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黄琳华

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 10篇集电区
  • 8篇电阻
  • 7篇LIGBT
  • 6篇导通
  • 6篇损耗
  • 6篇漂移区
  • 6篇高阻
  • 6篇功率半导体
  • 6篇功率半导体器...
  • 6篇关断
  • 6篇关断损耗
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体器件
  • 5篇短路
  • 5篇阳极
  • 4篇导通压降
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇多晶硅电阻
  • 4篇重掺杂

机构

  • 21篇电子科技大学

作者

  • 21篇黄琳华
  • 20篇罗小蓉
  • 18篇邓高强
  • 17篇张波
  • 16篇孙涛
  • 11篇刘庆
  • 10篇周坤
  • 4篇魏杰
  • 2篇吴俊峰
  • 2篇马达
  • 2篇葛薇薇

年份

  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 6篇2017
  • 5篇2016
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有超结的RB-IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有超结的RB‑IGBT。本发明相对于传统结构，主要提出了在漂移区中设置超结结构和增加集电极槽，由于超结结构的存在，使得其纵向电场近似为矩形分布。传统NPT结构由于不存在超结结构...
罗小蓉黄琳华周坤邓高强张波
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一种具有阳极短路槽的RB‑IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极短路槽的RB‑IGBT。本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极增加阳极短路槽，短路槽在正向耐压时起到电场截止的作用，使得电场近似矩形分布。传统NPT结构的纵向电场近似为三角...
罗小蓉孙涛黄琳华邓高强周坤张波
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IGBT阳极端电势控制技术与新结构研究
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）具有高速度、低功耗等优点,是电力电子系统中的核心器件。横向IGBT器件（Lateral IGBT,LIGBT）易于集成,常应用在单片集成功率芯...
黄琳华
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一种逆导型IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT，其技术方案是：在N型高阻半导体材料表面形成P型区，所述P型区表面并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中部形成贯穿P型区且底部...
罗小蓉邓高强周坤刘庆黄琳华孙涛张波
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一种短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有交替NP耐压缓冲层结构的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统的短路阳极LIGBT相比，无高浓度的场截止层，而在阳极区域引入交替分布的N型岛区和P型岛区。在正向阻断时，P型岛区...
罗小蓉赵哲言邓高强黄琳华孙涛张波
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一种逆导型IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT，其技术方案是：在N型高阻半导体材料表面形成P型区，所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中具有介质...
罗小蓉邓高强周坤刘庆孙涛黄琳华张波
一种具有双栅的RC-IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有双栅RC‑IGBT。本发明相对与传统结构，主要在底部集电区引入第二沟槽栅。新器件正向导通时，由于第二沟槽栅相对于集电极加一负电压，使第二沟槽栅外围形成P反型层，增加了注入面积...
罗小蓉黄琳华邓高强张波
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一种槽栅短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种槽栅短路阳极SOI LIGBT。与传统的短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，且在N+阳极区正下方引入P体区；阴极区引入槽栅和连接阴极的阴极槽。器件关断时，阳极槽接...
罗小蓉赵哲言黄琳华邓高强孙涛张波
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一种逆导型IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT，其技术方案是：在N型高阻半导体材料表面形成P型区，所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中具有介质...
罗小蓉邓高强周坤刘庆孙涛黄琳华张波
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一种具有双栅的RC‑IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有双栅RC‑IGBT。本发明相对与传统结构，主要在底部集电区引入第二沟槽栅。新器件正向导通时，由于第二沟槽栅相对于集电极加一负电压，使第二沟槽栅外围形成P反型层，增加了注入面积...
罗小蓉黄琳华邓高强张波
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