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李梅

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：长春光机学院更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇镓铝砷
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光研究
  • 1篇发光
  • 1篇发光研究
  • 1篇GAALAS...

机构

  • 1篇长春光机学院

作者

  • 1篇高欣
  • 1篇宋晓伟
  • 1篇李军
  • 1篇李梅

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAlAs/GaAs量子阱结构的光致发光研究被引量：2
1999年
阐述了用ＭＯＣＶＤ 生长的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质． 样品经高分辨率光致发光（ＰＬ）测试显示， 在１０Ｋ 下对于８ｎｍ 的单量子阱， 通过激发产生的荧光光谱半峰宽（ＦＷＨＭ）为６．２ｎｍ ， 同时具有较高的强度． 表明量子阱结构具有陡峭的界面； 另外还观察到， Ｘ（ｅ－ｈｈ）峰值位置相对于激发能级的移动． 测试结果表明， 样品质量符合设计要求， 结果令人满意．
宋晓伟李梅高欣李军
关键词：光致发光镓铝砷砷化镓
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共1页<1>
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