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王红丽

作品数：48 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 47篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 34篇半导体
  • 33篇半导体器件
  • 16篇衬底
  • 12篇集成度
  • 11篇刻蚀
  • 9篇埋氧层
  • 8篇半导体材料
  • 7篇体效应
  • 7篇漏电
  • 7篇沟道
  • 7篇浮体效应
  • 6篇叠层
  • 6篇自热效应
  • 5篇堆叠
  • 5篇体硅
  • 5篇介电
  • 5篇介电常数
  • 5篇绝缘体上硅
  • 5篇光刻
  • 4篇栅极

机构

  • 48篇中国科学院微...
  • 1篇清华大学
  • 1篇枣庄学院

作者

  • 48篇王红丽
  • 42篇唐波
  • 41篇闫江
  • 40篇许静
  • 37篇唐兆云
  • 26篇杨萌萌
  • 21篇李春龙
  • 18篇陈邦明
  • 4篇李俊峰
  • 3篇李峻峰
  • 2篇王大海
  • 2篇李永亮
  • 2篇王文武
  • 2篇罗军
  • 2篇高建峰
  • 2篇李俊杰
  • 1篇田中俊
  • 1篇向采兰
  • 1篇黄晓兰
  • 1篇朱慧珑

传媒

  • 1篇内蒙古师范大...

年份

  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 9篇2018
  • 2篇2017
  • 20篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2005
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀至少去除器件结构的栅...
唐兆云闫江徐烨锋唐波王红丽许静杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底上的MOS器件；MOS器件之间的隔离；隔离区域上的电阻结构；覆盖MOS器件及电阻结构的介质层。采用本发明的器件，在MOS器件受到损伤，尤其是栅极的损伤缺陷时，通过给电...
许静闫江陈邦明王红丽唐波徐烨锋
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供SOI衬底；在衬底上形成器件结构；去除器件结构的栅极，直至暴露顶层硅，以形成栅开口；沿顶层硅的(111)晶面进行刻蚀，以在栅开口下形成沟槽；填充栅开口及沟槽，以重新形成栅极...
许静闫江王红丽唐波唐兆云徐烨锋李春龙杨萌萌
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一种刻蚀方法
本发明提供了一种刻蚀方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一掩膜；覆盖第二掩膜材料，并在其上形成第三掩膜；刻蚀第二掩膜材料，以在第一掩膜的侧壁上形成侧墙掩膜，以及在第三掩膜下形成额外掩膜；去除第三掩膜以及暴露的第一...
王红丽陈邦明唐波闫江徐烨锋许静
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IC-CAM系统的自动定时报表
2005年
介绍了IC-CAM系统及其自动定时报表功能,以及实现定时报表的数据库触发器和过程的基本原理.通过实例给出用触发器和过程实现定时报表的工作过程.
田中俊王红丽黄晓兰向采兰
关键词：集成电路触发器报表
一种半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在衬底中形成背栅掺杂区；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔...
闫江唐兆云唐波王红丽许静徐烨锋杨萌萌李俊峰
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括第一器件区域：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位...
唐波许静闫江王红丽唐兆云徐烨锋李春龙陈邦明杨萌萌
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为器件形成区域；隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；空腔，位于第三半导体层的源漏区...
许静闫江陈邦明王红丽唐波唐兆云徐烨锋李春龙杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在衬底中形成背栅掺杂区；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔...
闫江唐兆云唐波王红丽许静徐烨锋杨萌萌李俊峰
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半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底具有第一半导体层；在第一半导体层上形成图案化的第二半导体层和第三半导体层堆叠，堆叠上具有第一氧化阻挡层，堆叠两侧为隔离沟槽；从第二半导体层的端部去除部分的...
唐波许静闫江王红丽唐兆云徐烨锋李春龙陈邦明杨萌萌
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