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李文
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毛儒炎
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2001
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多层硅外延生长技术研究
本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等工艺流程.它所提供的外延片已成功地应用于3、4英寸电路的生产中.
李智囊
毛儒炎
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硅
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