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杜勇慧

作品数:17 被引量:34H指数:4
供职机构:北华大学物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金吉林省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域:理学化学工程一般工业技术天文地球更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 5篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 9篇氮化
  • 9篇氮化硼
  • 9篇立方氮化硼
  • 4篇CBN
  • 3篇添加剂
  • 3篇高温高压
  • 3篇LI
  • 3篇触媒
  • 2篇对立
  • 2篇球磨
  • 2篇结晶度
  • 2篇高温
  • 2篇B2O3
  • 1篇电压
  • 1篇电压偏差
  • 1篇调节法
  • 1篇压机
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化镁
  • 1篇应力

机构

  • 14篇吉林大学
  • 6篇北华大学
  • 1篇河南大学

作者

  • 17篇杜勇慧
  • 13篇张铁臣
  • 8篇苏作鹏
  • 7篇吉晓瑞
  • 7篇杨大鹏
  • 7篇宫希亮
  • 6篇杨旭昕
  • 2篇张伟森
  • 2篇李英爱
  • 2篇张志国
  • 1篇崔启良
  • 1篇赵永年
  • 1篇陈若辉
  • 1篇苏作朋
  • 1篇王少伟
  • 1篇张波波
  • 1篇杨旭新

传媒

  • 4篇金刚石与磨料...
  • 4篇高压物理学报
  • 4篇人工晶体学报
  • 2篇北华大学学报...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇白城师范学院...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 6篇2007
  • 5篇2006
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
NH_4F对Li_3N-hBN体系中合成CBN晶体的影响被引量:3
2007年
本文研究了在Li3N-hBN体系中加入不同量的NH4F后,对CBN晶体的合成的影响。结果表明,加入NH4F后,合成压力降低了约20%。分析以NH4F和Li3N混合粉末为原料的实验结果后推测:在高温高压条件下NH4F首先会分解为NH3和HF,HF进一步和Li3N反应生成更加稳定的LiF和NH3,其化学反应式可以写成:3NH4F+Li3N=3LiF+4NH3,这一过程通过X光衍射分析实验产物得到证实。为了考察LiF在合成立方氮化硼过程中的作用,我们用Li3N和NH4F反应所制得的LiF单独作触媒,在LiF-hBN体系中进行了CBN晶体的合成实验,结果表明在上述压力温度条件下,没有CBN晶体生成,即LiF不宜单独做触媒。尽管在NH4F与Li3N反应消中耗了Li3N-hBN体系中的作为触媒的Li3N,但是,合成压力仍有较大幅度的降低,表明少量氨的存在,使CBN晶体的形成更加容易。
宫希亮杨大鹏杜勇慧苏作鹏吉晓瑞杨旭昕张铁臣
关键词:CBN
准八面体CBN单晶的合成研究被引量:1
2007年
通过对原料、触媒及合成工艺的研究,采用国产DS-029B型六面顶压机在4.2—5.3GPa,1350。1470℃的范围内,从hBN-单质触媒体系中合成出近乎完美的黑色八面体和截角八面体立方氮化硼单晶体。确定了该种形态的CBN晶体的生长区域。CBN晶体的尺寸在100—400μm,峰值粒度为125—150μm。对所得的晶体进行考察,发现这种CBN晶体结晶形貌发育比较完整、棱角尖锐、晶粒饱满,并且有较高的抗压强度。上述结果表明所用的单质触媒具有使CBN晶体均匀生长的能力,是一种合成CBN晶体的有效触媒,该种CBN晶体具有较好的破碎强度。
杨旭昕杜勇慧杨大鹏吉晓瑞苏作鹏宫希亮张铁臣
关键词:八面体
在hBN—Li_3N—B体系中合成黑色立方氮化硼被引量:4
2007年
