尹明会
- 作品数：36 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>
- 一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法
- 本发明实施例提供一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法，包括：对标准单元金属层版图完成物理设计后，对所述金属层版图的金属线布局及走线进行调整；优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距；优化所述金属层版图的输出端金属线的...
- 赵浙业陈岚尹明会赵劼
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- 一种标准单元库的创建方法及系统
- 本发明实施例提供了一种标准单元库的创建方法及系统，通过确定基本逻辑单元的分类，生成至少一个分类单元，然后再确定每个所述分类单元的驱动强度数量，最后确定所述基本逻辑单元的器件尺寸。可见，本方案对标准单元库中各基本逻辑单元进...
- 尹明会陈岚张卫华周欢欢王晨
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- 一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统
- 本发明提供一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统。其中，方法包括：接收大面积金属及金属孔的尺寸数据，以及金属孔的行间距、列间距数据；根据大面积金属及金属孔的尺寸数据，以及金属孔的行间距、列间距数据，确定金属孔的行...
- 尹明会陈岚赵劼
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- 参数化生成多倍强度驱动单元的方法
- 本发明提供一种参数化生成多倍强度驱动单元的方法，包括：a）准备单位驱动强度单元的版图，所述单位驱动强度单元的两侧的有源区配置为可直接连接；b）接收指定多倍强度驱动单元中单位驱动强度单元个数的输入参数；c）将输入参数所指定...
- 陈岚周宠尹明会赵劼
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- 对精简标准单元库进行优化的方法
- 本发明公开了一种对精简标准单元库进行优化的方法，该方法包括：选择实现所需电路功能的基本单元，该基本单元至少包括反相器、缓冲器、基本门单元、混合门单元、运算单元和时序单元；在精简标准单元库中增加延迟单元、上拉/下拉单元、填...
- 罗海燕陈岚尹明会赵劼
- 一种实现冗余金属填充模板的方法及其系统
- 本发明涉及版图设计技术，公开了一种实现冗余金属填充模板的方法及其系统，该方法包括：获取填充区域的长度和宽度以及冗余金属块的长度和宽度；依据所述填充区域的长度和宽度以及所述冗余金属块的长度和宽度计算所述填充区域中所述冗余金...
- 尹明会陈岚赵劼
- 一种高速自控预充电灵敏放大器的设计被引量：5
- 2009年
- 提出了一种用于非挥发性存储器的新型电压灵敏放大器。该电路采用一种可以自动关断、电流可控的预充电路,可以有效消除由于存储容量变大带来的巨大位线寄生电容的影响,有效提高了灵敏放大器的读取速度。经验证,该结构具有较快的读取速度,在3.3 V工作电压下,电路读取时间为11 ns。
- 张效通万青陈岚尹明会陈巍巍
- 关键词：灵敏放大器非挥发性存储器
- 差分电路及其参数化单元的生成方法及生成系统
- 本申请实施例公开了一种差分电路参数化单元的生成方法及生成系统，可以根据选取的差分电路样本中的预设参数值，生成差分电路原理图和版图，并进行对应存储，生成差分电路参数化单元，以便于后期具体应用时可以根据获取的待形成差分电路的...
- 尹明会陈岚赵浙业
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- LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用
- 2019年
- 本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.
- 周欢欢陈岚陈岚王晨尹明会
- 关键词：LOD
- 常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究被引量：2
- 2007年
- 介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效果进行检测与分析,证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性.结果表明,该设备在常压下刻蚀硅,操作简单且不易对材料表面产生损伤.
- 赵玲利段小晋尹明会徐向宇王守国
- 关键词：常压射频等离子体刻蚀硅
