薄报学
- 作品数：179 被引量：315H指数：10
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器
- 一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知条形半导体激光器不足之处是输出光束发散角大、发光亮度低等缺点，限制了此类器件在相关领域中的应用。本发明之一种带有模式滤波器的高亮度条形半导...
- 乔忠良薄报学张斯玉高欣曲轶芦鹏李占国李辉刘国军李梅王玉霞
- 白光高压LED的加速老化实验研究被引量：2
- 2013年
- 在120℃的环境温度下,对两组GaN基白光高压发光二极管(HV LED)进行了电流对比加速老化实验。实验中,分别向两组HV LED通入20mA和30mA的恒流电流,通过其老化前后光色电性能参数、I-V曲线以及光照度的变化,分析老化的内在机理;根据样品在不同波段的光谱能量变化及其比值,找出LED老化中主要的影响因素。研究结果表明,随着老化时间的增加,芯片电极的欧姆接触退化,以及芯片材料中的缺陷增多,使HV LED电极脱落、芯片发生严重断裂,从而导致芯片老化失效。
- 张丽超高欣薄报学李抒智
- 关键词：GAN
- 基于多芯片封装的半导体激光器热特性被引量：4
- 2014年
- 设计了一种由12只单条形芯片分为2组以从高到低阶梯排列的百瓦级半导体激光器结构。针对其在稳态工作条件下的热特性利用ANSYS软件进行了模拟分析,通过改变Cu热沉的宽度、间距和高度差,得到了最高和最低Cu热沉封装的芯片有源区温度及两者温度差值的变化规律。最后设计了一种较为理想的百W级半导体激光器的散热结构。
- 王文褚金雷高欣张晶乔忠良薄报学
- 关键词：多芯片半导体激光器稳态
- 电注入椭圆微腔半导体激光器热特性分析被引量：2
- 2016年
- 对长轴为12μm、短轴为10μm并在长轴处直连2μm宽输出波导的椭圆微盘激光器的热特性进行了实验和理论分析。测量连续电流注入微腔激光器的稳态特性,根据其波长红移计算器件热阻为ZT=0.846 K/m W。用有限元分析法计算椭圆微腔的热阻,理论与实验结果相吻合,热阻的最大偏差为5%。研究了微腔激光器衬底厚度对微腔有源区温度的影响,通过引入侧向散热机制有效改善了微腔激光器的热特性。
- 陆日许留洋高欣黄永箴肖金龙薄报学
- 关键词：激光器半导体激光器微腔热阻
- MBE生长高功率半导体激光器研究
- 曲轶薄报学张宝顺张兴德
- 关键词：MBE生长半导体激光器
- 文献传递
- MBE生长高功率半导体激光器
- 1999年
- 对影响分子束外延（ ＭＢＥ） 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用ＭＢＥ生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制单量子阱激光器（ＧＲＩＮ－ ＳＣＨ－ ＳＱＷ） 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连续输出功率达到了６０ Ｗ（ｔ＝ ２００ μｓ，ｆ＝ ５０ Ｈｚ） ，峰值波长为８０８ ．４ ｎｍ 。
- 曲轶高欣张宝顺薄报学张兴德
- 关键词：半导体激光器高功率半导体激光器分子束外延激光器阵列
- 980nm垂直腔面发射激光器低欧姆接触电阻制备(英文)
- 2012年
- 研究了980nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)欧姆接触技术.降低VCSEL的欧姆接触电阻,可有效地提高VCSEL的输出功率和延长其可靠性.P面采用高掺杂的P-GaAs/Ti/Pt/Au系统,N面采用N-GaAs/Ge/Au/Ni/Au系统,通过优化合金温度,得到了最佳优化合金温度为440℃,最低欧姆接触电阻值为0.04Ω,同时对比了440℃和450℃器件的输出功率和转换效率之间的对比关系.测试结果表明,440℃器件的欧姆接触电阻0.04Ω,峰值波长980.1nm,光谱的半高宽0.8nm,平行发散角θ‖15.2°,垂直发散角θ⊥13.5°,输出功率1.4W,转换效率最大值为14.4%,而450℃的器件欧姆接触电阻为0.049Ω,输出功率为1.3W,转换效率为12.8%.通过优化合金温度能有效地降低980nm的VCSEL欧姆接触电阻.
- 李再金曲轶薄报学刘国军王立军
- 关键词：垂直腔面发射激光器欧姆接触合金
- 半导体激光泵浦固体激光技术
- 张兴德刘国军薄报学任大翠张千勇等
- 该项目研制用于泵浦固体激光器(如Nd：YAG)的半导体激光泵浦源，激光发射波长为808nm。采用改进的液相外延(LPE)生长工艺，选用独特的InGaAsP/GaAs材料体系，完成分别限制单量子阱激光器结构生长及后续工艺制...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光泵浦固体激光
- 锁相列阵半导体激光器
- 任大翠薄报学杨晓妍王玉霞王玲
- 锁相列阵半导体激光器，是通过相邻两个条型激光器(间隔小于10μm)之间产生的光耦合，而使几条到几十条的条型激光器产生的光相干。这样，不但输出的光功率高，而且具有稳定的单模，它把单模和大功率集中于一体，并且改善了输出光束的...
- 关键词：
- 关键词：锁相列阵半导体激光器
- 具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器被引量：5
- 1999年
- 研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
- 高欣曲轶薄报学张宝顺张兴德
- 关键词：半导体激光器液相外延
