公共文化服务平台

一种GaN基异质结变容管装置及其外延结构: 本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构，旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础，导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置，包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层...; 曾建平安宁李倩谭为; 文献传递

一种高迁移率晶体管的制作方法: 本发明公开了一种高迁移率晶体管（HEMT）的制作方法，属于微电子技术领域，涉及半导体器件制作，该方法采用了化学机械抛光的方式将假栅去除，然后制备侧墙，降低沟道长度的同时实现栅的自对准，可以生产出一种短沟道及低源漏电阻的高...; 童小东谭为张世勇曾耿华张健; 文献传递

侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法: 本发明公开了一种侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法，通过光刻、金属淀积、剥离的方法在具有二维电子气特性的外延片表面沉积形成两块金属膜，金属膜呈左右分布，退火成欧姆接触层，接着淀积介质层一，通过光刻后刻蚀，在左右两个欧姆接触形...; 童小东谭为郑鹏辉张世勇徐建星; 文献传递

一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器: 本发明公开了一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器，其具体结构包括：铁磁纳米层/LaAlO3纳米层/SrTiO3衬底/底电极，LaAlO3纳米层和SrTiO...; 冯正王大承谭为; 文献传递

一种高频芯片的低损耗互连工艺方法: 本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸...; 苏娟郑英彬刘清锋刘杰康小克冯正谭为邓贤进张健; 文献传递

一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法: 本发明属于太赫兹高频器件技术领域，公开了一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法，外延结构为结构一或结构二：结构一包括衬底、缓冲层、电流扩展层、GaN牺牲层和肖特基有源层；电流扩展层与GaN牺牲层间形成低电...; 安宁曾建平李倩谭为; 文献传递

一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器: 本发明公开了一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器，将多层膜结构的自旋太赫兹源与由金属线栅和金属底层构成的金属微阵列结构集成在同一衬底中，通过自旋太赫兹源可以辐射出线偏振太赫兹波，通过外加磁场可以对辐射出的线偏振太赫兹波的偏...; 王大承冯正谭为孙松; 文献传递

一种太赫兹通信收发系统: 本申请公开了一种太赫兹通信收发系统，属于无线通信技术领域。该太赫兹通信收发系统，基于RTD芯片的非线性振荡特性，经过处理后的基带信号和偏置器中的驱动信号送入RTD芯片的负性微分电阻区，可同时完成太赫兹信号的产生和调制；调...; 吴错苏娟刘金鑫刘娟谭为林长星

AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作: 2018年; 基于GaN横向肖特基势垒二极管（SBD）的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_（1-x）/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当Al_xGaN_（1-x）层中Al摩尔组分为0.2~0.25,其厚度为20~30 nm时,AlGaN/GaN SBD器件的频率特性最好。在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2μm的非凹槽和凹槽型AlGaN/GaN横向空气桥SBD。通过直流I-V测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造。; 李倩李倩安宁曾建平唐海林唐海林李志强; 关键词：ALGAN/GAN 空气桥太赫兹

一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器: 本发明公开了一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器，其具体结构包括：铁磁纳米层/LaAlO3纳米层/SrTiO3衬底/底电极，LaAlO3纳米层和SrTiO...; 冯正王大承谭为

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

谭为