黎亮
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种声表面横波谐振滤波器
- 本申请公开了一种声表面横波谐振滤波器，包括压电石英基片，其特征在于，压电石英基片上的依次梳状设置有第一反射器、第一换能器、中间短路栅、第二换能器及第二反射器作为压电石英基片的拓扑结构，第一换能器的两端分别设置有第一电极及...
- 周卫杨正兵朱明黎亮米佳冷俊林段伟吴雪梅刘冬梅
- 文献传递
- 单晶薄膜声表面波滤波器及降低基带提高带外抑制的方法
- 本发明公开了一种单晶薄膜声表面波滤波器及降低基带提高带外抑制的方法，单晶薄膜声表面波滤波器包括压电基片，在压电基片上设有输入换能器结构和输出换能器结构；输入换能器结构和输出换能器结构均由反射器和叉指换能器构成，所述叉指换...
- 周卫李洪平潘琪唐盘良许东辉黎亮张显洪
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- 一种声表面横波谐振滤波器
- 本申请公开了一种声表面横波谐振滤波器，包括压电石英基片，其特征在于，压电石英基片上的依次梳状设置有第一反射器、第一换能器、中间短路栅、第二换能器及第二反射器作为压电石英基片的拓扑结构，第一换能器的两端分别设置有第一电极及...
- 周卫杨正兵朱明黎亮米佳冷俊林段伟吴雪梅刘冬梅
- 钝化层对声表面波滤波器的影响被引量：2
- 2021年
- 为了研究钝化层对声表面波(SAW)滤波器性能的影响,以二氧化硅(SiO_(2))薄膜为钝化层,对厚度为12~80 nm的SiO_(2)膜钝化层工艺数据进行分析。结果表明,当SiO_(2)膜钝化层覆膜厚度大于25 nm时其膜层质量均匀性好,致密度高。同时SiO_(2)膜钝化层厚度对膜层间的粘性、传播损耗、自身的质量负载及谐振峰处的频率均有影响,且会引起过渡带宽发生变化。
- 赵雪梅伍平董加和米佳黎亮陈峻陈正林
- 关键词：钝化层
- 一种基于声表面波的离子束调频方法
- 本发明涉及声表面波技术领域，特别涉及一种基于声表面波的离子束调频方法，包括：利用探针对声表器件频率分布进行采集，利用转换软件把实际晶圆芯片位置和原始频率与设备进行匹配；获取芯片需要调整的频率，根据芯片的基底材料、表面氧化...
- 伍平陈峻赵雪梅米佳黎亮
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- 高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器
- 本发明公开了一种高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器，包括封装在外壳内的芯片，所述芯片上设有谐振滤波器，所述谐振滤波器为两个，分别为第一级谐振滤波器和第二级谐振滤波器，两谐振滤波器共用一块压电石英基片，第一级谐振滤...
- 周卫朱明田亚睿陈峻曾武刘积学马晋毅许东辉冉川云欧阳锋黎亮
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- 高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器
- 本发明公开了一种高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器，包括封装在表面贴装外壳内的芯片，所述芯片上设有声表面横波谐振滤波器，所述声表面横波谐振滤波器至少为两组，所有声表面横波谐振滤波器首尾连接。每组声表面横波谐振滤波...
- 周卫朱明田亚睿曾武付金桥马晋毅陈峻许东辉冉川云欧阳锋黎亮
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- 高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器
- 本发明公开了一种高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器，包括封装在表面贴装外壳内的芯片，所述芯片上设有声表面横波谐振滤波器，所述声表面横波谐振滤波器至少为两组，所有声表面横波谐振滤波器首尾连接。每组声表面横波谐振滤波...
- 周卫朱明田亚睿曾武付金桥马晋毅陈峻许东辉冉川云欧阳锋黎亮
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- 级联型声表面横波滤波器
- 2019年
- 该文介绍了在压电石英基片上具有一阶温度系数为0的声表面横波滤波器,制作出高频、高带外抑制窄带滤波器,并采用两只声表面横波滤波器联级后的方式,提高带外抑制性能。测试结果表明,滤波器的频率为1219.4MHz,损耗为9.38dB,-1dB带宽为0.743MHz,-3dB带宽为1.06MHz,-40dB带宽为2.94MHz,群延时波动在偏离中心频率-100~100kHz时的值小于100ns,且输入、输出端驻波均小于2。
- 周卫王岚黎亮
- 关键词：滤波器插入损耗驻波
- 传统SAW离子束调频技术研究
- 2019年
- 制作传统声表面波(SAW)器件晶圆芯片表面的材料是Al,Al在空气中被氧化,极易生成致密的氧化铝(Al2O3)薄膜,由于Al2O3薄膜和Al及基底压电材料的刻蚀速率存在差异,会导致SAW的离子束调频过程复杂。该文介绍了一种用于SAW的离子束调频方法,采用该方法对制作的SAW器件进行离子束调频后,实现了目标频率的调高和调低,并进一步提高了频率集中度,从而解决了低频窄带SAW器件及2 GHz以上SAW高频器件频率精度难以提高的工艺难题。
- 伍平陈峻米佳董家和赵雪梅刘晓莉董姝黎亮
- 关键词：离子束刻蚀速率
