒生长cBN区观察到wBN晶粒
- 1996年
- 用高分辨率（０．２ｎｍ）电子显微镜，对ｈＢＮ－触媒体系经高温高压处理后的产物观察中，看到尺寸约为３０ｎｍ的微小颗粒，经电子衍射方法判定其具有纤锌矿结构，为ｗＢＮ的雏形晶粒。
- 张铁臣于三郭伟力刘建廷邹广田李冬妹
- 关键词：晶粒氮化硼
- 立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法
- 本发明涉及一种立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法，属于半导体元件的制备方法。该方法包括有合成半导体特性的立方氮化硼单晶片和制备掺杂的立方氮化硼薄膜，该立方氮化硼薄膜与立方氮化硼单晶片的半导体特性相反，所述的合成半...
- 杨大鹏李红东吉晓瑞杨旭昕李英爱张铁臣
- 文献传递
- YBa_2Cu_3O_(7-δ)系高温淬火样品在低温下结构的可逆变化
- 1989年
- 对YBa_2Cu_3O_(7-δ)系750℃淬火样品进行了低温X光衍射谱分析。结果表明,在低温下,样品的结构随温度发生了可逆变化。
- 张志林邹广田张志焜张铁臣高忠民
- 关键词：超导体淬火
- 表面改性石墨作原料的高压金刚石合成方法
- 本发明为一种用表面改性石墨作原料的高压金刚石合成方法。主要是以化学气相沉积的方法，在石墨片表面生长适当数量和尺寸的CVD金刚石作为晶种，再经组装、合成、化学处理、筛分选形工艺过程，生产大颗粒高压金刚石。由于CVD金刚石表...
- 金曾孙吕宪义张铁臣邹广田
- 文献传递
- 立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质P-N结的制备方法
- 本发明属一种半导体元件的制备方法，特别涉及c-BN/金刚石薄膜异质P-N结的制备方法。采用直接合成片状立方氮化硼单晶，再用热灯丝化学气相沉积方法，通过B掺杂在N型片状c-BN单晶衬底上生长P型金刚石薄膜中获得P-N型。N...
- 张铁臣高春晓王成新季艳菊邹广田
- 文献传递
- 用金属镁作触媒合成黄色立方氮化硼单晶的方法
- 本发明的用金属镁作触媒合成黄色立方氮化硼单晶的方法属超硬材料的合成方法。以六角氮化硼为原料,以金属镁为触媒,以氧化镁或氧化钙为添加剂,经混料—压注成形—装入石墨容器,制成组装块;将组装块放入压机腔体,经高温高压合成立方氮...
- 张铁臣望贤成邹广田
- 文献传递
- 高温高压合成立方氮化硼的热力学分析被引量：2
- 2009年
- 从热力学角度计算出了以六角氮化硼为原料、用高压触媒法合成立方氮化硼时所形成稳定的临界晶粒半径rk的大小,当p=6.0 GPa、T=1600℃时,rk≈15 nm。分析了rk的大小与合成温度、压力的关系,以及在给定压力下立方氮化硼晶粒转化率与温度的关系。结果表明:在立方氮化硼稳定区,在相同压力下,rk随温度的升高而增大;在相同温度下,rk随压力的升高而减小,rk越小立方氮化硼晶粒的转化率越高。计算结果与实际合成实验所得结果完全一致。
- 吉晓瑞杨大鹏杨晓红张铁臣
- 关键词：转化率
- 用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜被引量：1
- 2006年
- 本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜。岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来。同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶。
- 杨大鹏赵永年李英爱苏作鹏杜勇慧吉晓瑞杨旭昕宫希亮张铁臣
- 关键词：高结晶度生长速率