在高温高压条件下在hBN-Li_3N-B体系中合成黑色立方氮化硼,研究了添加B的影响.结果表明,在合成的富硼cBN晶体中,没有其它杂质;体系中加入B使合成出的晶体晶形相更完整.过量的B进入晶体是晶体颜色由黄色变成黑色主要原因,硼的进入抑制了cBN晶体沿〈111〉方向生长而有利于沿〈100〉方向生长,由原来的板状晶体变成类八面体状或类球形晶体.用掺B的方法合成的黑色晶体比未掺B的黄色晶体具有更小的残余应力,破碎强度更高.
杜勇慧张铁臣
关键词:材料合成与加工工艺立方氮化硼拉曼光谱应力
六角氮化硼的特性以及硼添加剂对立方氮化硼合成的影响
杜勇慧
关键词:立方氮化硼触媒六面顶压机人工合成材料添加剂
文献传递
通过恰当控制入射光强度来准确测量普朗克常量
2015年
为了消除因光电流曲线的变化率的差异对确定截止电压的影响,提出了通过恰当地控制入射光强度,使不同频率的光电流曲线的变化率相同;为了消除光电流曲线的起始位置和线性部分的倾斜程度不同对确定截止电压的影响,提出了采用"平行等距法"确定截止电压;为了抑制漂移对测量的影响,提出了适当降低仪器的灵敏度,提高仪器稳定性的测量原则.实验结果表明:采取这些措施,测量普朗克常量相对误差由2.5%可降到0.7%.
陈若辉杜勇慧张志国
关键词:零点漂移
用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜被引量:1
2006年
本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜。岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来。同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶。
杨大鹏赵永年李英爱苏作鹏杜勇慧吉晓瑞杨旭昕宫希亮张铁臣
关键词:高结晶度生长速率
初始原料hBN的结晶度及添加剂对cBN合成的影响
2010年
在压力为4.5-5 GPa,温度为1 500-1 700℃内,以Li3N为触媒研究了结晶程度不同的hBN在有或无添加剂LiH情况下对cBN合成难易程度的影响.通过X-光谱对初始原料进行了分析并用显微镜观察了合成产物.结果表明:在不添加LiH的情况下,结晶度高的hBN较容易合成cBN,而添加LiH后,与上述结果相反,结晶度较低的hBN较容易形成cBN.
杜勇慧张伟森
关键词:CBN结晶度添加剂
化学反应直接成核生长立方氮化硼被引量:2
2007年
本文用B2O3和单质B作为B源分别与Li3N作用,通过化学反应在低于Li3N-hBN体系合成CBN件下合成出了CBN晶体。在上述反应中最低合成条件分别为4.0 GPa-1400℃和4.5 GPa-1450℃。由于初始材料中不含BN,所以CBN晶体成核方式为化合物之间或化合物与单质间的化学键重组直接成核而非传统的从sp2杂化的hBN向sp3杂化的CBN相转化过程。实验证明,化学键重组成核所需能量要小于相转化成核所需能量。利用含有硼、氮原子的化合物之间在高温高压下的化学反应直接成核是制备CBN晶体的有效方法。
吉晓瑞苏作鹏杜勇慧杨大鹏杨旭昕宫希亮张铁臣
关键词:HPHT化学反应CBN
分光计的一种快速精确调节法
2010年
分光计是测量三棱镜折射率的主要仪器,使用中的难点在于调节望远镜主轴与仪器主轴的垂直关系.提出利用平面镜和三棱镜共同调节的方法,达到了实验的要求,相比单一用平面镜或三棱镜调节的方法,这种方法更快速,更精确.
杜勇慧韦茵洁
关键词:分光计三棱镜
片状h-BCN化合物的高温高压化学合成与表征
2007年
以高温烧结三聚氰胺制得的CNH化合物为C、N源,与分析纯单质硼粉以一定比例混合,在5.0~5.5 GPa、1 400~1 500℃高温高压条件下,经化学反应合成了六角硼碳氮(h-BCN)晶体。用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对产物进行了表征,结果表明,得到了含碳量较高的六方结构B0.18C0.66N0.16化合物,成分接近于BC4N,硼、碳、氮是以原子化合的形式存在;XRD分析确定该合成产物具有六角网状结构;SEM测量结果表明,B-C-N晶体具有片状六角形貌,尺寸在1μm左右。
杨大鹏李英爱杜勇慧苏作鹏吉晓瑞杨旭昕宫希亮张铁臣
关键词:高温高压
共2页<12>
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