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宋晓伟

作品数：5 被引量：4H指数：2
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合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 3篇GAALAS...
  • 2篇功率
  • 2篇高功率
  • 1篇夜视
  • 1篇夜视系统
  • 1篇液相外延
  • 1篇砷化镓
  • 1篇镓铝砷
  • 1篇微腔
  • 1篇微腔激光器
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光研究
  • 1篇发光

机构

  • 5篇长春光机学院

作者

  • 5篇宋晓伟
  • 2篇任大翠
  • 2篇薄报学
  • 2篇李军
  • 2篇李梅
  • 2篇张宝顺
  • 1篇高欣
  • 1篇王玉霞
  • 1篇吴根柱
  • 1篇王玲
  • 1篇李梅

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇发光学报
  • 1篇长春光学精密...

年份

  • 5篇1999
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
高功率GaAlAs/GaAs量子阱SCH半导体激光器
1999年
利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱结构材料。样品的测量结果表明，样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管，室温连续工作，功率为１ Ｗ，斜率效率达到１．０４ Ｗ／Ａ。
宋晓伟张宝顺李梅薄报学
关键词：半导体激光器GAASSCH
高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器
1999年
利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W
宋晓伟王玲王玉霞张宝顺薄报学
关键词：半导体激光器分别限制结构
GaAlAs/GaAs量子阱结构的光致发光研究被引量：2
1999年
阐述了用ＭＯＣＶＤ 生长的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质． 样品经高分辨率光致发光（ＰＬ）测试显示， 在１０Ｋ 下对于８ｎｍ 的单量子阱， 通过激发产生的荧光光谱半峰宽（ＦＷＨＭ）为６．２ｎｍ ， 同时具有较高的强度． 表明量子阱结构具有陡峭的界面； 另外还观察到， Ｘ（ｅ－ｈｈ）峰值位置相对于激发能级的移动． 测试结果表明， 样品质量符合设计要求， 结果令人满意．
宋晓伟李梅高欣李军
关键词：光致发光镓铝砷砷化镓
半导体微腔激光器
1999年
文章简要叙述了微腔激光器的基本工作原理。采用先进的ＬＰＥ及反应离子刻蚀等微细加工技术制作了盘型－ 图钉式微腔结构，测得其有源区的光荧光谱的半宽度为０ ．０３２ ｅＶ，波长为８１５ ．３３ ｎｍ 。
任大翠宋晓伟吴根柱
关键词：半导体激光器微腔激光器
夜视系统用GaAs/GaAlAs半导体激光器被引量：2
1999年
利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ 夜视系统用光源。样品质量达到了设计要求。测量结果表明，样品在１０ Ｋ 下的光荧光谱的峰值波长为９２６ ．２６ ｎｍ 。利用该材料制作的激光二极管，其峰值输出功率达到１５ Ｗ。
宋晓伟李梅李军任大翠
关键词：半导体激光器液相外延夜视系统
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