王元樟
- 作品数：46 被引量：38H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变
- 文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析...
- 王元樟陈路巫艳吴俊于梅芳方维政何力
- 关键词：正应变分子束外延
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- MOCVD AlzGa1-zNGaN多层异质结构的表面与界面表征
- @@引言： CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1-xN／GaN超晶格结构的表面...
- 王元樟李金钗李书平陈航洋刘达艺康俊勇
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- HgCdTe分子束外延薄膜的应变弛豫被引量：5
- 2004年
- 对不同衬底上外延生长的HgCdTe薄膜进行了倒易点二维图测试 ,分析了外延层与衬底之间的结构取向关系以及晶格常数的失配现象 .通过测定Cd1-yZnyTe衬底上的HgCdTe外延层的应变弛豫状况 ,获得了晶格匹配条件时衬底Zn组分的准确值 .实验结果还表明 :HgCdTe外延层与晶格失配的衬底之间存在着倾角 ,该倾角随失配度的增大而增大 ;当衬底失配度较小时 ,非对称倒易点二维图显示外延层并不处于全应变状态 ,而是处于应力部分释放状态 ;相反 ,当外延层晶格失配产生的应力全部释放时 ,外延层包含着较大的失配位错 ,摇摆曲线半峰宽展宽较大 .
- 方维政王元樟巫艳刘从峰魏彦锋王庆学杨建荣何力
- 关键词：晶格失配分子束外延晶格匹配弛豫CDTE薄膜
- 一种漫射光占比可调的植物生长照明装置
- 本发明提供一种漫射光占比可调的植物生长照明装置，包括主杆、巢座、滑块、照明叶片和漫反射围布；所述巢座装配于主杆的底部，所述照明叶片设置有多个，多个照明叶片呈辐射状分布于巢座的外围并铰接在巢座上，所述滑块可升降滑动的装配于...
- 王元樟王邵菁
- 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法
- 本发明公开了一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法，衬底包括：基片，在基片上依次置有缓冲层、数字合金层、过渡层。制备方法采用常规的分子束外延或原子外延方法及后处理技术。通过不同的生长工艺条件和特定的结构解决了...
- 何力陈路巫艳于梅芳王元樟吴俊乔怡敏
- 文献传递
- HgCdTe/CdTe/Si(211)异质结构的应变和应力分布计算被引量：1
- 2012年
- 计算了HgCdTe/CdTe/Si(211)异质结构的应变和应力分布,发现对于生长方向为不具有对称特性的[211]晶向,由于弹性模量的各向异性,平行表面的两个晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变和应力分布存在差异,并且二者的曲率半径也具有相应特性。对于Si衬底厚度为500μm,CdTe缓冲层厚度为10μm,HgCdTe层厚度为10μm的异质结构,液氮温度77 K时衬底与外延层的应变均为负值,外延层和衬底的最大应力值均在界面处,外延层中均为张应力,Si衬底在靠近界面处为压应力,远离界面逐渐过渡为张应力,存在一个应力为零的中性轴位置。
- 王元樟朱文章张小英许英朝
- 关键词：HGCDTESI应力分布
- 氮化镓基半导体异质结构应力相关特性研究
- GaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文通过实验研究和计算模拟，考察研究了GaN基半导体异质结构中界面和表面的应力相关特性。
运用高分辨率x射线衍射技术获...
- 王元樟
- 关键词：光电子材料晶格结构表面形貌
- 文献传递
- Si基CdTe复合衬底分子束外延研究被引量：1
- 2005年
- 文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题.在国内首次采用分子束外延(MBE)的方法获得了大面积的Si基CdTe复合衬底材料,对应厚度为4～4.4μm Si/CdTe(211)样品双晶半峰宽的统计平均结果为83弧秒,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶平均水平相当.
- 陈路王元樟巫艳吴俊于梅芳乔怡敏何力
- 关键词：硅基碲镉汞复合衬底分子束外延
- 在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变被引量：2
- 2005年
- 文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角γ[1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且γ[1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变。
- 王元樟陈路巫艳吴俊于梅芳方维政何力
- 关键词：正应变分子束外延
- 一种半导体固定花篮
- 本实用新型涉及一种半导体固定花篮，包括相互连接的挂杆及载台，载台上设有多个插槽；每个插槽包括底部槽、左侧槽及右侧槽，放入的晶片与底部槽、左侧槽及右侧槽三个点接触；载台的左侧及右侧的侧壁分别开有进水通孔及出水通孔。这种方案...
- 王元樟徐宇祥周艳
- 文献传递
