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邓高强

作品数：37 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 15篇LIGBT
  • 12篇损耗
  • 12篇集电区
  • 12篇关断
  • 12篇关断损耗
  • 11篇阳极
  • 10篇导通
  • 10篇IGBT
  • 9篇导通压降
  • 8篇半导体
  • 7篇短路
  • 7篇漂移区
  • 6篇电阻
  • 6篇高阻
  • 6篇功率半导体
  • 6篇功率半导体器...
  • 6篇半导体器件
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 4篇电位

机构

  • 37篇电子科技大学

作者

  • 37篇邓高强
  • 36篇罗小蓉
  • 25篇张波
  • 23篇孙涛
  • 18篇黄琳华
  • 17篇周坤
  • 15篇魏杰
  • 9篇刘庆
  • 5篇杨洋
  • 5篇吴俊峰
  • 4篇张森
  • 4篇李聪聪
  • 3篇苏伟
  • 2篇宋旭
  • 2篇李杰
  • 2篇张彦辉
  • 2篇马达
  • 1篇张科
  • 1篇李聪
  • 1篇张凯

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 7篇2016
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有交替NP耐压缓冲层结构的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统的短路阳极LIGBT相比，无高浓度的场截止层，而在阳极区域引入交替分布的N型岛区和P型岛区。在正向阻断时，P型岛区...
罗小蓉赵哲言邓高强黄琳华孙涛张波
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一种逆导型IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT，其技术方案是：在N型高阻半导体材料表面形成P型区，所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中具有介质...
罗小蓉邓高强周坤刘庆孙涛黄琳华张波
一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，其导电材料里面是高浓度的P型掺杂，且在槽壁一侧引入低浓度的N型掺杂区；...
罗小蓉杨洋魏杰欧阳东法王晨霞樊雕赵哲言孙涛邓高强
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一种具有双栅的RC-IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有双栅RC‑IGBT。本发明相对与传统结构，主要在底部集电区引入第二沟槽栅。新器件正向导通时，由于第二沟槽栅相对于集电极加一负电压，使第二沟槽栅外围形成P反型层，增加了注入面积...
罗小蓉黄琳华邓高强张波
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一种槽栅短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种槽栅短路阳极SOI LIGBT。与传统的短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，且在N+阳极区正下方引入P体区；阴极区引入槽栅和连接阴极的阴极槽。器件关断时，阳极槽接...
罗小蓉赵哲言黄琳华邓高强孙涛张波
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一种具有集成NMOS管的LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成NMOS管的LIGBT器件。本发明主要特征在于：在P+集电区附近引入一个N+集电区，并在集电区上方集成了NMOS管，该MOS管通过一层绝缘介质与下方的集电区隔离开，一端与集电...
杨可萌戴恺纬罗小蓉马臻邓高强魏杰李聪聪张森李杰
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一种具有超结的RB-IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有超结的RB‑IGBT。本发明相对于传统结构，主要提出了在漂移区中设置超结结构和增加集电极槽，由于超结结构的存在，使得其纵向电场近似为矩形分布。传统NPT结构由于不存在超结结构...
罗小蓉黄琳华周坤邓高强张波
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一种具有阳极短路槽的RB‑IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极短路槽的RB‑IGBT。本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极增加阳极短路槽，短路槽在正向耐压时起到电场截止的作用，使得电场近似矩形分布。传统NPT结构的纵向电场近似为三角...
罗小蓉孙涛黄琳华邓高强周坤张波
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一种横向IGBT的制造方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT的制造方法。本发明横向IGBT制造方法的主要步骤为：在SOI材料的有缘层表面通过局部氧化工艺形成介质槽，所述介质槽底部与绝缘层上表面之间有源层的厚度为T(T>0...
罗小蓉邓高强孙涛张波
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一种分裂栅功率MOS器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种分裂栅功率MOS器件。本发明与传统的分裂栅功率MOS相比，引入高K介质作为屏蔽栅的栅介质层，且将屏蔽栅上方的控制栅一分为二。器件在正向阻断时，高K介质增强辅助耗尽漂移区，提高了漂移区...
罗小蓉赵哲言邓高强张凯孙涛杨洋张波
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