苏娟
- 作品数：23 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 一种高频芯片的低损耗互连工艺方法
- 本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸...
- 苏娟郑英彬刘清锋刘杰康小克冯正谭为邓贤进张健
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- 一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法
- 本发明公开了一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法，首先在第二掺杂层背离衬底一侧形成一对应收集极区的自对准电极，以自对准电极为掩膜对衬底上的外延结构进行刻蚀，得到收集极区相应的台面，由于自对准电极与第二掺杂层结合强度...
- 苏娟石向阳李倩王丁安宁曾建平谭为
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- D波段放大器模块设计
- 为了实现D波段放大器芯片的宽带低损耗封装,提出了一种新型的D波段自匹配互连技术.对传统互连线的电磁特性进行了分析,利用传输线理论的半波长特性,设计了自匹配倒装互连的方法.进行了多节波导设计和自匹配互连设计,建立D波段放大...
- 刘杰李慧萍苏娟康小克
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- 一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法
- 本发明公开了一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法基于倒装焊技术，通过芯片或互连载片倒装焊接的方式，配合相应的MEMS微加工工艺技术实现高频固态集成放大器模块波导封装的金属互连，可缩短...
- 苏娟刘杰刘清锋周林康小克冯正谭为邓贤进张健
- 一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法
- 本发明公开了一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法，在半导体器件中制作空气桥样式的电极，进而保证具有空气桥的半导体器件显著降低了器件寄生效应引入的损耗，提升了半导体器件的频率和功率特性。本发明提供的技术方案，通过在第二掩...
- 苏娟石向阳李倩王丁安宁曾建平谭为
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- InP基RTD太赫兹振荡源及其应用研究进展被引量：3
- 2018年
- 紧凑和相干的太赫兹源是太赫兹应用的关键组成,共振隧穿二极管(RTD)是目前振荡频率最高的电子学器件,RTD太赫兹振荡源具有结构紧凑、功耗低、室温工作、有一定输出功率、易集成、覆盖频率较宽等优点。In P基RTD太赫兹振荡源在600 GHz左右的频段内输出功率可达百微瓦量级,可见报道的最高振荡频率为1.92 THz,输出功率0.4μW。RTD振荡源的输出功率可以通过偏置电压进行直接调制,使得其在高容量短距离的太赫兹通信系统中具有很大的优势。目前,In P基RTD太赫兹振荡源成为太赫兹源领域的研究热点。
- 石向阳苏娟谭为谭为
- 关键词：共振隧穿二极管振荡器
- 基于石墨烯的太赫兹光电功能器件研究进展
- 作为一种新型光电材料,石墨烯独特的能带结构和电子输运特性,使其与太赫兹科学有着密切的内在关系:石墨烯内部的等离子体振荡频率在太赫兹频段;人为调谐石墨烯的禁带宽度在0-0.3eV时,正好覆盖太赫兹频段;光电导率的外部可控性...
- 苏娟成彬彬邓贤进
- 关键词：石墨烯等离子体激元光学特性
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- 一种光学物理不可克隆函数器件及制备方法
- 本发明公开了一种光学物理不可克隆函数器件，包括衬底；位于衬底一侧表面的混沌超表面；混沌超表面对衬底设置的双层薄膜轰击刻蚀产生的混沌超表面；混沌超表面复合有量子点。利用离子束对双层纳米薄膜轰击刻蚀过程中发生的辐射化学反应来...
- 李倩康健彬苏娟黄锋王丕东万永彪张泰平姚尧
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- 一种光学PUF、其制备方法及应用
- 本发明涉及基于PUF的安全技术领域，尤其涉及一种光学PUF、其制备方法及应用。本发明提供了一种光学PUF的制备方法，包括以下步骤：A)在基底上沉积第一金属，得到第一金属层；B)在所述第一金属层上沉积第二金属，得到第二金属...
- 李倩康健彬苏娟黄锋王丕东万永彪张泰平姚尧
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- 二维磁场探针台测量系统
- 本发明属于物理及半导体测量技术领域，具体为二维磁场探针台测量系统。测量系统包括基座、二维磁场电磁铁、置于电磁铁磁极中央并固定于基座上的载物台卡盘、探针平台和显微测量装置，探针平台中间开口，沿开口环绕放置有若干直流、高频探...
- 冯正刘清锋岑冀娜苏娟谭为成彬彬吕立明邓贤进张健
