张金利
- 作品数：20 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 生瓷带料自动翻转机构
- 本实用新型公开了一种生瓷带料自动翻转机构，涉及陶瓷封装技术领域。本实用新型包括支架、一对同步转动圆盘，两同步转动圆盘的盘面平行布设，同步转动圆盘与安装在支架上的同步旋转驱动传动装置相连，在两同步转动圆盘相对的一面上均设有...
- 张超张金利李阳吴兵硕
- 文献传递
- 一种高强度半导体封装陶瓷材料及其制作方法
- 本发明公开了一种高强度半导体封装陶瓷材料及其制作方法，涉及高可靠多层陶瓷封装外壳制作领域，所用原料按质量百分比由以下物质组成：玻璃粉15%～25% 着色剂5%～15% 余量为氧化铝粉料。制备方法为：（1）将原料中各组分制...
- 张金利
- 文献传递
- 一种非水基流延浆料及其制备方法
- 本发明公开了一种非水基流延浆料及其制备方法，涉及半导体微电子器件制备领域。一种非水基流延浆料，原料按质量比由以下物质组成：瓷粉：58～63%，丁酮：10～12%，乙醇：7～8%，油酸甘油酯：0.1～0.5%，液态粘结剂：...
- 郑宏宇金华江任才华张炳渠石鹏远吴亚光张金利
- 细化白色陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种细化白色陶瓷材料，属于元器件封装陶瓷材料领域，包括下述重量份的原料：氧化铝87-93份，氧化镁0.8-5份，二氧化硅1-6份，氧化钙0.6-4份，二氧化钛0.01-0.5份，二氧化锆0.5-3份。其制备方...
- 郑宏宇石鹏远金华江任才华张炳渠张金利
- 生瓷带料自动翻转机构
- 本发明公开了一种生瓷带料自动翻转机构，涉及陶瓷封装技术领域。本发明包括支架、一对同步转动圆盘，两同步转动圆盘的盘面平行布设，同步转动圆盘与安装在支架上的同步旋转驱动传动装置相连，在两同步转动圆盘相对的一面上均设有一个直通...
- 张超张金利李阳吴兵硕
- 文献传递
- 小节距CQFN外壳设计与加工工艺研究
- 2023年
- 基于高温共烧陶瓷(HTCC)技术,研制出0.4 mm节距的陶瓷四边无引线扁平外壳(CQFN)。采用有限元分析软件对外壳的结构可靠性进行仿真优化,优化结果表明外壳受到的应力小于陶瓷的抗弯强度;利用电磁仿真软件对外壳的高频传输性能进行仿真优化,通过优化侧面空心金属化过孔结构、空心过孔与接地共面波导的过渡结构等,实现整体传输路径50Ω阻抗匹配。利用矢量网络分析仪和探针台对制作的外壳进行了高频传输性能的测试,测试结果表明,在DC~26 GHz频段内,外壳射频端回波损耗小于15 dB,插入损耗小于0.5 dB。设计的外壳结构和射频端口传输模型可以有效地应用到其他高频CQFN封装外壳设计中。
- 张金利杨振涛余希猛段强
- 3D线激光检测封装陶瓷平面度研究
- 2023年
- 使用线扫描激光可以得到工件样品的点云数据描述工件的三维空间信息,通过对工件的三维空间信息的处理可以用来测量工件的平面度与尺寸。通过随机采样一致性(RANSAC,Random Sample Consensus)点云分割算法,提取出陶瓷的主平面。而后为了尽可能消除点云平面与工艺基准面的不重合,计算并提取出拟合平面的单位法向量,随后利用罗德里格斯公式求得法向量旋转至垂直与视觉平台的旋转矩阵,实现点云倾斜度矫正。而平面度的评定则采用最小区域评定法,同时与其他测量手段进行对比。
- 张金利张品
- 关键词：陶瓷点云处理
- 一种高强度半导体封装陶瓷材料及其制作方法
- 本发明公开了一种高强度半导体封装陶瓷材料及其制作方法，涉及高可靠多层陶瓷封装外壳制作领域，所用原料按质量百分比由以下物质组成：玻璃粉15%～25% 着色剂5%～15% 余量为氧化铝粉料。制备方法为：（1）将原料中各组分制...
- 张金利
- 电镀线对陶瓷外壳寄生参数的影响研究被引量：1
- 2023年
- 以基于高温共烧陶瓷(HTCC)技术制作带电镀线的陶瓷外壳为研究对象,对电镀线对共寄生参数的影响进行了分析。首先通过仿真软件分析了电镀线长度、宽度和电镀线的位置对信号线电容、电感的影响情况,仿真结果表明信号线电容值随电镀线长度的增加而线性增加;电镀线宽度增加一倍,电容值增加0.84%,电镀线宽度对信号线电容几乎无影响;电镀线位置距地平面的距离增加一倍,电容值减小4.66%。信号线电感值随电镀线长度的增加而减小,随电镀线宽度的增加而减小,随电镀线位置距地平面的距离的增加而减小。然后,加工并制备试验样品进行电容、电感测试,测试结果与仿真结果具有很好的一致性。通过研究,掌握了电镀线对陶瓷外壳信号线寄生参数的影响程度,可较快设计同类陶瓷外壳,满足不同用户的需求。
- 张金利杨振涛余希猛段强
- 关键词：信号线寄生参数
- 屏蔽空间电离总剂量的CMOS IC封装被引量：4
- 2012年
- 分析CMOS IC封装材料自身辐射对器件的影响及封装对空间电离总剂量的屏蔽作用。采用仿真计算,给出不同封装材料与结构对空间电离总剂量的屏蔽效果,得到屏蔽性能最优的多层结构。试验结果表明:优化后的多层结构封装管壳对空间电离总剂量的屏蔽效果比常规封装管壳提高了一个数量级以上,经屏蔽加固后的常规电路可承受500 krad(Si)的电子总剂量辐照。
- 张文娟张金利李军
- 关键词：CMOS器件IC封装仿真
