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冯建

作品数：24 被引量：10H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇多晶
  • 7篇多晶硅
  • 7篇键合
  • 7篇硅片
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 5篇SOI
  • 3篇氧化层
  • 3篇声波
  • 3篇微电子
  • 3篇微电子机械
  • 3篇微电子机械系...
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电路制造
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻值

机构

  • 17篇中国电子科技...
  • 8篇中国电子科技...
  • 7篇电子科技大学

作者

  • 24篇冯建
  • 10篇谭开洲
  • 8篇吴建
  • 7篇刘勇
  • 4篇徐世六
  • 4篇杨谟华
  • 4篇王大平
  • 3篇李智囊
  • 3篇吴建
  • 2篇毛儒焱
  • 2篇于奇
  • 2篇石红
  • 2篇张正元
  • 2篇李肇基
  • 2篇杨洪东
  • 2篇李竟春
  • 2篇杨国渝
  • 2篇刘玉奎
  • 2篇陈俊
  • 2篇王大平

传媒

  • 6篇微电子学
  • 2篇Journa...
  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇环境技术

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 6篇2007
  • 4篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2002
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
压力传感器硅谐振膜的制造方法
本发明公开了一种压力传感器硅谐振膜的制造方法，用于微电子机械系统(MEMS)压力传感器中的硅悬梁的制作。该方法步骤包括：1.将第一和第二原始硅片进行加工，形成带硅谐振膜的SOI硅片；2.在第三原始双面抛光硅片上进行加工，...
冯建徐俊吴建
文献传递
带有微腔的图形硅片真空键合方法
本发明公开了一种带有微腔的图形硅片真空键合方法。本发明方法的主要工艺步骤：(1)将所述带有微腔的图形硅片放入简易予键合装置中的承片架和对位台上，再将普通硅片轻轻放下，其一部分边缘与带有微腔的图形硅片接触，另一部分边缘搭在...
冯建谭开洲徐俊
文献传递
埋氧层厚度对SOI片形变影响的研究
探讨了埋氧层厚度对SOI片的形变影响。随着埋氧层厚度值的增大，其形变也相应变大，经过抛光工序后缓解了SOI片残余应力，减小了SOI片的形变，埋氧层厚度偏厚的SOI片，其warp值仍然偏大，顶层硅均匀性更差。为控制SOI片...
陈俊冯建吴建王大平
关键词：厚度控制
适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术被引量：2
2004年
　采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VD MOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。
羊庆玲冯建
关键词：VDMOSFET硅片直接键合SOI范德华力
P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术研究被引量：1
2017年
针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条件下生长栅氧化层。通过仿真分析和试验进行了验证,该器件在最劣漏偏置条件下抗总剂量达到3 k Gy,抗单粒子烧毁和单粒子栅穿的LET值为99.1 Me V·cm^2/mg。该器件适用于星用抗辐射DC-DC电源系统。
冯建吴建吴雪谭开洲王斌杨永晖
关键词：功率器件抗辐射加固栅氧化层
一种单片功率集成电路的器件和工艺设计考虑
本文介绍了一种功率集成电路的器件和工艺设计,根据电路的功能要求,对比了PN结隔离和SOI介质隔离以及各种硅器件的特点,考虑了电路的耐压、电流和功率的要求,采用了键合SOI介质隔离和CMOS/LDMOS兼容工艺实现了电路功...
考虑谭开洲石红杨国渝冯建刘勇
关键词：集成电路
文献传递
一种MEMS传感器悬梁结构的制造方法
本发明涉及微电子机械系统加工领域，特别是一种MEMS传感器悬梁结构的制造方法。其包括以下步骤：1.准备原始硅片；2.在第一原始硅片上采用重复氧化方法，形成悬梁结构下面的氧化层图形；3.制作过渡多晶硅层；4.制作键合片、形...
刘勇谭开洲冯建李智囊张正元吴建
文献传递
一种新型半绝缘键合SOI结构被引量：2
2006年
报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si—Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可靠集成电路、MEMS、硅基光电集成等新器件和电路中.
谭开洲冯建刘勇徐世六杨谟华李肇基张正璠刘玉奎何开全
关键词：硅片键合
SDB/SOI硅材料顶层硅膜均匀性控制研究被引量：2
2005年
介绍了SDB/SOI(Silicon D irect Bonging/Silicon On Insulator)硅材料顶层硅膜均匀性的控制方法。顶层硅膜均匀性控制不好,会直接影响到IC或者其他元器件参数的一致性,造成器件成品率低,材料浪费大。因此,在制备SOI材料时,必须严格控制材料顶层硅厚度的均匀性和重复性。
冯建毛儒焱吴建王大平
关键词：硅直接键合SOI减薄均匀性
一种部分绝缘层上硅材料结构及制备方法
一种部分绝缘层上硅材料结构，包括三层，第一层为支撑硅片层，第三层为器件层，其特征是，它还包括起键合和导电作用的多晶硅中间层，多晶硅层中勘入了一层开有一个或多个窗口的纵向隔离介质层，器件层中可以包含一个或多个位于纵向隔离介...
谭开洲杨谟华刘勇徐世六冯建杨洪东于奇李竟春
文献传递
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