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周欢欢

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 6篇电路
  • 5篇单元库
  • 5篇芯片
  • 5篇标准单元库
  • 4篇工具包
  • 3篇电子设备
  • 3篇集成电路
  • 2篇电路原理
  • 2篇电特性
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇迭代
  • 2篇预设
  • 2篇预设信息
  • 2篇物理设计
  • 2篇衔接
  • 2篇衔接性
  • 2篇向量
  • 2篇芯片设计
  • 2篇逻辑综合

机构

  • 14篇中国科学院微...

作者

  • 14篇尹明会
  • 14篇王晨
  • 14篇张卫华
  • 14篇周欢欢
  • 11篇陈岚
  • 3篇刘宏伟
  • 3篇尤云霞
  • 2篇李志强
  • 1篇王海永
  • 1篇叶甜春
  • 1篇张贺
  • 1篇孙艳
  • 1篇罗海燕
  • 1篇曹鹤
  • 1篇吴玉平
  • 1篇徐勤志
  • 1篇赵浙业
  • 1篇赵劼
  • 1篇朱义强
  • 1篇刘建云

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2014
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种标准单元库的创建方法及系统
本发明实施例提供了一种标准单元库的创建方法及系统，通过确定基本逻辑单元的分类，生成至少一个分类单元，然后再确定每个所述分类单元的驱动强度数量，最后确定所述基本逻辑单元的器件尺寸。可见，本方案对标准单元库中各基本逻辑单元进...
尹明会陈岚张卫华周欢欢王晨
文献传递
LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用
2019年
本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.
周欢欢陈岚陈岚王晨尹明会
关键词：LOD
28nm及特色先导工艺集成电路设计产业化关键技术与应用
陈岚尹明会秦毅王海永张贺徐勤志张卫华彩虹朱义强周欢欢王晨刘建云孙艳曹鹤刘宏伟
该项目属于集成电路设计技术领域。 1.研究目的： 集成电路工艺已经进入28nm及以下工艺节点，集成电路产品已经不能仅仅依靠产品的市场定位和市场推广来获得成功，必须要有先进纳米集成电路设计产业化关键技术的保障和支撑；同样，...
关键词：
关键词：集成电路设计纳米芯片
一种标准单元库全模型的测试方法及测试系统
本发明提供了一种标准单元库全模型的测试方法，包括以下步骤：步骤201、进行标准单元版图的多重物理规则检查；步骤202：进行标准单元库模型的形式验证；步骤203、进行标准单元库的Benchmark电学特性验证；步骤204、...
尹明会陈岚张卫华周欢欢王晨
文献传递
一种工艺设计工具包的测试方法及装置
本发明实施例公开了一种工艺设计工具包的测试方法及装置，首先通过正则匹配的方式，与预设信息比对验证工艺设计工具包的基本信息，而后，通过对参数化单元和物理设计规则分别生成测试图案库，并分别进行批量验证，最后，进行设计流程验证...
尹明会陈岚张卫华周欢欢王晨
文献传递
工艺设计工具包开发方法、装置、电子设备及存储介质
本公开提供一种工艺设计工具包开发方法，包括：基于多个电子设计自动化工具平台的底层函数库构建标准工艺设计工具包；对照预设工艺设计工具包的设置信息，修正所述标准工艺设计工具包的设置信息，得到目标工艺设计工具包。以多电子设计自...
尹明会陈岚张卫华周欢欢王晨
文献传递
支撑先导工艺产品平台的物理知识库技术研究与实用化
陈岚叶甜春尹明会张卫华周崟灏吴玉平赵劼罗海燕赵浙业王晨周欢欢
该项目属于集成电路(IC)技术、先进制造与EDA技术交叉学科领域。半导体芯片加工技术向纳米尺度发展，在芯片产品性能提高的同时，由于受亚阈值效应、工艺涨落等特性影响的与图形相关的设计要素很难完全由EDA工具实现，给芯片设计...
关键词：
关键词：集成电路
一种标准单元库全模型的测试方法及测试系统
本发明提供了一种标准单元库全模型的测试方法，包括以下步骤：步骤201、进行标准单元版图的多重物理规则检查；步骤202：进行标准单元库模型的形式验证；步骤203、进行标准单元库的Benchmark电学特性验证；步骤204、...
尹明会陈岚张卫华周欢欢王晨
文献传递
一种工艺设计工具包的测试方法及装置
本发明实施例公开了一种工艺设计工具包的测试方法及装置，首先通过正则匹配的方式，与预设信息比对验证工艺设计工具包的基本信息，而后，通过对参数化单元和物理设计规则分别生成测试图案库，并分别进行批量验证，最后，进行设计流程验证...
尹明会陈岚张卫华周欢欢王晨
一种碳基集成电路设计自动化平台构建方法及相关装置
本申请公开了一种碳基集成电路设计自动化平台构建方法，可用于集成电路领域，该方法包括：基于碳基MOS器件的测量参数，对经典MOS器件模型进行参数拟合得到碳基MOS器件对应的碳基器件模型；基于碳基工艺流程和硅基工艺流程，建立...
尹明会李志强张卫华刘宏伟周欢欢王晨尤云霞
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