石向阳 作品数:16 被引量:5 H指数:1 供职机构: 中国工程物理研究院电子工程研究所 更多>> 发文基金: 国家重点基础研究发展计划 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
一种基于高低阻抗新型太赫兹倍频器设计结构 本发明公开了一种基于高低阻抗新型太赫兹倍频器设计结构,包括输入波导、输入波导-微带过渡、输入匹配电路、输出波导、输出微带-波导过渡、输出匹配电路;输入波导上安装输入波导-微带过渡,输入波导-微带过渡的输出线路分成两路,一... 沈川 何月 王成 陆彬 邓贤进 李惠萍 石向阳 蒋均 缪丽 陈鹏D波段固态放大器模块设计 2016年 重构了Ommic公司CGY2191UH芯片模型,建立了一个精确D波段放大器模块模型;并且设计和加工了一种D波段放大器模块验证了模型的准确性。D波段放大器模块模型包括多节波导模型、共面波导-矩形波导过渡模型、金丝键合线等效电路模型以及CGY2191UH芯片模型。通过对模型的分析并基于目前国内成熟工艺,设计和加工了一种D波段放大器模块。测试结果表明,该模块在110 GHz^140 GHz增益大于4.5 d B,其中最大增益在122 GHz为10 d B。增益测试曲线和模型仿真结果吻合,证明了模型的有效性。 刘杰 石向阳 蒋均 田遥岭关键词:放大器模块 AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作 2018年 基于GaN横向肖特基势垒二极管(SBD)的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_(1-x)/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当Al_xGaN_(1-x)层中Al摩尔组分为0.2~0.25,其厚度为20~30 nm时,AlGaN/GaN SBD器件的频率特性最好。在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2μm的非凹槽和凹槽型AlGaN/GaN横向空气桥SBD。通过直流I-V测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造。 李倩 李倩 安宁 曾建平 唐海林 唐海林 李志强关键词:ALGAN/GAN 空气桥 太赫兹 一种微带线与悬置微带线相结合的太赫兹倍频器 本发明公开了一种微带线与悬置微带线相结合的太赫兹倍频器,包括倍频器金属腔体、电路基片、二极管芯片,二极管芯片安装位置的正下方的电路基片为微带线形式,即这部分电路基片的下方紧贴倍频器金属腔体,有利于二极管工作时通过基片向腔... 陈鹏 蒋均 石向阳 邓贤进 沈川 何月基于肖特基变容二极管的220GHz三倍频器研制 本文介绍了基于GaAs肖特基变容二极管三维模型和集总肖特基结区模型的220 GHz三倍频器研制过程.通过扫描电子显微镜、探针平台、半导体分析仪等对二极管进行物理结构和电学特性进行测量,建立了二极管三维模型和考虑高频等离子... 石向阳 王成 陈鹏 陆彬 李慧萍 邓贤进 姚军关键词:太赫兹 电路设计 文献传递 一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法 本发明公开了一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法,首先在第二掺杂层背离衬底一侧形成一对应收集极区的自对准电极,以自对准电极为掩膜对衬底上的外延结构进行刻蚀,得到收集极区相应的台面,由于自对准电极与第二掺杂层结合强度... 苏娟 石向阳 李倩 王丁 安宁 曾建平 谭为文献传递 基于CSMRC结构和容性肖特基二极管的220GHz三倍频器 被引量:1 2018年 设计了基于容性肖特基二极管的220GHz非平衡三倍频器。首先对容性肖特基二极管进行测试和关键参数提取,建立了肖特基二极管的等效电路模型,以此为基础进行三倍频电路设计;在倍频电路设计中通过引入紧凑悬置微带谐振单元(CSMRC)滤波结构来减小信号传输损耗;由于三倍频电路设计中难以实现全波阻抗匹配,因此采用了整体电路结构谐波平衡调匹配方法设计倍频电路,最后对制备出的倍频器进行测试和分析;实验测试结果表明:倍频器在213.1~221.6GHz范围内输出功率大于10 mW,倍频效率大于5%,最高输出功率为18.7mW@218.6GHz,最高倍频效率为8.24%@217.9GHz。 石向阳 刘杰 蒋均 陈鹏 陆彬 张健关键词:肖特基二极管 太赫兹 阻抗匹配 一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法 本发明公开了一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法,在半导体器件中制作空气桥样式的电极,进而保证具有空气桥的半导体器件显著降低了器件寄生效应引入的损耗,提升了半导体器件的频率和功率特性。本发明提供的技术方案,通过在第二掩... 苏娟 石向阳 李倩 王丁 安宁 曾建平 谭为文献传递 太赫兹频段InP基共振隧穿二极管及其振荡器的研究 近年来,太赫兹(THz)波独特的性质使得其在高速无线通信、安检成像等领域表现出巨大的应用潜力,其中紧凑和室温工作的太赫兹源是其应用系统的关键组成。基于磷化铟(InP)基共振隧穿二极管(RTD)的太赫兹振荡器以其结构紧凑、... 石向阳关键词:磷化铟 共振隧穿二极管 空气桥 太赫兹 振荡器 文献传递 一种基于高低阻抗新型太赫兹倍频器设计结构 本发明公开了一种基于高低阻抗新型太赫兹倍频器设计结构,包括输入波导、输入波导‑微带过渡、输入匹配电路、输出波导、输出微带‑波导过渡、输出匹配电路;输入波导上安装输入波导‑微带过渡,输入波导‑微带过渡的输出线路分成两路,一... 沈川 何月 王成 陆彬 邓贤进 李惠萍 石向阳 蒋均 缪丽 陈鹏文献传递