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Si_(3)N_(4)覆铜基板的界面空洞控制技术被引量：3: 2021年; 为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si_(3)N_(4)覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si_(3)N_(4)陶瓷与铜箔界面处的空洞率低于1%。选用Ag-Cu-Ti活性金属焊片作为Si_(3)N_(4)覆铜基板的焊料层,其中的活性组分Ti可与Si_(3)N_(4)生成界面反应层TiN,该材料是界面空洞控制的关键。在分析界面空洞形成机理的基础上,以空洞率为指标,对原材料前处理、AMB工艺参数(焊接压力和焊接温度)进行全因子试验设计(DOE)及方差分析,得到最佳的参数组合为:化学法与还原法相结合的原材料前处理方式,焊接压力约2 N,焊接温度900℃。通过原材料前处理和AMB工艺优化的界面空洞控制技术,研制出界面空洞率小于1%的Si_(3)N_(4)覆铜基板,能够满足SiC基功率模块封装基板的高可靠应用需求。; 张义政张崤君张金利吴亚光刘旭鲍禹希张腾; 关键词：AG-CU-TI 空洞率

微电子封装陶瓷外壳磨边及裂片工艺技术要求: 本标准规定了微电子封装用陶瓷外壳磨边及裂片工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及磨边及裂片工艺的典型工艺流程、各工序技术要求、检验要求等详细要求。本标准适用于微电子封装用陶瓷外壳磨边工艺和裂片工艺。; 张腾刘旭冀春峰李丽霞冯东杨鹏飞曹坤

片式封装外壳: 本发明提供了一种片式封装外壳，包括陶瓷体和引线；陶瓷体形成用于容置芯片的容置腔，陶瓷体底部设有焊盘；引线的上表面与焊盘连接，引线具有从上至下顺次连接的引线上部、引线中部和引线下部，引线中部的宽度小于引线上部的宽度，且引线...; 杨振涛高岭于斐刘林杰淦作腾毕大鹏王东生张腾刘彤; 文献传递

氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法: 本发明提供了一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法，属于功率模块用陶瓷覆铜基板技术领域，制备方法包括以下步骤：采用化学溶液对氮化硅陶瓷裸板、铜箔片、焊料片进行预处理；采用还原气氛对经过预处理的氮化硅陶瓷裸板、铜箔片、焊料片进...; 张义政高岭吴亚光刘旭鲍禹希张腾张金利张崤君刘林杰乔志壮刘思雨; 文献传递

陶瓷四边扁平封装外壳及陶瓷四边扁平封装器件: 本发明提供了一种陶瓷四边扁平封装外壳及陶瓷四边扁平封装器件。陶瓷四边扁平封装外壳包括陶瓷壳体及多个引线，陶瓷壳体用于承载芯片，引线从所述陶瓷壳体的底部向四周引出，陶瓷壳体的底部还设有向下延伸的凸台，凸台的底部平面到引线的...; 杨振涛彭博高岭于斐刘林杰毕大鹏淦作腾王东生张腾刘彤; 文献传递

微电子封装陶瓷及金属外壳钎焊后处理工艺技术要求: 本标准规定了微电子封装用陶瓷及金属外壳钎焊后处理工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及钎焊后处理工艺的典型工艺流程、各工序技术要求和检验要求等详细要求。本标准适用于微电子封装用陶瓷及金属外壳的钎焊后处理...; 张腾刘旭冀春峰李丽霞曾辉谢新根

陶瓷四边扁平封装外壳及陶瓷四边扁平封装器件: 本发明提供了一种陶瓷四边扁平封装外壳及陶瓷四边扁平封装器件。陶瓷四边扁平封装外壳包括陶瓷壳体及多个引线，陶瓷壳体用于承载芯片，引线从所述陶瓷壳体的底部向四周引出，陶瓷壳体的底部还设有向下延伸的凸台，凸台的底部平面到引线的...; 杨振涛彭博高岭于斐刘林杰毕大鹏淦作腾王东生张腾刘彤

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张腾