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刘沛

作品数:11 被引量:28H指数:3
供职机构:中国航天更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

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主题

  • 2篇氧化物半导体
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作者

  • 11篇刘沛
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传媒

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  • 1篇微电子学
  • 1篇电子与封装

年份

  • 2篇2024
  • 8篇2018
  • 1篇2012
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料被引量:9
2018年
研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH_3/H_2混合气体与H_2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研究结果表明,NH_3/H_2能够抑制GaN的分解,避免粗糙表面,但不利于去除表面的杂质,黄光带峰相对强度较高;H_2促进GaN分解,随时间延长GaN分解加剧,导致模板表面粗糙不平,AlGaN/GaN HEMT材料二维电子气迁移率降低.采用NH_3/H_2混合气体与H_2交替气氛模式处理模板或衬底表面,能够清洁表面,去除表面杂质,获得平滑的生长表面和外延材料表面,有利于提高AlGaN/GaN HEMT材料电学性能.在GaN衬底上外延AlGaN/GaN HEMT材料,2DEG迁移率达到2113 cm^2/V·s,电学性能良好.
张志荣房玉龙尹甲运郭艳敏王波王元刚李佳芦伟立高楠刘沛冯志红
关键词:金属有机物化学气相沉积氮化镓
陶瓷表面状态对底部填充胶流动性影响研究被引量:6
2018年
由于陶瓷外壳表面会做氧化铝涂层,这种处理会对底部填充胶的扩散性能造成影响。研究了底部填充胶在不同表面状态的陶瓷外壳上的扩散状态。这对底部填充工艺的发展具有重要的意义。
李菁萱刘沛练滨浩林鹏荣黄颖卓
关键词:等离子清洗陶瓷封装
基于内嵌式微通道芯片散热结构设计研究综述
2024年
电子芯片/系统的尺寸微型化、功能复合化导致了其功率密度的增大,伴随着发热也越来越严重,如何应对电子芯片/系统逐渐增加的热流密度,成为散热设计中面临的巨大挑战,也是当前研究的热点。本文详细论述了传统散热技术的优缺点,对国内外正在开展的内嵌式微通道散热结构进行了系统分析,并着重对基于内嵌式微通道芯片散热技术原理、散热性能和创新性解决方案进行了归纳总结。在分析当前国内外解决方案的基础上,总结了基于内嵌式微通道的芯片散热设计经验和结论,以及面临的挑战,基于此给出了芯片散热设计研究现状和发展方向。
熊园园刘沛付予焦斌斌芮二明
关键词:热流密度散热结构
基于质量保证前移的TSV硅转接板检验评价方法
2024年
TSV作为目前公认最先进的新型高密度封装工艺之一,其结构工艺极为复杂,当前国内鲜有大规模应用及工程适用的质量与可靠性评价方法,相关统一标准尚未完全建立。本文以目前相对成熟并已形成行业共识的2.5D封装中TSV硅转接板为对象,结合其工艺结构特点以及实际产品生产试验的一线数据,研究提出了基于保证前移TSV硅转接板质量检验及可靠性评价方法,为TSV工艺产品的工艺质量监控、检验评价、可靠性保证及相关标准规范制定提供了一套成熟的解决方案。
刘莹莹刘沛付琬月付予张立康
关键词:TSV
斯特林制冷机技术研究进展综述被引量:8
2018年
介绍了国内外长寿命斯特林制冷机技术的研究进展及其应用情况,并对影响斯特林制冷机工程应用的工作寿命和可靠性进行了简要分析。综述了国内外斯特林制冷机技术的发展现状。
饶启超任博文刘沛迟国春
关键词:斯特林制冷机工作寿命可靠性
退火气氛对p-GaN材料及其欧姆接触性能的影响
2018年
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备了Mg掺杂的p-GaN外延材料,并在不同气氛下对其进行退火,系统研究了不同退火气氛对p-GaN材料性质及欧姆接触性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)对样品进行测试和表征。结果表明,不同气氛退火均能降低p-GaN材料的XRD半高宽,改善其晶体质量,并提高其迁移率;此外,相较于纯N2和纯O2,空气气氛退火的p-GaN材料的空穴浓度最高,欧姆接触性能最优,其比接触电阻率可低至4.49×10(-4)Ω·cm^2。分析认为:空气气氛退火减少了p-GaN中的氮空位,降低了自补偿效应;空气中的O2与H结合,抑制了H的钝化效应,提高了Mg的激活率,进而改善了p-GaN材料的欧姆接触特性。
郭艳敏郭艳敏房玉龙尹甲运刘沛张志荣王波冯志红
关键词:P-GAN快速退火欧姆接触比接触电阻率
基于HfO2栅介质的Ga2O3 MOSFET器件研制被引量:2
2018年
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在(010)Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层。基于掺杂浓度为2.0×1018cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材料,采用原子层沉积的25 nm的HfO2作为栅下绝缘介质层,研制出Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。器件展示出良好的电学特性,在栅偏压为8 V时,漏源饱和电流密度达到42 m A/mm,器件的峰值跨导约为3.8 m S/mm,漏源电流开关比达到108。此外,器件的三端关态击穿电压为113 V。采用场板结构并结合n型Ga2O3沟道层结构优化设计能进一步提升器件饱和电流和击穿电压等电学特性。
韩婷婷吕元杰刘沛敦少博顾国栋冯志红
关键词:FE掺杂
碲镉汞p型接触孔低损伤干法刻蚀技术研究被引量:2
2018年
对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究,采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析刻蚀后样品的表面形貌,利用伏安特性曲线分析刻蚀样品的表面损伤。实验结果表明,干法刻蚀工艺极易造成碲镉汞p型接触孔表面反型,提出了一种新型的干法混合刻蚀技术,该技术通过两步干法刻蚀工艺实现,有效地降低了刻蚀引入的表面损伤。
宁提陈慧卿谭振张敏刘沛
关键词:碲镉汞感应耦合等离子体刻蚀
军用射频集成电路技术发展趋势
2018年
目前,美国仍然占据世界国防军事微电子科学技术的主导地位,是军用微电子发展战略思想的引领者。长期以来,美国国防高级研究计划局(DARPA)策划并成功组织实施了许多先进军用集成电路发展项目。射频集成电路(RFIC)是实现通信、雷达、电子战系统的关键器件,是DARPA大力发展的重要技术之一。通过分析DARPA军用RFIC系列项目的现状和未来发展规划,提出了高速、高频、宽带、智能化的RFIC技术发展趋势。
刘沛王健安赖凡
关键词:射频集成电路DARPA智能化
技术标准中知识产权问题探析被引量:1
2012年
概述知识产权与技术标准的关系,研究美国、欧盟等相关标准化组织的专利政策,介绍我国国家标准中相关专利政策,结合我国国情和标准的特点,对我国宇航标准体系有关的专利政策进行初步规划并提出了处置方案。
王姝刘沛
关键词:技术标准知识产权
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