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任大翠

作品数：31 被引量：35H指数：3
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：兵器预研支撑基金中国科学院知识创新工程国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 29篇电子电信

主题

  • 28篇激光
  • 27篇激光器
  • 20篇半导体
  • 16篇半导体激光
  • 15篇半导体激光器
  • 4篇液相外延
  • 4篇量子阱激光器
  • 3篇单量子阱
  • 3篇异质结
  • 3篇有源层
  • 3篇微腔
  • 3篇微腔激光器
  • 3篇列阵
  • 3篇光电
  • 2篇电阻
  • 2篇远场
  • 2篇远场分布
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇阈值
  • 2篇接触电阻

机构

  • 12篇长春理工大学
  • 10篇长春光学精密...
  • 7篇长春光机学院
  • 1篇吉林大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国第一汽车...

作者

  • 30篇任大翠
  • 5篇薄报学
  • 3篇杨晓妍
  • 3篇张兴德
  • 3篇王玉霞
  • 3篇吴根柱
  • 3篇张宝顺
  • 3篇张兴德
  • 2篇杨琏
  • 2篇王玲
  • 2篇朱明方
  • 2篇张兴德
  • 2篇王向武
  • 2篇王晓华
  • 2篇王玉霞
  • 2篇宋晓伟
  • 2篇王玲
  • 2篇杨进华
  • 1篇刘丹
  • 1篇刘国军

传媒

  • 8篇长春光学精密...
  • 6篇半导体光电
  • 3篇中国激光
  • 2篇光学学报
  • 2篇激光技术
  • 2篇激光与红外
  • 1篇Journa...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 2篇1999
  • 6篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 4篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1990
  • 3篇1989
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
分别限制异质结可见光半导体激光器
1994年
研制成功高峰值功率分别限制异质结可见光半导体激光器，从理论及实验上研究了结构参数对器件性能的影响，得到了最佳的设计参数。
王向武张兴德任大翠
关键词：异质结可见光半导体激光器
GRINSCH-SQW激光器波导特性的数值分析
1995年
分析了具有缓变折射率分别限制单量子讲的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂直子激光器结平面方向上的光强过场分布，进而求得有源层的光限制因子及各种波导结构参数对的影响。
李含轩任大翠王玲
关键词：增益单量子阱激光器波导
半导体功率放大激光器耦合效率的研究被引量：2
2006年
通过对波长808nm的GaA lAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
杨琏杨晓妍朱明方刘丹王征宇李松柏王安锋博报学任大翠
关键词：减反射膜
半导体大光腔激光器的模式
1990年
用四层平板波导的理论:计算了我们研制的半导体大光腔激光器的模式。在给定条件下:可能存在四个模式。这个结果与以前的理论符合的很好。
任大翠
关键词：半导体激光器
GaAlAs/GaAs量子阱LD泵浦Nd:YAG激光器被引量：1
1998年
利用分子束外延技术生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ折射率渐变分别限制单量子阱结构材料。用该材料作出的激光二极管作泵浦源对Ｎｄ：ＹＡＧ激光器进行端面泵浦实验，在工作电流为３．３Ａ时，ＬＤ输出功率为２．７Ｗ，得到Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的输出功率达７００ｍＷ，光－光转换效率达２６％。
王晓华史全林王玉霞任大翠
关键词：激光二极管钕:YAG激光器
硅基发光材料研究进展被引量：9
2002年
阐述了等电子杂质、掺Er硅、硅基量子结构(包括量子阱、量子线和量子点)及多孔硅的发光机理,综述了90年代以来a-Si/SiO2、SiGe/Si等Si基异质结构材料的优异特性和诱人的应用前景,着重介绍了能带工程为Si基异质结构带来的新特性、新功能,重点介绍了硅基量子点的制备和发光机理,综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。
王蓟宁永强任大翠王立军
关键词：硅基发光材料光电子集成多孔硅半导体材料
MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器被引量：4
2001年
用 MOCVD方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射 ,测出单个微碟激光器的阈值光功率为 15 0μW,激射波长约为 1.6μm,品质因数 Q=80 0 ,激射光谱线宽为 2 nm,同时指出微碟激光器激射线宽比 F-
吴根柱张子莹任大翠张兴德
关键词：微碟激光器MOCVD生长INGAAS/INGAASP
半导体激光泵浦固体激光技术
张兴德刘国军薄报学任大翠张千勇等
该项目研制用于泵浦固体激光器(如Nd：YAG)的半导体激光泵浦源，激光发射波长为808nm。采用改进的液相外延(LPE)生长工艺，选用独特的InGaAsP/GaAs材料体系，完成分别限制单量子阱激光器结构生长及后续工艺制...
关键词：
关键词：半导体激光泵浦固体激光
半导体微激光器的理论研究与结构设计
该文对半导体微腔激光器的光学物理过程、高的自发辐射耦合系数和"无阈值"现象作了量子电动力学的探讨,从而对这种新型的半导体激光器件的制作和完善具有一定的指导作用.
任大翠
关键词：微腔激光器微腔效应腔量子电动力学
锁相列阵半导体激光器
任大翠薄报学杨晓妍王玉霞王玲
锁相列阵半导体激光器，是通过相邻两个条型激光器(间隔小于10μm)之间产生的光耦合，而使几条到几十条的条型激光器产生的光相干。这样，不但输出的光功率高，而且具有稳定的单模，它把单模和大功率集中于一体，并且改善了输出光束的...
关键词：
关键词：锁相列阵半导体激光器
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