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陈邦明

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 19篇半导体
  • 19篇半导体器件
  • 9篇集成度
  • 8篇半导体材料
  • 7篇体效应
  • 7篇漏电
  • 7篇浮体效应
  • 7篇衬底
  • 6篇自热效应
  • 6篇隔离沟槽
  • 5篇介电
  • 5篇介电常数
  • 4篇叠层
  • 4篇堆叠
  • 4篇空腔
  • 4篇功耗
  • 3篇氧化物
  • 3篇体硅
  • 3篇阻挡层
  • 3篇刻蚀

机构

  • 22篇中国科学院微...

作者

  • 22篇闫江
  • 22篇许静
  • 22篇唐波
  • 22篇陈邦明
  • 19篇唐兆云
  • 18篇王红丽
  • 17篇李春龙
  • 15篇杨萌萌

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 14篇2016
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种刻蚀方法
本发明提供了一种刻蚀方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一掩膜；覆盖第二掩膜材料，并在其上形成第三掩膜；刻蚀第二掩膜材料，以在第一掩膜的侧壁上形成侧墙掩膜，以及在第三掩膜下形成额外掩膜；去除第三掩膜以及暴露的第一...
王红丽陈邦明唐波闫江徐烨锋许静
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括第一器件区域：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位...
唐波许静闫江王红丽唐兆云徐烨锋李春龙陈邦明杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，叠层间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分别形成...
徐烨锋闫江陈邦明唐兆云唐波许静李春龙
半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为器件形成区域；隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；空腔，位于第三半导体层的源漏区...
许静闫江陈邦明王红丽唐波唐兆云徐烨锋李春龙杨萌萌
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半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底具有第一半导体层；在第一半导体层上形成图案化的第二半导体层和第三半导体层堆叠，堆叠上具有第一氧化阻挡层，堆叠两侧为隔离沟槽；从第二半导体层的端部去除部分的...
唐波许静闫江王红丽唐兆云徐烨锋李春龙陈邦明杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，叠层间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分...
徐烨锋闫江陈邦明唐兆云唐波许静
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半导体衬底、器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体衬底的制造方法，包括：提供体衬底；刻蚀衬底，以形成有源区和沟槽，有源区的表面上形成有掩膜层；继续刻蚀衬底，以在有源区下形成开口；填充沟槽及开口，以形成隔离和绝缘层。由于绝缘层的存在，明显减小了器件的...
许静闫江唐兆云王红丽唐波徐烨锋李春龙杨萌萌陈邦明
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括第一器件区域：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位...
唐波许静闫江王红丽唐兆云徐烨锋李春龙陈邦明杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底上的MOS器件；MOS器件之间的隔离；隔离区域上的电阻结构；覆盖MOS器件及电阻结构的介质层。采用本发明的器件，在MOS器件受到损伤，尤其是栅极的损伤缺陷时，通过给电...
许静闫江陈邦明王红丽唐波徐烨锋
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括：第一区域具有：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为第一器件形成区域；第一隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；空腔，位...
许静闫江陈邦明王红丽唐波唐兆云徐烨锋李春龙杨萌萌
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共3页<123>
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