高欣
- 作品数：26 被引量：43H指数：4
- 供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
- 发文基金：吉林省科委基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- MBE生长高功率半导体激光器
- 1999年
- 对影响分子束外延（ ＭＢＥ） 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用ＭＢＥ生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制单量子阱激光器（ＧＲＩＮ－ ＳＣＨ－ ＳＱＷ） 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连续输出功率达到了６０ Ｗ（ｔ＝ ２００ μｓ，ｆ＝ ５０ Ｈｚ） ，峰值波长为８０８ ．４ ｎｍ 。
- 曲轶高欣张宝顺薄报学张兴德
- 关键词：半导体激光器高功率半导体激光器分子束外延激光器阵列
- 具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器被引量：5
- 1999年
- 研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
- 高欣曲轶薄报学张宝顺张兴德
- 关键词：半导体激光器液相外延
- 808nm波长光纤耦合高功率半导体激光器被引量：17
- 1999年
- 采用柱透镜对半导体激光器（ＬＤ）的输出光束进行了有效收集、预准直及多模光纤之间的耦合实验。采用８０８ｎｍ波长，１５０μｍ条宽结构的激光器件，与２００μｍ芯径平端光纤的耦合效率高达９０％以上，光纤输出功率为１．０Ｗ。
- 薄报学高欣王玲张宝顺王玉霞张兴德
- 关键词：大功率LD光纤耦合半导体激光器
- 一种装配半导体激光器的新方法
- 1996年
- 本文介绍了在制作半导体激光器的过程中,用热压球焊的方法代替电极压触的方法,减小了激光器的接触电阻,使激光器的阈值电流下降,输出功率提高。
- 王玉霞高欣
- 关键词：半导体激光器接触电阻装配工艺
- InGaAs量子点激光器光增益的温度特性被引量：2
- 2002年
- 研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性 ,并与InGaAs单量子阱材料进行了对比 .发现In GaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性 .同时发现随着温度升高 ,在 14 0～ 2 0 0K温度范围内 ,InGaAs量子点增益峰值首先增大 ,当温度超过 2 0 0K后开始减小 .对这种增益特性的产生机制进行了分析 .增益曲线峰值波长随温度升高单调地向长波长方向移动 。
- 宁永强刘云王立军高欣
- 关键词：INGAAS激光器量子点光增益温度特性半导体材料
- GaAlAs/GaAs量子阱结构的光致发光研究被引量：2
- 1999年
- 阐述了用ＭＯＣＶＤ 生长的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质． 样品经高分辨率光致发光（ＰＬ）测试显示， 在１０Ｋ 下对于８ｎｍ 的单量子阱， 通过激发产生的荧光光谱半峰宽（ＦＷＨＭ）为６．２ｎｍ ， 同时具有较高的强度． 表明量子阱结构具有陡峭的界面； 另外还观察到， Ｘ（ｅ－ｈｈ）峰值位置相对于激发能级的移动． 测试结果表明， 样品质量符合设计要求， 结果令人满意．
- 宋晓伟李梅高欣李军
- 关键词：光致发光镓铝砷砷化镓
- 大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究被引量：1
- 2003年
- 介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。
- 李忠辉高欣李梅王玲张兴德
- 关键词：单量子阱
- 液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究被引量：4
- 2001年
- 用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。
- 杨进华高欣李忠辉吴根柱张兴德
- 关键词：液相外延大功率半导体激光器INGAASP/GAAS阈值电流密度斜率效率
- 940nm高功率列阵半导体激光器
- 利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输出功率达到27W（室温），峰值波长为939～941nm，并分析了影响列阵半导...
- 薄报学高欣
- 关键词：分子束外延半导体激光器输出功率
- 文献传递网络资源链接
- 808nm准连续阵列半导体激光器被引量：2
- 1999年
- 报道了８０８ｎｍ无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ高功率准连续阵列半导体激光器．在频率１０００Ｈｚ，脉冲宽度２００μｓ，占空比达２０％时，单阵列条的输出光功率室温下达到３７Ｗ．
- 高欣薄报学曲轶张宝顺张兴德
- 关键词：准连续阵列半导体激光器占空比
