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李智囊

作品数：10 被引量：11H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 2篇氧化层
  • 2篇锗硅
  • 2篇湿法
  • 2篇双极工艺
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子机械
  • 2篇微电子机械系...
  • 2篇晶体管
  • 2篇感器
  • 2篇MEMS传感...
  • 2篇叉子
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇电路
  • 1篇电路技术

机构

  • 9篇中国电子科技...
  • 1篇信息产业部

作者

  • 10篇李智囊
  • 3篇王飞
  • 3篇冉明
  • 3篇冯建
  • 2篇谭开洲
  • 2篇刘勇
  • 2篇张正元
  • 2篇张静
  • 2篇钟怡
  • 2篇吴建
  • 1篇冯建
  • 1篇税国华
  • 1篇李文
  • 1篇陈洪波
  • 1篇陈洪波
  • 1篇侯宇
  • 1篇熊化兵
  • 1篇王志宽
  • 1篇毛儒炎
  • 1篇李文

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2011
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多层硅外延生长技术研究
本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等工艺流程.它所提供的外延片已成功地应用于3、4英寸电路的生产中.
李智囊毛儒炎冯建陈洪波李文
关键词：硅外延片
文献传递
薄层高阻外延工艺技术研究
对薄层高阻外延片的现状与趋势进行了分析，提出了本研究的技术指标，对疏水效应、退火效应等四项关键技术进行了研究，对应用前景进行了探讨。
李智囊
关键词：电子器件技术指标
在锗硅双极工艺中集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的方法及半导体器件
本发明提供了一种在锗硅双极工艺中集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的方法及半导体器件，在本发明中，基于工艺制程步骤的巧妙设计，在锗硅双极工艺中同时集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的工艺制程，在不显著增加工艺复杂度的...
钟怡冉明黄东王飞刘青张静裴颖李智囊
外延淀积过程中的自掺杂抑制被引量：11
2003年
　外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数。文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂,从而改善器件的特性参数。
李智囊侯宇
关键词：半导体器件
硅外延用大流量超纯氢气纯化系统的设计技术
2002年
在半导体集成电路制造工艺中 ,超纯氢气是必不可少的重要工艺气体。特别是在硅外延工艺中 ,氢气对工艺质量起着决定性作用。因此 ,对氢气的指标要求比较苛刻 ,其纯度应大于99.9999% ,而且必须是大流量连续供应。文章主要从流体学和传热学两方面 ,系统地介绍了利用超低温吸附方法提纯大流量超纯氢气设备的关键设计技术。
陈洪波冯建熊化兵李文李智囊
关键词：硅外延纯化系统
一种MEMS传感器悬梁结构的制造方法
本发明涉及微电子机械系统加工领域，特别是一种MEMS传感器悬梁结构的制造方法。其包括以下步骤：1.准备原始硅片；2.在第一原始硅片上采用重复氧化方法，形成悬梁结构下面的氧化层图形；3.制作过渡多晶硅层；4.制作键合片、形...
刘勇谭开洲冯建李智囊张正元吴建
文献传递
一种MEMS传感器悬梁结构的制造方法
本发明涉及微电子机械系统加工领域，特别是一种MEMS传感器悬梁结构的制造方法。其包括以下步骤：1.准备原始硅片；2.在第一原始硅片上采用重复氧化方法，形成悬梁结构下面的氧化层图形；3.制作过渡多晶硅层；4.制作键合片、形...
刘勇谭开洲冯建李智囊张正元吴建
文献传递
一种时钟控制信号产生电路及方法
本发明适用于集成电路技术领域，提供一种时钟控制信号产生电路及方法，其中，该方方法包括：对N个供电电源进行检测，得到并输出N个一一对应的第一复位信号，其中，N为大于等于2的整数；将N个所述第一复位信号转换为目标电源域内一一...
黄磊税国华付晓伟林涛王志宽王飞李智囊冉明常小宇汪璐
HCl腐蚀抛光技术研究
分析了HCl的腐蚀抛光原理以及HCI在外延片制作过程中的作用。从HCl的浓度、腐蚀温度、反应室压力以及衬底条件，对HCI的腐蚀特性进行了重点研究；并采用不同的工艺条件，对HCl的腐蚀抛光速率进行了对比实验。还对HCl的B...
李智囊唐驰
关键词：电子元件产品质量
在硅基自对准双极工艺中集成锗硅异质结晶体管的方法及半导体器件
本发明提供了一种在硅基自对准双极工艺中集成锗硅异质结晶体管的方法及半导体器件，在本发明中，基于工艺制程步骤的巧妙设计，在硅基自对准双极工艺中同时集成了锗硅异质结晶体管的工艺制程，在不显著增加工艺复杂度的情况下，利用单一制...
钟怡刘青王飞张静冉明黄东裴颖李智囊
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