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唐兆云

作品数：75 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 74篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 55篇半导体
  • 54篇半导体器件
  • 25篇衬底
  • 14篇刻蚀
  • 14篇空腔
  • 13篇栅极
  • 13篇集成度
  • 12篇叠层
  • 12篇沟槽
  • 11篇沟道
  • 10篇掩模
  • 10篇埋氧层
  • 10篇背栅
  • 8篇堆叠
  • 8篇阈值电压
  • 8篇埋层
  • 8篇半导体材料
  • 7篇体效应
  • 7篇漏电
  • 7篇浮体效应

机构

  • 75篇中国科学院微...

作者

  • 75篇唐兆云
  • 65篇闫江
  • 53篇唐波
  • 50篇许静
  • 37篇王红丽
  • 26篇杨萌萌
  • 24篇李春龙
  • 19篇陈邦明
  • 9篇李俊峰
  • 4篇赵超
  • 4篇霍宗亮
  • 4篇李峻峰
  • 4篇高建峰
  • 2篇王大海
  • 2篇殷华湘
  • 2篇王桂磊
  • 2篇杨涛
  • 2篇尹海洲
  • 2篇朱慧珑
  • 2篇罗军

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 20篇2018
  • 2篇2017
  • 28篇2016
  • 3篇2015
  • 13篇2014
  • 1篇2013
共 75 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在部分衬底上形成第一半导体层，在衬底及第一半导体层上形成第二半导体层，衬底上形成隔离，其中，第一半导体层包括位于部分有源区内的第一部分和向栅极端部方向延伸...
徐烨锋闫江唐兆云唐波许静
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个堆叠结构，包括衬垫层、牺牲层和第一硬掩模层；在多个堆叠结构周围形成第二硬掩模层构成的多个第一侧墙以及第三硬掩模层构成的多个第二侧墙；形成层间介质层，去除多个第二侧...
唐兆云闫江
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，衬底中形成有所述叠层的隔离结构；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔...
徐烨锋闫江唐兆云唐波许静
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半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底具有第一半导体层；在第一半导体层上形成图案化的第二半导体层和第三半导体层堆叠，堆叠上具有第一氧化阻挡层，堆叠两侧为隔离沟槽；从第二半导体层的端部去除部分的...
唐波许静闫江王红丽唐兆云徐烨锋李春龙陈邦明杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，叠层间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分...
徐烨锋闫江陈邦明唐兆云唐波许静
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半导体衬底、器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体衬底的制造方法，包括：提供体衬底；刻蚀衬底，以形成有源区和沟槽，有源区的表面上形成有掩膜层；继续刻蚀衬底，以在有源区下形成开口；填充沟槽及开口，以形成隔离和绝缘层。由于绝缘层的存在，明显减小了器件的...
许静闫江唐兆云王红丽唐波徐烨锋李春龙杨萌萌陈邦明
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供SOI衬底，衬底中形成有隔离；在衬底上形成器件结构；在衬底的顶层硅中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除至少部分的埋氧层，以至少在器件结构的栅极下形成空腔；在空腔及刻蚀孔的...
徐烨锋闫江唐兆云唐波许静
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成假栅极堆叠；在假栅极堆叠侧面形成非晶或者多晶结构的前驱层；退火，使得前驱层转变为单晶结构的种晶层；对种晶层掺杂形成源漏区。依照本发明的半导体器件制造方法，利用精细线条...
唐兆云闫江唐波许静王红丽
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一种半导体器件的制造方法
本发明提供一种半导体器件的制造方法，在体衬底上的器件区域上形成第一外延层，器件区域的第一外延层中形成有外延柱，并在外延柱和第一外延层上形成第二外延层，而后，去除第一外延层，而后通过氧化工艺，将外延柱充分氧化，同时去除第二...
许静罗军唐兆云唐波王红丽
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成半导体器件；在半导体器件上形成保护层，保护层材质为具有张应力的氮化硅；对半导体器件执行退火；采用HF基腐蚀液湿法去除保护层。依照本发明的半导体器件制造方法，通过采用H...
秦长亮尹海洲唐兆云李俊峰赵超
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