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刘庆
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21
被引量:2
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
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文化科学
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合作作者
黄琳华
电子科技大学
孙涛
电子科技大学
罗小蓉
电子科技大学
邓高强
电子科技大学
张波
电子科技大学
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作者
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刘庆
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孙涛
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一种三栅功率LDMOS
本发明属于功率半导体器件领域,涉及一种基于体硅技术的横向三栅功率LDMOS。本发明主要特点为:具有三栅结构和可以与源或栅或外加电极电气相连的第二导电材料。本发明主要优势如下:三栅结构增加了沟道密度,降低了沟道电阻,从而使...
罗小蓉
葛薇薇
吴俊峰
马达
吕孟山
黄琳华
刘庆
孙涛
文献传递
湖南广播电视大学直属分校网络学习监控系统的设计与实现
网络学习监控系统是一个为学生和教师的教学活动进行计划、检查、评价、反馈、控制和调节的网络平台。开发这样的系统对远程教育具有非常重要的价值和意义。本文以“电大分校在线远程教学平台”为基础,采用ASP.NET3.5技术、AD...
刘庆
关键词:
软件设计
教学质量
文献传递
平舆县信用社对公客户信贷管理系统设计与实现
由于银行的呆账和坏账比例持续上升,国内银行开始认真考虑信贷风险管理这个重要的问题。通过对银行信贷风险的积极控制,信贷风险管理系统可以给银行带来更高的回报。风险意识和责任意识严重不足是银行普遍存在的最大的风险。鉴于这样的实...
刘庆
关键词:
商业银行
J2EE平台
风险管理
文献传递
一种逆导型IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT,其技术方案是:在N型高阻半导体材料表面形成P型区,所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中具有介质...
罗小蓉
邓高强
周坤
刘庆
孙涛
黄琳华
张波
文献传递
一种可重构的光控制铁电极化翻转器件及其制备方法
本发明公开了一种可重构的光控制铁电极化翻转器件及其制备方法,本发明涉及铁电光电子领域。该器件由下至上依次包括支撑衬底、二维绝缘衬底、漏电极、铁电介质层和源电极。本发明的器件由铁电介质层吸收大于材料带隙波长的光,产生光生载...
刘富才
梁磊
刘庆
一种基于二维半导体的光突触电子器件及其制备方法
本发明公开了一种基于二维半导体的光突触电子器件及其制备方法。该光突触电子器件的构成包括衬底层、栅极层、介质层以及作为沟道材料的二维半导体材料。在器件单元中,设计了三个关键输出端口,其中源极输出端口标记为电极一,漏极输出端...
刘富才
王金勇
刘庆
一种逆导型IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT,其技术方案是:在N型高阻半导体材料表面形成P型区,所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中具有介质...
罗小蓉
邓高强
周坤
刘庆
孙涛
黄琳华
张波
逆阻型IGBT机理与新结构研究
逆阻型(Reverse Blocking,RB)IGBT具有双向耐压能力,在T型逆变器、矩阵逆变器应用中可降低系统元件数、损耗和冗余度,有效提高系统电能转换效率和可靠性。NPT IGBT在长的漂移区下能实现双向阻断能力,...
刘庆
关键词:
阻断电压
关断损耗
文献传递
一种高可靠性的SOI‑LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域,具体涉及一种高可靠性的SOI‑LIGBT。本发明相比于传统的LIGBT,在P+集电区附近引入一个N+集电区和多晶硅电阻区,又在发射极端引入槽形发射电极。新器件可实现如MOSFET的耐压机理,...
罗小蓉
黄琳华
邓高强
周坤
魏杰
孙涛
刘庆
张波
金属氧化物半导体光电探测器新结构研究
近年来,日盲紫外探测器在民用和军事应用中受到了广泛关注,如导弹跟踪、短距离安全通信和臭氧层空洞检测。宽禁带半导体材料适合制造日盲紫外探测器。其中,β-Ga2O3的带隙约4.9eV,具有高化学稳定性、高机械强度和高击穿电场...
刘庆
关键词:
紫外光电探测器
分子束外延
光电响应
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