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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇时延
  • 1篇数控
  • 1篇微波毫米波
  • 1篇相控阵
  • 1篇铝镓砷
  • 1篇毫米波
  • 1篇二极管
  • 1篇PIN
  • 1篇PIN二极管
  • 1篇ALGAAS...
  • 1篇KA波段
  • 1篇波长

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇李信
  • 1篇潘晓枫
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇尹志军
  • 1篇章军云
  • 1篇徐波

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2016
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Ka波段4位大波长数控时延器被引量:1
2016年
基于0.15μm E/D PHEMT工艺研制了一款28~32GHz用于相控阵雷达的时延器芯片,该芯片是由4位大波长数控时延器及数字驱动器电路组成。为了增强芯片在组件中使用的灵活性,计划分成两块芯片来实现。芯片尺寸分别为1.9mm×2.2mm和2.9mm×2.2mm。实测结果:芯片总插入损耗小于24dB,在28~32GHz带宽内时延步进为33.3ps,最大时延量为500ps,时延精度小于标称值的±3%,寄生调幅小于±0.4dB。该芯片能够抗基于HBM的250V静电电压。
潘晓枫李信徐波
关键词:相控阵
AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关
2022年
研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。
章军云齐志央凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜
关键词:铝镓砷砷化镓PIN二极管毫米波
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