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许东辉

作品数:11 被引量:5H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇标准

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇滤波器
  • 4篇带外抑制
  • 4篇谐振滤波器
  • 3篇体声波
  • 3篇体声波滤波器
  • 3篇贴装
  • 3篇横波
  • 3篇表面贴装
  • 2篇阳极键合
  • 2篇声表面波
  • 2篇气密
  • 2篇气密性
  • 2篇谐振器
  • 2篇晶圆
  • 2篇晶圆级封装
  • 2篇键合
  • 2篇硅衬底
  • 2篇封装
  • 2篇高频
  • 2篇叉指换能器

机构

  • 11篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 11篇许东辉
  • 6篇马晋毅
  • 5篇周卫
  • 5篇田亚睿
  • 4篇曾武
  • 4篇朱明
  • 4篇陈峻
  • 4篇黎亮
  • 3篇李洪平
  • 3篇冉川云
  • 3篇徐阳
  • 3篇刘娅
  • 3篇欧阳锋
  • 2篇陶毅
  • 2篇米佳
  • 2篇付金桥
  • 2篇杨靖
  • 2篇伍平
  • 2篇刘积学
  • 2篇赵雪梅

传媒

  • 4篇压电与声光

年份

  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
声表面波器件镀膜工艺技术要求
本标准规定了声表面波器件镀金属膜工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求,以及声表面波器件镀金属膜」_艺的典型工艺流程、各土序技术、检验等详细要求。本标准适用于军用声表面波器件的电子束蒸发和磁控溅射镀金属膜工艺...
李洪平吴琳张俊陈彦光刘洋刘晓莉许东辉陶毅米佳冷俊林
单晶薄膜声表面波滤波器及降低基带提高带外抑制的方法
本发明公开了一种单晶薄膜声表面波滤波器及降低基带提高带外抑制的方法,单晶薄膜声表面波滤波器包括压电基片,在压电基片上设有输入换能器结构和输出换能器结构;输入换能器结构和输出换能器结构均由反射器和叉指换能器构成,所述叉指换...
周卫李洪平潘琪唐盘良许东辉黎亮张显洪
文献传递
大尺寸高密度压电陶瓷的制备与研究
2018年
该文主要采用固相反应法制备了Pb(1-a-b)Ba_aSr_b(Zr_xTi_y)_(1-c-d)(Bi_(3/2)W_(1/2))_c(S_(b1/2)Nb_(3/2))dO_3四元系压电陶瓷材料,通过各组分的比例调整和适当的掺杂改性,材料横向压电应变常数可达-490pm/V,介电常数为4 500,介电损耗小于2%;采用干压加冷等静压成型,并优化烧结工艺,制备出该压电材料密度达到理论密度值的99%,尺寸为?170mm×15mm的大尺寸压电陶瓷块体,为大口径变形镜用玻璃基压电陶瓷薄膜的研制奠定了基础。
李洪平米佳鲜晓军赵雪梅许东辉朱勇董加和陈彦光
关键词:压电陶瓷介电常数介电损耗大尺寸
高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器
本发明公开了一种高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器,包括封装在外壳内的芯片,所述芯片上设有谐振滤波器,所述谐振滤波器为两个,分别为第一级谐振滤波器和第二级谐振滤波器,两谐振滤波器共用一块压电石英基片,第一级谐振滤...
周卫朱明田亚睿陈峻曾武刘积学马晋毅许东辉冉川云欧阳锋黎亮
文献传递
基于裸芯片覆膜的薄膜体声波滤波器被引量:3
2021年
该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm×1 mm×0.4 mm,滤波器的中心频率为3 GHz,中心插损为1.3 dB。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器裸芯片,同时采用覆膜工艺对FBAR裸芯片表面进行覆膜保护,避免裸芯片在使用或运输等过程中被损坏。测试结果显示,覆膜前滤波器裸芯片的中心频率为2.993 GHz,中心插损为1.69 dB;覆膜后滤波器的中心频率为2.997 GHz,中心插损为1.51 dB。对覆膜的影响和覆膜前后的差异进行了分析。
刘娅刘娅马晋毅孙科罗方活徐阳徐阳蒋平英许东辉许东辉
关键词:裸芯片覆膜插入损耗
一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构
本专利涉及一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构,属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域;所述封装结构包括功能晶圆和玻璃晶圆,所述功能晶圆与所述玻璃晶圆通过阳极键合连接;所述功能晶圆包括硅衬底,所述硅衬底上开设有空腔,在...
刘娅马晋毅张祖伟杨冬徐阳杨靖许若娴许东辉
复合氮化铝压电薄膜研制及其应用
2020年
采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜;采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜;采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良,说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL),其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。
陈运祥赵雪梅郑泽渔陶毅伍平田亚睿张永川许东辉
一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构及封装方法
本专利涉及一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构和封装方法,属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域;所述封装结构包括功能晶圆和玻璃晶圆,所述功能晶圆与所述玻璃晶圆通过阳极键合连接;所述功能晶圆包括硅衬底,所述硅衬底上开设...
刘娅马晋毅张祖伟杨冬徐阳杨靖许若娴许东辉
高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器
本发明公开了一种高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器,包括封装在表面贴装外壳内的芯片,所述芯片上设有声表面横波谐振滤波器,所述声表面横波谐振滤波器至少为两组,所有声表面横波谐振滤波器首尾连接。每组声表面横波谐振滤波...
周卫朱明田亚睿曾武付金桥马晋毅陈峻许东辉冉川云欧阳锋黎亮
文献传递
高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器
本发明公开了一种高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器,包括封装在表面贴装外壳内的芯片,所述芯片上设有声表面横波谐振滤波器,所述声表面横波谐振滤波器至少为两组,所有声表面横波谐振滤波器首尾连接。每组声表面横波谐振滤波...
周卫朱明田亚睿曾武付金桥马晋毅陈峻许东辉冉川云欧阳锋黎亮
文献传递
共2页<12>
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